高速贴片机优化软件的设计与开发

SMT生产线要达到最大的产量,必须要考虑生产线的效率。贴片机是SMT生产线中的关键设备,因此提高贴片机的生产效率具有十分重要的意义。本文以松下贴片机为例,介绍了贴片机程序优化软件的设计与开发中的思想、方法和经验,希望对从事CAM软件研究的工程人员有一定帮助。     

具有空间宽带效应的毫米波3D MIMO信道估计

在现有的大规模三维多输入多输出（3D MIMO）系统中,相邻天线间的距离可能非常大,这往往会导致电磁波穿过阵列孔径时出现物理传播延迟,被称为空间宽带效应。而大多数学者在研究信道估计时为方便通常会忽略它,仅仅有学者研究雷达系统时提到了空间宽带效应。而去年有学者将其引入到了2D MIMO毫米波系统中,本文在此基础上将其扩展到了毫米波大规模3D MIMO系统中,基于平面天线阵列的水平角和垂直角设计了一种新的信道模型,并提出了一种信道估计算法,仿真结果表明其具有良好的信道估计性能。      

柔性高温NiCr薄膜应变计研究

耐高温的NiCr薄膜应变计在航空、航天领域有广泛的需求。采用射频磁控溅射方法制备了NiCr薄膜,研究了溅射气压和衬底温度对NiCr薄膜电阻温度系数的影响规律,结果表明:当溅射气压为0.2 Pa,基片温度为400℃时,电阻温度系数最小为130.7×10^-6/℃。利用优化的工艺条件,在Hastelloy柔性合金衬底上制备了NiCr薄膜应变计,测试结果表明,所制备的NiCr薄膜应变计在各个温度下其电阻随着应变呈线性变化,其应变灵敏度(GF)因子随温度增加而增大,当温度超过200℃后,GF因子缓慢变化。温度为400℃时,GF因子达到3。实验得到的基于Hastelloy合金衬底的柔性薄膜应变计为高温应变测量提供了一种新的手段。     

外调制微波光传输链路性能优化研究

微波光传输链路(MWPL)具有损耗小、容量大、重量轻、抗干扰能力强等优点,已在军事、雷达、无线通信等领域得到广泛应用.决定微波光传输链路性能的参数主要有链路增益、噪声系数和动态范围.文章首先通过建模分析,推导出了增益和噪声系数的关系,研究了微波光传输系统噪声系数的各种影响因素.通过仿真与实验验证表明,合理的调节调制器输入光功率,可提高链路增益,同时降低链路噪声系数,优化传输链路的性能.     

氦质谱细检漏的基本判据和最长候检时间

国内外普遍认为,现行军用标准有关氦质谱细检漏的测量漏率判据,对于筛选后内部水汽含量小于5 000 ppm的要求过于宽松.但标准改进中,加严判据与检测条件之间的矛盾,使人们处于困窘的局面.作者主张以氦气交换的时间常数τHe为主要变量,以严密等级τHemin为基本判据,简化了氦质谱细检漏测量漏率公式,选择了一条可更为简捷分析和处理问题的技术途径.进而推演提出了压氦法和预充氦法的最长候检时间公式,小内腔容积时再辅以二步检测法和贮存法,可从几倍到几个数量级地拓展最长候检时间,从而破解了候检时间过短这一技术瓶颈,为降低吸附漏率创造了条件,为设计加严判据要求的压氦法和预充氦法的固定方案和灵活方案,为全面改进密封性氦质谱检测方法标准提供了理论依据,对控制密封元器件长期贮存后的内部水汽、提高其可靠性有重要意义.     

