含风电场的电网多目标无功优化

随着智能电网建设提上日程,各种分布式电源的并网技术也亟需发展,其中就包括风电场的并网技术,研究了含风电场的电网无功优化问题。考虑风速随机变化的特点,采用无功-电压潮流计算模型,并建立了以系统网损、电压平均偏离和静态电压稳定裕度为目标函数的多目标无功优化模型。改进了传统的遗传算法,有效地避免了早熟和局部收敛,并在适应度函数中引入了内点法的对数障碍函数,有效改善了传统无功优化结果中某些节点电压容易接近上限的问题。算例表明该方法对含风电场的IEEE57节点系统具有良好的适用性。     

SiGe材料及其在半导体器件中的应用

介绍了SiGe材料的发展历史、特性、制备方法及其在半导体器件中的应用。     

DB—1型半导体材料禁带宽度测试装置

一、引言半导体技术的发展必须依赖于半导体材料的发展。禁带宽度是决定半导体材料特性的一个重要参数。该参数的测定在进一步研究半导体材料的能带结构、导电特性和加快半导体技术的发展等方面具有重要的意义。DB—1型半导体材料禁带宽度测试装置的研     

不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型

本文提出了一个不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型,根据多晶/单晶硅界面的性质空穴分别以隧道方式或热发射方式通过界面的不同部位.计算机模拟的结果得到了类氧化层界面的连续性、多晶硅膜厚、类氧化层两边的界面态密度、类氧化层厚度和多晶/单晶硅界面杂质浓度峰值等参数与多晶硅发射极晶体管(PET)电学特性的关系.     

GexSi1-x合金基区异质结晶体管模拟器——GSHBT

基于有限差分法开发了一个ＧｅｘＳｉ－ｘ合金基区异质结晶体管（ＧｅｘＳｉ－ｘＨＢＴ）模拟器ＧＳＨＢＴ。通过解释一组输入语句,ＧＳＨＢＴ可模拟任意掺杂分布和锗分布的ＧｅｘＳｉ－ｘＨＢＴ的直流特性、频率特性和器件的内部图像。文中描述了ＧＳＨＢＴ的特点和使用方法,阐述了进行器件特性分析的数值方法,并给出了应用实例。     

Ge_xSi_(1-x)合金基区异质结晶体管模拟器——GSHBT

基于有限差分法开发了一个 Gex Si1-x合金基区异质结晶体管 (Gex Si1-x HBT)模拟器GSHBT。通过解释一组输入语句 ,GSHBT可模拟任意掺杂分布和锗分布的 Gex Si1-x HBT的直流特性、频率特性和器件的内部图像。文中描述了 GSHBT的特点和使用方法 ,阐述了进行器件特性分析的数值方法 ,并给出了应用实例。     

双向S型负阻器件的二维数值模拟方法及模拟结果分析

本文介绍了一种对双向S型负阻器件（BNRD）进行二维数值模拟的方法．并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ－Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布．由此可以更清楚地了解器件的工作机理．此外还对不同结构、工艺参数的BNRD进行了模拟，总结出了器件结构、工艺参数对器件电学特性的影响关系．     

基于单片机AT89S51的温湿度控制仪

在对国内外同类产品分析研究的基础上,作者设计了一种基于单片机控制的温湿度控制仪,从硬件和软件两方面设计并实现了对温湿度的精确控制,该控制系统主要采用AT89S51、LED显示器、SHT11等芯片,并对其组成以及硬件电路进行了详细的介绍,阐述了温湿度控制系统的工作原理以及设计方法。最后通过系统软硬件联机调试,实现了温湿度信号检测与控制,达到了预期要求。