工艺系统刚度产生的误差原理与分析

根据对工艺系统受力变形的分析 ,阐述了工艺系统刚度对零件加工精度的影响 ,并简要提出了提高工艺系统刚度的办法     

模糊规划在炼油厂生产计划优化中的应用

生产计划的编制是炼油化工企业生产经营管理中的一个关键环节，然而由于市场变化的不确定性，使得企业的长远规划制定受到限制，笔者将模糊数学应用于炼厂生产计划的编制，通过模糊规划对炼油企业生产计划进行优化，使编得的生产计划在一定程度上反映市场的变化并使企业的生产效益最优，为企业管理决策者进行长期规划给予指导，给出了实例来说明该方法的可行性。     

中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。     

多时滞Lotka-Volterra互惠系统周期正解的存在性

用重合度理论研究具时滞非自治Lotka-Volterra互惠系统，获得了周期正解的存在性，推广了Gopalsamy及He(1997)的结果。     

聚苯乙烯溴代并接技聚二甲基硅氧烷

聚苯乙烯（PS）在苯溶液中与溴代丁二酰亚胺（NBS）反应，经分离提纯得到了固体溴代聚苯乙烯（PSB）。将所得PSB溶于苯并与低分子量的聚二甲基硅氧烷硅醇锂（PDMSOLi）反应，经分离提纯得到固体的溴代聚苯乙烯接枝聚二甲基硅氧烷（PSB－g-PDMSO),所得PSB-g-PDMSO的结构经^1H-NMR、IR及TEM表征。     

EPON媒体接入控制的关键技术研究

文章简要介绍了基于以及太网的无源光网络（EPON）这种新型的接入网技术，将其与基于ATM技术的无源光网络（APON）的优缺点进行了比较，并对其媒体接入控制（MAC）的关键技术测距及上行接入进行了讨论，初步提出了光网络单元（ONU）的软、硬件实现方案。     

On teletraffic applications to OBS

We provide teletraffic models for loss probability evaluation of optical burst switching (OBS). We show that the popular Engset formula is not exact for OBS modeling and demonstrate that in certain cases it is not appropriate. A new exact model is provided. The various models are compared using numerical results for various OBS alternatives with and without burst segmentation.     

硫氰酸钠湿纺腈纶设备的孔蚀与防护

本文重点讨论了硫氰酸钠湿纺腈纶设备因钝化膜缺陷和Cl-侵入而产生孔蚀的机理及环境因素对孔蚀的影响,并针对产生孔蚀的主要原因提出了防护措施。     

弹药内弹道性能检验新方法数学模型的建立

本文对弹药内弹道性能检验的传统方法存在的问题进行了分析,提出了一种新的检验方法,重点对新的检验方法的数学模型的建立过程进行了论述。并对数学模型的精度进行了分析、检验和验证。     

Transient hot-electron effect and its impact on circuit reliability

Transient hot-electron effect and its impact on circuit reliability are investigated. The rate of device decay is monitored as a function of the gate pulse transient period. Simulation results reveal that excess charges during a fast turn off time may cause an increase in the maximum substrate current. This, along with our experimental data, identifies that transient excess carrier may cause the enhancement of device degradation under certain stress conditions. The enhancement factor of the degradation is a function of the gate pulse transient time. Correlation between the analysis based upon AC/DC measurement and calculations based upon transient simulation are shown in the paper. Better agreement with experimental data is obtained by using the transient analysis and on chip test/stress structures. The correlation between AC and DC stress data is also shown based on the impact ionization model. A hot-electron design guideline is proposed based on the circuit reliability analysis. This guideline can help improve the circuit reliability without adversely effecting the circuit performance.