多普勒计程仪辅助捷联惯导初始对准技术研究

针对捷联惯导系统初始对准精度问题,提出了一种采用多普勒计程仪辅助捷联惯导系统进行初始对准的方法。分析了多普勒计程仪测速误差的形式,建立了多普勒计程仪与捷联惯导系统的误差模型,通过输出校正的方法修正多普勒计程仪的速度信息,为惯导系统提供准确的载体速度信息,采用卡尔曼滤波进行捷联惯导系统的精对准。并对舰船匀速直航状态时,多普勒计程仪辅助捷联惯导系统的初始对准进行了仿真分析。理论分析与仿真结果表明:该方案能有效地解决舰船的初始对准问题,收敛速度较快,而且具有较高的精度。     

基于USB接口的激光打标控制器人机交互界面

在基于USB接口的激光打标控制器脱机应用中,友好的人机交互界面起着十分重要的作用。笔者在设计中使用了YM12864F图形LCD模块实现一种中文窗口菜单界面,进行脱机时激光打标控制。     

PERIODIC DYADIC GREEN''S FUNCTION FOR FIELD ANALYSIS IN EMC CHAMBER

Herein a novel Dyadic Green's Function (DGF) is presented to calculate the field in ElectroMagnetic Compatibility (EMC) chamber. Due to the difficulty of simulating the whole chamber environment, the analysis combines the DGF formulation and the FEM method, with the latter deals with the reflection from absorbers. With DGF formulation for infinite periodic array structures, this paper investigates electromagnetic field in chamber with truncated arrays. The reflection from the absorber serves as the virtual source contributing to the total field. Hence the whole chamber field calculation can be separated from the work of absorber model set-up. Practically the field homogeneity test and Normal Site Attenuation (NSA) test are carried out to evaluate the chamber performance. Based on the method in this paper, the simulation results agree well with the test, and predict successfully the victim frequency points of the chamber.     

一种低功耗4H-SiC IGBT的仿真研究

针对传统沟槽栅4H-SiC IGBT关断时间长且关断能量损耗高的问题,文中利用Silvaco TCAD设计并仿真了一种新型沟槽栅4H-SiC IGBT结构。通过在传统沟槽栅4H-SiC IGBT结构基础上进行改进,在N ⁺缓冲层中引入两组高掺杂浓度P区和N区,提高了N ⁺缓冲层施主浓度,折中了器件正向压降与关断能量损耗。在器件关断过程中,N ⁺缓冲层中处于反向偏置状态的PN结对N ^-漂移区中电场分布起到优化作用,加速了N ^-漂移区中电子抽取,在缩短器件关断时间和降低关断能量损耗的同时提升了击穿电压。Silvaco TCAD仿真结果显示,新型沟槽栅4H-SiC IGBT击穿电压为16 kV,在15 kV的耐压设计指标下,关断能量损耗低至4.63 mJ,相比传统结构降低了40.41%。     

A highly efficient OLED based on terbium complexes

A neutral ligand 9-(4-tert-butylphenyl)-3,6-bis(diphenylphosphineoxide)-carbazole (DPPOC) and its complex Tb(PMIP)₃DPPOC (A, where PMIP stands for 1-phenyl-3-methyl-4-isobutyryl-5-pyrazolone) were synthesized. DPPOC has a suitable lowest triplet energy level (24,691 cm^?1) for the sensitization of Tb(III) (⁵D₄: 20,400 cm^?1) and a significantly higher thermal stability (glass transition temperature 137 °C) compared with the familiar ligand triphenylphosphine oxide (TPPO). Experiments revealed that the emission layer of the Tb(PMIP)₃DPPOC film could be prepared by vacuum co-deposition of the complex Tb(PMIP)₃(H₂O)₂ (B) and DPPOC (molar ratio = 1:1). The electroluminescent (EL) device ITO/N,N′-diphenyl-N,N′-bis(1-naphthyl)-1,1′-diphenyl-4,4′-diamine (NPB; 10 nm)/Tb(PMIP)₃ (20 nm)/co-deposited Tb(PMIP)₃DPPOC (30 nm)/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP; 10 nm)/tris(8-hydroxyquinoline) (AlQ; 20 nm)/Mg_0.9Ag_0.1 (200 nm)/Ag (80 nm) exhibited pure emission from terbium ions, even at the highest current density. The highest efficiency obtained was 16.1 lm W^?1, 36.0 cd A^?1 at 6 V. At a practical brightness of 119 cd m^?2 (11 V) the efficiency remained above 4.5 lm W^?1, 15.7 cd A^?1. These values are a significant improvement over the previously reported Tb(PMIP)₃(TPPO)₂ (C).