高温酸化助排剂HC2-1的研究

为了满足高温油藏和深井酸化作业残酸返排的需要，通过表面活性剂的筛选和复配研究，得到了高温酸化助排剂HC2—1。其性能评价结果表明，HC2—1具有使用浓度低、表面活性高的特点，在20％的HCI溶液中，当其浓度为50mg／L时，表面张力为20．7mN／m；具有良好的耐温性能，在180℃下恒温48h，HC2—1仍保持较高的表面活性；具有良好的耐盐能力，加有HC2—1的20％HCl溶液和CaCO3反应至HCl完全消耗，整个反应过程体系无新相生成且表面张力基本不变；可增大酸液体系的润湿角，进一步降低毛细管阻力，使酸液返排率由46％提高到97％，在促进酸液返排的同时与原油不发生乳化反应。     

高阶统计量地震子波估计建模

本文在反射系数序列为非高斯、平稳和统计独立的随机过程,地震子波为非因果、混合相位的假设条件下,分别应用滑动平均(MA)和自回归滑动平均(ARMA)模型对地震记录进行建模,并采用运算代价较小的基于高阶累积量的线性化求解方法——累积量矩阵方程法进行了子波提取和模型适应性的研究。数值模拟结果和实际地震数据处理结果表明:自回归滑动平均(ARMA)模型比滑动平均(MA)模型具有参数节省、模型更为高效的特点;累积量矩阵方程法可以有效地压制加性高斯噪声,但对累积量样本估计的准确性要求较高;如果累积量样本估计的误差和方差适度,结合自回归滑动平均(ARMA)模型描述的累积量矩阵方程法可以高效、准确地估计出地震子波。     

低密度微泡沫压井液的研究与应用

吐哈油田部分区块地层压力系数小于0.9,常规水基压井液对储层伤害大,若使用油基压井液成本高,环境污染严重。通过实验优选出了一种低密度水基微泡沫压井液。该压井液具有密度低、泡沫强度高、稳定性好、携砂能力强等优点。现场应用表明,低密度微泡沫压井液稳定时间大于48 h,密度在0.70~0.99 g/cm3之间可调,抗油污染能力强,抗油大于8%,抗温在100℃以上,岩心污染后渗透率恢复值大于80%;并且施工方便,成本低,具有储层保护能力,使用微泡沫压井液的井表皮系数在0.20~2.34之间。     

煤矿生产、安全调度LED电子大屏幕显示系统的设计

通过比较煤矿生产、安全调度显示方式的优缺点，提出和分析了适合于煤矿生产安全调度的ＬＥＤ电子大屏幕显示系统配置、功能及特点。     

THE STATISTICAL DISTRIBUTION OF EXTREME VALUES OF WAVE-CURRENT FORCES ACTING ON SLENDER CIRCULAR CYLINDER IN IRREGULAR WAVES

Based on model test,the statistical distribution of extreme values of wave-current in-line forces acting on vertical circular cylinder is analyzed in this paper.It is shownthat the results calculated by the simplified method,proposed by authors,agree well with the testdata;Weibull distribution is also adoptable in the region of high KC number, and the shapeparameter a and scale parameter β are related well with KC number respectively.     

VTI介质的AVO理论与应用研究

AVO（Amplitude Versus Offset)技术的研究已有30多年的发展历程，其中有起有落，近两年在国际上该技术的应用又日趋广泛，发展较快，在寻找隐蔽性和裂缝性油气藏方面，AVO具有其他方法不能替代的作用，本文通过对羊屋三维数据的处理，解释一体化的研究，发现VTI各向异性介质对动校正存在较大的时差影响，本次研究成功地应用VTI介质成像理论对该地区地震数据进行了时差校正，同时采用时频域球面发散和吸收补偿加地表一致性（炮点，接收点和炮检距项）反褶积较好的振幅和频率补偿结果，并实现了相对保持振幅的要求，通过此次处理，解释一体化研究，发现了一块具有第二类AVO特性的，在常规成像条件下无法识别的地质异常体。     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

宽带放大器可靠性问题浅析

叙述了国产高频宽带放大器的质量和可靠性现状，详细介绍了这类产品的质量一致性检验、可靠性摸底试验和现场使用过程中出现的可靠性问题，用统计的方法得出了可靠性特征量，通过对失效样品的失效分析，总结出宽带放大器主要的失效模式和失效机理，并提出了消除和减少失效、提高宽带放大器可靠性的措施和建议。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。