首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   32510篇
  免费   4456篇
  国内免费   2836篇
电工技术   3046篇
综合类   3722篇
化学工业   3468篇
金属工艺   2103篇
机械仪表   2366篇
建筑科学   2712篇
矿业工程   1479篇
能源动力   871篇
轻工业   4103篇
水利工程   1359篇
石油天然气   1134篇
武器工业   373篇
无线电   3517篇
一般工业技术   2687篇
冶金工业   1360篇
原子能技术   651篇
自动化技术   4851篇
  2024年   236篇
  2023年   659篇
  2022年   1400篇
  2021年   1745篇
  2020年   1249篇
  2019年   843篇
  2018年   944篇
  2017年   1068篇
  2016年   977篇
  2015年   1536篇
  2014年   1956篇
  2013年   2281篇
  2012年   2839篇
  2011年   2953篇
  2010年   2740篇
  2009年   2592篇
  2008年   2712篇
  2007年   2700篇
  2006年   2177篇
  2005年   1736篇
  2004年   1187篇
  2003年   785篇
  2002年   722篇
  2001年   753篇
  2000年   530篇
  1999年   182篇
  1998年   38篇
  1997年   29篇
  1996年   29篇
  1995年   19篇
  1994年   23篇
  1993年   18篇
  1992年   14篇
  1991年   12篇
  1990年   12篇
  1989年   14篇
  1988年   6篇
  1987年   5篇
  1986年   3篇
  1985年   3篇
  1983年   7篇
  1982年   4篇
  1981年   7篇
  1980年   18篇
  1979年   5篇
  1978年   4篇
  1977年   4篇
  1976年   2篇
  1959年   9篇
  1951年   10篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
针对葛洲坝电站2号机组运行中出现转轮室中环损坏的现象,设计制造出转轮室现场机加工的大型专用机床,在修复改造过程中,解决了一系列技术难题,改造后技术指标均达到理想水平,为电站机组现场修复技术积累了宝贵经验.  相似文献   
72.
研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。  相似文献   
73.
本文用真空烘烤封罐法对 SiC 粒子进行预处理,在固液两相区内搅拌添加,制造了铸造 Al 基复合材料。测试表明,该复合材料具有铸造性能好,力学性能高的优点,适用于采用压铸、石膏型精密铸造、金属型铸造等工艺方法成型的活塞、连杆等要求苛刻的零件。  相似文献   
74.
文中着重阐述了上马水库库坝区的地裂缝产生的原因及发育规律,分析了地裂缝对水库的直接危害,为水库除险加固设计提供了指导,并提出了切实可行的工程处理措施建议。  相似文献   
75.
Hexagonal microtube ZnO was firstly grown on single crystal p-Si (111) substrates by hydrothermal method, and fabricated Ag/n-ZnO and Au/n-ZnO Schottky junction. Schottky effective barrier heights were calculated by I-V measurement. It is confirmed that the presence of a large amount of surface states related possibly to lattice imperfections existed near the surface leads to the pinning of the surface Fermi level at 0.35 eV below the conduction-band edge. Then the fabricated Schottky barrier junctions are evaluated for their use as UV photodetectors.  相似文献   
76.
数控机床交流伺服系统的复合控制研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对常规P-P与PPI控制存在的问题,提出了在数控机床交流伺服系统中,采用带速度和加速度作为前馈控制,模糊自校正PID控制作为位置反馈控制的复合控制器,实验证明可以显著提高控制系统的控制精度,大大降低跟踪误差,具有较强的鲁棒性。  相似文献   
77.
邓曾禄 《压力容器》2004,(Z1):71-75
本文系统地阐述了套筒补偿器发展至今的各种结构及其特点,所用密封材料及其特性,摩擦力试验及其计算公式.文中还对目前使用中出现的一些问题进行了分析.  相似文献   
78.
The influence of 0.1-0.6 at.-%RE additions (RE= La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Er, Yb) on themechanical properties of Pd was studied. All above RE additions increased not only the strengthproperties at ambient temperature but also the tensile strength, creep rupture time and activation en-ergy at high temperatures, simultaneously increased the elongation of Pd. In the range of dilute con-centration, the strength properties of Pd-RE alloy enhanced linearly with RE concentration. Whenthe strength properties of Pd-RE alloys were normalized at 0.1 at.-%RE, it was found that light REelements had stronger effect on the properties of Pd than heavy RE, whereas Eu, Yb, Ce had anoma-lous effect. In all Pd-RF alloys, Pd-Eu alloy had the highest strength properties, successively Pd-Yband Pd-Ce alloy. The effect mechanisms of RE in alloy, such as purifying impurities, increasingrecrystallization temperature, refining grain size. expanding crystal lattice, increasing dislocation den-sity and decreasing stacking fault energy, forming stable RE oxidation by internal oxidation, and soon, were observed. They were strengthening sensitive factors. The influence of the factors onstrength properties and elongation of Pd was discussed.  相似文献   
79.
对江西省新干县蓄水工程灌溉水费征收问题进行探讨,并提出了一些建议和对策。  相似文献   
80.
港172断块储层特征研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
港172断块是大港油田港西北斜坡上的一个含油断块,主要目的层为沙三段Ⅱ油组(Es3Ⅱ)的重力流水道砂岩。运用储层地质学理论,利用钻井、岩心分析、测井解释资料,对港172断块E53Ⅱ油组储层展布和储层物性的空间变化规律进行分析、描述,达到充分认识港172断块E53Ⅱ油组储层特征的目的。同时,结合构造研究和试油、试采流体分析数据,确定了港172断块Es3Ⅱ油组的油藏类型。该研究成果为储层地质建模和区块开发调整提供了地质依据。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号