WFQ权重比较电路的设计

讨论了一种基于前导零的WFQ权重比较电路的设计,主要描述了逻辑电路的设计方法、仿真和综合等.和传统的设计方法相比,基于前导零方法的设计不仅具有速度的优势,而且在电路的硬件资源消耗方面也具有较好的表现.     

给目标一个斜坡

奥地利科学家最近通过分析卫星数据发现，沙特阿拉伯的盖瓦尔油田竟然会“呼吸”，即它的地面存在起伏现象，这一发现有助于对油田的产油情况和现有储量进行评估。     

用光纤列阵传像法探测水下微小位移

海洋石油工业的发展带来了水下探测技术的大发展。随着激光应用技术日趋成熟,人们开始关注其水下应用技术的开发。由数十万根直径为10多微米的光纤经过精心排制而成的光纤传像束,经过配装光学镜头,可用来探视人眼无法直接观察的部位和高温、     

地震属性信息在砂砾岩油藏开发中的应用--以克拉玛依油田上二叠统上乌尔禾组油藏为例

地震属性信息是蕴含在地震反射波中的有用信息，随着勘探开发力度的加强及油气藏精细描述的开展，地震属性信息已经引起地球物理、地质工作者的高度重视，尽管现代地震技术发展很快，信噪比和分辨率都有所提高，但仍不能忽视地震信息是反映地下地质情况的这一基本属性。它能从多方面反映地下特殊地质现象、沉积现象、流体特征等。以克拉玛依五区上乌尔禾组油藏为例。全面介绍了各种常用地震属性信息的概念及其油气田勘探开发中的作用和应用效果。     

CMOS霍尔传感器介绍

ＣＭＯＳ霍尔传感器介绍黄小平目前在控制领域所应用的传感器的性能要求越来越严格。一方面，要求尽可能精确，且可靠性要很高；而另一方百，要求价格尽可能低廉。数字式霍尔传感器是一种理想的器件，它把机械量转化成电信号，并对外部场强变化作出反应，当场强超过某一值...     

多弧离子镀膜机(буиат-6)性能分析和工艺参数研究

分析研究了多弧离子镀膜机буиат—６的主要性能。在不同工艺参数条件下，于高速钢基体上制备了Ｔｉ膜和ＴｉＮ膜，用扫描电镜观察Ｔｉ膜表面形貌；用能谱仪对Ｔｉ膜上小液滴颗粒成份进行测试分析；用超微负荷硬度计测量了ＴｉＮ膜的显微硬度；用表面刻划仪测试了ＴｉＮ膜与基体的附着力。实验结果表明：选择适当的工艺条件，包括弧流大小，电磁场强度，镀膜时间以及冷阴极离子源辅助沉积，可获得性能优良的ＴｉＮ膜，其显微硬度可达Ｈｖ２５００，附着力为６５Ｎ。     

偏置直动从动件圆盘凸轮的设计和特性分析

圆盘凸轮机构特性值的理论分析目前少见,影响其动力学性能评判和适用场合的确定。详细研究了偏置直动从动件圆盘凸轮的运动学和动力学特性,获得了从动件的位移、速度、加速度、跃度、跳度和压力角,以及最大无量纲速度、最大无量纲加速度、最大无量纲跃度和最大无量纲转矩这4个主要的动力学特性值的精确计算式、求解方法和曲线图。根据计算结果,可判断该机构与特性值有关的动力学性能的优劣和适用场合。给出了在满足压力角和尺寸约束下通过求解非线性方程组来设计机构尺寸的一种方法及其实例。研究结果显示:1)压力角约束构成的设计可行域是一个由若干条直线围成的凸多边形; 2)行程速比系数小于3; 3)特性值只决定于各构件的相对长度; 4)凸轮偏心率是特性值的最敏感参数; 5)若凸轮偏心率和从动件偏距率变小,则机构性能趋好; 6)该机构无任何冲击且特性值小,因而动力学性能优异,可用于高速场合。     

980钢焊接接头在谱载荷作用下的疲劳裂纹扩展

对980钢焊接接头在谱载荷作用下的疲劳裂纹扩展行为进行了初步研究，用980钢焊接接头掉成两种标准CT试件，裂纹分别开在焊缝金属上和焊趾处平行于焊缝方向，在两种谱载荷下进行了疲劳裂纹扩展试验，采用Wheeler模型进行谱载荷作用下裂纹扩展分析。得到焊缝金属的载荷延滞效应明显，而焊趾处金属的载荷延滞效应不明显的初步结论。     

景德镇陶瓷产业生产规模现状分析与对策

本文从分析景德镇陶瓷产业生产规模现状入手,指出实现规模经济的意义与对策     

32位双发射双流水线结构RISC微处理器设计

"龙腾R2"是西北工业大学自主研制的32位嵌入式RISC微处理器,与IBM公司的Power-PC750处理器pin-to-pin兼容。综合考虑面积、功耗、实时响应以及性能要求等因素,文章提出了一种应用于嵌入式处理器微架构设计的双发射双流水线结构。该结构的核心思想是在指令流水线前端处理阶段动态检测相邻指令的先后依赖关系,预先完成双发射判断。文中首先介绍了"龙腾R2"的微体系架构,然后重点讨论了基于双发射双流水结构的指令调度策略、相邻指令耦合关系、双发射下的相关处理以及精确异常考虑等。采用M ibench基准程序完成了性能评测,综合分析结果显示,该结构对算术计算类程序流加速明显,并且电路结构清晰,易于设计验证,同时发现优化存储系统结构是提升该处理器性能的关键。文章最后对"龙腾R2"的可测试性设计以及硅物理设计等关键技术进行了论述。"龙腾R2"已流片成功,整个处理器采用SMIC 180nm CMOS工艺,芯片面积5.9 mm×6.7 mm,核心频率266 MHz,CBGA360封装。