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71.
单轴-平面W型复合锶铁氧体的制备及其吸波特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用草酸盐共沉淀和微量掺杂法研制六角晶系W型Ni,Zn,Co,Al多元复合锶铁氧体,通过调节Ni2W同Co2W的摩尔比例,可使该种铁氧体易磁化方向从C单轴型向垂于C轴的平面型转化,控制置换锶铁氧体中部分Fe3 的微量掺杂Al3 ,可以调整4πMs值,提高磁晶各向异性场,测试分析了5种不同含Co量的W型复合锶铁氧体粉料涂层的吸波特性,发现其自然共振吸收峰随Co含量增加向低频方向偏移,最高吸收峰可达32.8dB,是适用于电子隐形技术的高品位的微波吸收剂。 相似文献
72.
73.
74.
The dye-sensitized TiO2 complex films were prepared by the dye coat onto TiO2 surfaces,and the sensitizing mechanism and adsorption properties of the dye-sensitized TiO2 complex films were inverstigated.The influence of the application conditions of dye adsorbed on TiO2 films on the amount of dye adsorption was discussed.Experimental results show that the concentration,the temperature of dye solutions and the dipping time of TiO2 films in the dye solutions have a significant influence on the amount of dye adsorption.Cell test indicates that the conversion efficiency of light to electricity increases with the amount of dye adsorption. 相似文献
75.
X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器 总被引:3,自引:0,他引:3
报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计,设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中,开展了关键工艺的专题研究。研究结果为:单级单片放大器在10:5-11.6GHz范围内,NF≤1.82dB,G≥7.72dB;在11.7-12.2GHz范围内,NF≤1.80dB,G≥6.8dB;双级放大器在10.4-11.1GHz范围内,NF≤1.96dB,G≥15.3dB,最低噪声系数为1.63dB,最高增益为16.07dB。 相似文献
76.
77.
C-VISION中文窗口系统综合采用了面向对象与窗口环境设计的程序方法,彻底更新了在微机上进行中文窗口设计的编程思想,同时作为一个基础系统,为软件设计节约了大量的人力和时间,实现了微机程序的共享。 相似文献
78.
进行了PAA(PolyacrylicAcid)-PSF(Polysulfone)交联复合膜的制备,研究了交联剂、添加剂对膜性能的影响,并通过扫描电镜观察了膜的断面结构.研究了PAA-PSF交联复合膜对低浓度有机醇类水溶液反渗透分离性能.发现对于1000×10-6乙醇水溶液截留率达到66.2%,透过流束可达0.9×10-6(m3·m-2·s-1).随醇的分子量的增加,截留率不断上升,对戊醇的截留率达94.3%,而透过流束则保持相对稳定.对不同结构醇类的分离性能研究表明,截留率存在有:tert->sec->iso->n-的规律. 相似文献
79.
蒙特卡罗方法在空间辐射制冷器理论分析及热设计计算中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了二级抛物面型辐射制冷器的热物理模型及用蒙特卡罗方法数值模拟解决其热流理论和辐射热耦合表面(漫发射、镜反射)辐射热交换的处理方法。 相似文献
80.
Cheol-Min Park Byung-Hyuk Min Jae-Hong Jun Juhn-Suk Yoo Min-Koo Han 《Electron Device Letters, IEEE》1997,18(1):16-18
We have fabricated a self-aligned offset-gated poly-Si thin film transistor (TFT) by employing a novel photoresist reflow process. The gate structure of the new device is consisted of two unique patterns: A main-gate and a sub-gate. The new fabrication method extends the gate-oxide over the offset region. With the assistance of the sub-gate and reflowed photoresist a self-aligned offset region is successfully obtained due to the offset oxide acting as an implantation mask. The poly-Si TFT with symmetrical offsets is easily fabricated and the new method does not require any additional offset mask step. Compared with the misaligned offset gated poly-Si TFTs, excellent symmetric electrical characteristics are obtained 相似文献