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Lei Shan Meghelli M. Joong-Ho Kim Trewhella J.M. Oprysko M.M. 《Advanced Packaging, IEEE Transactions on》2002,25(2):248-254
A 50 Gb/s package for SiGe BiCMOS 4:1 multiplexer and 1:4 demultiplexer targeting SONET OC-768 serial communication systems is introduced in this work. The package was designed to facilitate bit-error-rate tests and constructed with high-speed coaxial connectors, transmission lines on ceramic substrate, ribbon bonds for chip-to-package interconnects, and a metal composite housing. Numerical simulations were conducted to guide the package design, and both small signal measurements and operational tests were performed thereafter to verify the design and modeling concepts. To keep the model structure under the existing computing capability, the simulation was segmented into three sections - coaxial connector to transmission line, transmission line alone, and transmission line to ribbon bond, and then the results were assembled to predict the performance of the entire package. The package was operated up to 50 Gb/s with low degradation to input digital waveforms and free of error. 相似文献
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首先介绍了屏蔽效能的定义,然后根据多芯电缆和同轴电缆的区别与联系,提出了适用于测量多芯屏蔽电缆效能的注入线测试方法,并且比较了测试结果和仿真结果,为测试人员合理选择有效的测试方法提供了依据。 相似文献
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Mingzhi Dai Chao Gao Kinleong Yap Yi Shan Zigui Cao Kuangyang Liao Liang Wang Bo Cheng Shaohua Liu 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2008,55(5):1255-1258
An improved hot-hole-involved interface-state generation model is proposed for hot-carrier injection (HCI) degradation in high-voltage (HV) nMOSFETs. This model is based on experiments over a wide range of temperatures, voltage conditions, simulation results, and the underlying physical mechanisms. The model provides a thorough picture of an HCI system in HV nMOSFETs, with hot-hole injection related to an additional maximum electric-field region. The hot-hole injection in HCI is assumed to introduce deeper localized hydrogen states in gate-oxide films than that in negative-bias temperature instabilities. This result facilitates the dispersive transport of hydrogen. Therefore, HCI degradation in HV transistors is explained within the framework of disorder-controlled hydrogen kinetics. The power-law model can successfully predict temperature dependences for HCI degradation. 相似文献
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目的探讨利多卡因防治深二度烧伤创面早期加深的作用。方法wistar大鼠背部深二度烧伤,治疗组局部应用利多卡因凝胶,对照组涂抹安慰剂,检测烧伤后创面组织中Na-K-ATP酶、髓过氧化物酶(MPO)活性和琥珀酸脱氢酶(SDH)、丙二醛(MDA)的含量,HE染色及增殖细胞核抗原(PCNA)免疫组化染色显示创面组织坏死程度。结果对照组和治疗组SDH和Na-K-ATP酶活性在伤后24h均达到最低,之后逐渐升高,但远低于正常水平。伤后24h治疗组SDH、Na-K-ATP活性高于对照组(P<0.05);对照组MPO酶活性在伤后24h达最高,治疗组在伤后48h达最高,之后两组都降低,但仍高于正常水平,对照组MPO活性最高值高于治疗组(P<0.05);对照组和治疗组伤后MDA含量一直升高,伤后72h,对照组高于治疗组(P<0.05)。HE及PCNA染色显示治疗组早期创面进行性损伤明显延缓且较轻,创面组织增殖活力好于对照组。结论深二度烧伤创面早期局部应用利多卡因可减轻创面加深,其机制可能与抑制白细胞浸润、减轻氧化损伤、改善组织活力等因素有关。 相似文献
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基于Web的控制电机教学课件是多媒体CAI课件与Web技术的结合。它利用网络丰富的表现手法和超级链接将抽象的理论形象化。本文介绍了基于Web的控制电机多媒体CAI课件开发的过程和网络课件在控制电机辅助教学中的优势。 相似文献
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