环保型隧道防火涂料的研究

介绍了国内外公路隧道、铁路隧道及地铁火灾情况 ,研制出一种可在潮湿环境中使用、火灾发生时无有害气体产生的环保型隧道防火涂料。涂层厚度 18～2 0 mm,耐火极限达 3小时。为防止涂料加水拌和后沉淀分层 ,增加涂料的和易性 ,研制出一种分散剂。     

准噶尔盆地侏罗系储集层的基本特征及其主控因素分析

从描述储集层基本特征、分析储集层性质的主控因素、建立储集层成因模式和评价、预测储集层性质这 4个层次 ,研究准噶尔盆地重点勘探目标区的侏罗系储集层。系统总结侏罗系储集层岩石学特征 ,认为成岩压实作用强弱是控制储集层性质的关键因素 ;指出相对优质储集层均为剩余原生粒间孔隙型储集层 ,溶蚀作用对渗透率贡献小 ;非煤系储集层的孔隙保存条件明显比煤系储集层好 ,这是三工河组、头屯河组和吐谷鲁群的物性普遍优于八道湾组和西山窑组的原因。在确定储集层性质的控制因素和控制机理基础上 ,建立了煤系和非煤系两大类储集层的成因 演化模型。在上述研究的基础上 ,分地区、分层位评价了储集层 ,并预测了不同渗透率储集层的深度界线及相对优质储集层的平面分布。图 6参 10     

构造作用对油气生成和运聚的影响

有机质从埋藏开始，就处于极其复杂的地球物理化学场中，环境提的能量，一是热量，二是机械能，机械能，主要是通过机械力作用传递给系统的，另外还以机械波的形式赋予系统一定的机械能。当发生断褶构造运动时，机械力对油气运移的影响尤为突出，它经能量的迁移转化，促成了包括机械力降解和地应力驱动等一系列的连锁反应，制造了一次次高效的成油（生运）事件，本文以突变论为着眼点，按照改造控制建造的思路，大胆提出构造运动制造生排烃事件，成就含油气系统的假说。     

八尺门特大桥φ2.8 m桩基施工质量控制

介绍了八尺门特大桥的工程建况、水文地质情况和施工方案的确定，并较为系统、全面地阐述了该大桥φ2.8m大直径钻孔桩的施工过程。从钢护筒沉桩到灌注过程、每道施工程序、采用的方法、质量的控制要点以及施工中的其它问题进行了较具体的讨论与分析，取得了良好的施工效果。     

金刚石膜的计算机虚拟制备技术中的分子动力学模拟

综述了近年来金刚石薄膜形成过程的分子动力学（Molecular Dynamics，简称MD）模拟研究，详细地阐述了原子间相互作用势的选取，总结了不同沉积条件下MD的计算模型和几种典型情况下的模拟结果。研究表明：在原子尺度上，MD方法能较全面地提供有关膜生长的信息，对进一步了解金刚石膜形成的微观机制以及为细观层次仿真提供基本信息均具有重要意义。     

用AT89C2051设计的PC键盘

在介绍PC键码特征的基础上,可利用AT89C2051来实现PC键盘的硬件设计.它具有结构简单、选择性强、便于实现等优点,特别适用于36个以下PC键盘的应用.     

网络化制造中基于STEP-NC的编程方法

STEP-NC是由欧美提出的新的数控接口标准，目的是取代旧的数控标准ISO6983。本文首先分析了STEP-NC的两种应用标准：ISO14649（ARM）和STEPAP238（AIM），并且分析了Part21和Part28的应用领域及Part21文件格式和其中的信息产生方法。然後介绍了ST-Developer环境下ROSEC＋＋颠库编程接口及其应用程序的早、晚编联方式，并且以此为基础设计了整个程序的编程流程，重点介绍了工艺规划设计。最后给出了在C＋＋编程环境下利用ROSE库函数写入形成STEP AP238文件的方法。     

有机锡催化、无中和水洗合成DOP

以有机锡(Fascat4102)作催化剂,苯酐和辛醇(2-乙基己醇)酯化反应生成邻苯二甲酸二辛酯(DOP),其最佳工艺条件为:酯化温度215～225℃,催化剂加入量2.0‰,过量醇含量17%,脱醇真空为20KPa(绝压),脱醇温度为155℃,活性炭加入量为1‰,省却中和水洗和汽提工序,产品质量可以达到优级品.     

如何掌握印刷压力

<正> 一、印刷压力的概念与作用 印刷的过程,从某种意义上讲,是解决油墨与纸张之间矛盾的过程。要将印版上图文处的油墨转移到承印物上,就必须施加一定的力,即所谓的印刷压力。它在印刷中具有重要的作用。 1.保证粗糙的印刷面完全接触 纸张、橡皮布、印版的表面均成粗糙微孔状。对这些粗糙表面,必须在一定的压力作用下,使其受     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively