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文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35 μm BiCMOS工艺,采用Brokaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到 85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5 V±0.002 V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2 mV,电源电压抑制比为60 dB.5 V电源电压下功耗为1.19 mW.具有良好的电源抑制能力. 相似文献
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新型代油燃料———水煤浆□湖南省经贸委/黄学工□湖南省冶金规划设计院/刘庄民1前言水煤浆是由65%—70%的经过洗选磨细的煤、30%—35%的水以及1%左右的添加剂混合而成的一种煤基流体燃料,它是由于世界范围内的石油危机而产生的一种石油替代燃料。之所... 相似文献
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对诺兰达炉包子冷却炉渣的工艺矿物特性进行了研究 ,采用粗磨粗选 ,粗选尾矿扫选抛尾 ,粗精矿再磨精选的流程 ,可以得到铜品位为 2 1 5 5 % ,回收率为 78 2 8% ,尾矿品位为 0 2 0 %的好指标 ;选铜尾矿磁选 ,可以得到铁品位为 5 9 67%的铁精矿 ,回收率为 3 1 90 % ,达到了攻关目标 相似文献
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X切Ti:LiNbO3调制器的有限元法分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用有限元法第一次较为准确地分析了各种X切Ti:LiNbO3电光调制器的场分布,并用其结果计算了调制器的特性参数-开关电压、调制带宽、特性阻抗、微波等效折射率等。利用有限元法的特点,第一次在计算调制器的特性时考虑了LiNbO3基片厚度对器件的影响。 相似文献
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束传播方法广泛的地无源波导器件的模拟与设计,为了能够模拟有源器件,例如金属包层波导和超射发光二极管(SLD),我们将复的射率引入其中,器件的增 吸收通过折射率为描述,用复折射率的有奶差分敌意一束传播方法,我们对1.3μm直条形吸收区SLD进行了模拟与设计,并且给出一种新结构。 相似文献
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