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本通过对TMN(电信管理网)思想以及COM/DCOM编程原理的分析,将COM/DCOM的功能特点与TMN电信网络管理的基本要求有机地结合在一起,提出了运用COM/DCOM技术建立TMN的基本设想,其原理是,将电信网的各种网元抽象为COM组件对象,组件对象实时反映所对应网元的各种特征数据,运用DCOM通信机制对这些组件对象及其特征数据进行监控管理,从而达到管理网元之目的。COM/DCOM的面向对象及分布式属性、操作系统和平台无关性、它的事件通知功能、高效的通信机制及其网络安全技术,均符合电信管理网络的功能要求。 相似文献
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一种用于卫星电视接收的FZP天线 总被引:1,自引:1,他引:0
本文用物理光学法对FZP反射器的聚焦场、聚焦效率及偏轴扫描特性等进行初步分析,并由此提出一种使用FZP天线实现多颗卫星信号同时接收的技术方案。原理性样机实际接收结果证实了其可行性 相似文献
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By using a mRNA differential display technique to search for salicylate suppressible genes, we identified a cDNA in human foreskin fibroblasts, which by GenBankTM DNA data base search shows sequence homology to the recently reported cullin/Cdc53 (CUL) family genes, especially CUL-3. We have cloned the full-length human CUL-3 (Hs-CUL-3) cDNA. It encodes a 768-amino acid polypeptide and has a predicted molecular weight of 88,939. The amino acid sequence of Hs-CUL-3 shows 46% homology to that of its Caenorhabditis elegans ortholog, Ce-CUL-3, and 27 and 23% to that of Hs-CUL-1 and Hs-CUL-2, respectively. Northern blot analysis showed that phorbol 12-myristate 13-acetate increased the expression of Hs-CUL-3 mRNA in a concentration- and time-dependent manner, and this increase was inhibited by sodium salicylate. Hs-CUL-3 widely expressed in human tissues and its expression in cultured COLO205 colon cancer cells was increased when compared with that in normal colon cells. It is likely that Hs-CUL-3 is involved in cell proliferation control. 相似文献
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GaN的MOVPE生长和m-i-n型蓝光LED的试制 总被引:1,自引:0,他引:1
利用自行研制的常压MOVPE设备和全部国产MO源,采用低温生长缓冲层技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上获得了高质量的GaN外延层。未掺杂的GaN外延层的室温电子迁移率已达114cm2/V.s,载流于浓度为2×1018。77K光致发光谱近带边发射峰波长为365nm,其线宽为4DmeV。X射线双晶衍射回摆曲线的线宽为360arcsec。用Zn掺杂生长了绝缘的i-GaN层。在此基础上研制了m-i-n型GaN的LED,并在室温正向偏压下发出波长为455nm的蓝光。 相似文献
27.
变速箱结构设计专家系统技术的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
结构设计是机械产品设计过程中的重要环节,解决结构设计的智能化不但可以缩短产品的设计周期,而且还可以降低成本,提高设计质量。专家系统是解决智能化设计的技术之一。本文讨论有关结构专家系统的几个关键技术,主要包括系统的控制策略,面积对象的知识表达方式及结构设计的并行设计 相似文献
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针对常规金相法测定钛及钛合金表面脆性α层的不足之处,根据脆性α层与钛基体在化学性质上的差异,采用重腐蚀法对不同热处理状态下钛及钛合金表面脆性α层的准确测定,弥补了常规金相法在测定方面的某些缺点,探讨了重腐蚀法测定脆性α层的原理和方法。 相似文献
30.
用磁控溅射方法制备了系列 (Fe0 .86 Zr0 .0 33Nb0 .0 33B0 .0 6 8Cu0 .0 1 ) x(Al2 O3) 1 -x颗粒膜样品 ,体积百分比x从 0 .3 3~ 0 .63 ,样品厚度约为10 0nm。室温下在Fe0 .86 Zr0 .0 33Nb0 .0 33B0 .0 6 8Cu0 .0 1 体积百分比x =0 .43时得到 17.5 μΩ·cm的最大饱和霍耳电阻率 ,比纯铁磁金属提高了 3~ 4个量级。对其磁性和微结构进行了研究 ,样品霍耳电阻率随外场的变化曲线 ρxy~H与磁场平行于膜面时的磁化曲线M~H有相似性 ,说明霍尔电阻率 ρxy与磁化强度M相关。样品电阻率 ρxx随金属体积百分比x的减小而增加 ,在x =0 .43附近发生突变 ,从金属导电变为绝缘体。根据微结构和输运性质对可能的机制进行了探讨 相似文献