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61.
A. G. Golovko E. I. Gordeev V. I. Zolotukhin R. B. Medvedev D. A. Provotorov 《Refractories and Industrial Ceramics》2012,52(6):385-388
This article examines the latest innovations from the NPP “Vulkan-TM” for stopper-less casting and the treatment of steel
outside the furnace. It presents the main characteristics and design features of slide gates, equipment for the bottom-blowing
of steel with argon, and equipment for making vibroformed refractory products. 相似文献
62.
Radiochemistry - The possibility of removing dyes from aqueous solutions containing 137Cs, 90Sr, 90Y, and U(VI) using layered double oxides (LDOs) and hydroxides (LDHs) of Mg and Al was examined.... 相似文献
63.
64.
A method for refining the wastes of nonferrous metals by milling with a controlled vibrational motion of a cutting tool is
described. This method increases the yield of chip elements of nonferrous metals of a given size and shape by a factor of
2–3. 相似文献
65.
Hydraulic bearings may be used to reduce the vibration and noise levels of induction motors, as well as their energy consumption. 相似文献
66.
Yu. A. Komissarov L. S. Gordeev Jiang Zhiqiang 《Theoretical Foundations of Chemical Engineering》2009,43(6):918-925
An analytical solution has been obtained for the mathematical model of the liquid flow pattern in an aerotank-sedimentation
tank system with recycling in the form of a dispersion dependence on the model parameters: the Peclet number and recycling
stream fraction. A technique is offered to determine the model parameters. 相似文献
67.
68.
This article reviews publications in Russian journals on mathematical modeling in chemical engineering and biotechnology. The major emphasis is on crystallization, mass transfer, and dissolution in chemical engineering processes, as well as steady and unsteady states in biotechnology. Two approaches to modeling in biotechnology are considered: structured and unstructured approaches. 相似文献
69.
70.
S. A. Kukushkin A. V. Osipov S. K. Gordeev S. B. Korchagina 《Technical Physics Letters》2005,31(10):859-861
A method of silicon carbide (SiC) deposition onto silicon via a nonequilibrium disilicon carbide (Si2C) vapor phase is proposed, theoretically described, and experimentally verified. Estimates obtained using thermochemical
calculations show that a sufficiently large number of SiC molecules, which are transported by mobile Si2C species, are obtained using this method on the silicon surface. It is established that homogeneous epitaxial SiC layers
can be grown on a Si(111) substrate surface. 相似文献