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111.
文章介绍了油气组分综合评价仪的工作原理,建立了油气组分综合评价仪的分析方法及油气组分综合评价资料的解释方法。 相似文献
112.
113.
西气东输放空系统的设计与研究 总被引:1,自引:0,他引:1
论述了石油天然气行业中的放空系统工作原理,研究了西气东输采用的放空点火系统特点,讨论了放空立管的计算模型,提出了比较符合实际情况的计算模型,指出在桅杆结构的计算分析中,应该考虑钢丝绳的弹性支撑作用。钢丝绳的弹性支撑作用对结构的周期计算、风荷载导算、地震作用的计算都有较大的影响。 相似文献
114.
115.
选取具有代表性的碳钢、不锈钢、镀锌碳钢、铝、钛和铜挂片,在某企业不同部位投放后进行为期半年的大气腐蚀试验,得出了在半年期中的腐蚀规律。在此基础上,对每种金属材料的腐蚀特点进行总结,并对大气腐蚀的各种影响因素进行分析,提出了行之有效的防护措施。 相似文献
116.
营尔凹陷下白垩统油气勘探应避开高压水层 总被引:1,自引:0,他引:1
营尔凹陷下白垩统(K1)存在下沟组和赤金堡组2套源岩,目前它们已到成熟阶段。凹陷东侧长沙岭构造在下白垩统下沟组和赤金堡组储层中也发现油藏,但主要分布在高压水层的顶部及下部,而高压水层段存在良好的储层,并未发现油气。文章根据高压水层段的储层荧光特征,通过储层烃与源岩的对比,分析了下白垩统高压水层对油气运移的影响。研究结果表明:高压水层段,储层荧光弱,储层抽提物特征既不同于赤赤金堡组源岩,也不同于下构组源岩,为就近捕获的产物;高压水层未发生大规模的油气运移,其形成时间早于油气运移的时间。建议该区油气勘探目标的选择应避开高压水层,选择凹陷附近的圈闭、高压水层以下的层位。 相似文献
117.
碳酸盐岩的孔隙类型多,孔径变化范围大,孔隙系统结构复杂,研究难度大。长期以来,是利用光学显微镜法、毛细管压力分析法、岩石孔隙系统复制法和图像分析仪法等方法或其中几种方法配合来研究碳酸盐岩孔隙系统。随着计算机图像技术的迅速发展和日益完善,借助该项技术通过碳酸盐岩孔隙系统数字图像来研究碳酸盐岩孔隙系统已经成为现实。文章提出一种研究碳酸盐岩孔隙系统数字图像的新方法。通过样品光薄片的光学显微镜(OM)数字图像和环境扫描电子显微镜(ESEM)数字图像二值化识别孔隙;构造孔隙度、孔隙贡献率和孔隙形状参数的计算公式用于数字图像分析,得到孔隙大小分布和孔隙形状分布。在此基础上,总结碳酸盐岩孔隙参数对其渗透率的控制作用。与传统的孔隙系统研究方法相比,该方法与计算机图像技术紧密结合,具有定量、快速的明显优势。 相似文献
118.
燃气管网动态仿真的研究及应用 总被引:2,自引:0,他引:2
研究和了解燃气在管道中的流动,是进行燃气管网系统优化和提高管网输运系统安全性的前提和基础。以流体力学三大守恒方程为基础,建立了等温和非等温条件下的燃气管网稳态和动态仿真理论模型。以有限差分法为基础,得到了上述模型的求解方法,并加入了耗散项,提高了求解方法的稳定性。通过增加初始点和延长出口点的方法,简化了模型的求解。通过在北京六环天然气管网中的初步应用,分别得到了与实际值综合相对误差为1.21%和2.62%的压力和流量仿真值,从而验证了模型及求解方法的可靠性。 相似文献
119.
为了提高现代网络信息传输的安全性,利用无理数小数点后数字的无穷性、无规律性、分布均匀性,提出一种全新的加密算法,并用它所产生的密钥流进行数字签名,实现身份验证不可抵赖、信息传输无篡改,确保信息传输的完整性、真实性,达到提高加密效率、相互认证的效果。 相似文献
120.
A self-assembly patterning method for generation of epitaxial CoSi2 nanostructures was used to fabricate 50 nm channel-length MOSFETs. The transistors have either a symmetric structure with Schottky source and drain or an asymmetric structure with n+-source and Schottky drain. The patterning technique is based on anisotropic diffusion of Co/Si atoms in a strain field during rapid thermal oxidation. The strain field is generated along the edges of a mask consisting of 20 nm SiO2 and 300 nm Si3N4. During rapid thermal oxinitridation (RTON) of the masked silicide structure, a well-defined separation of the silicide layer forms along the edge of the mask. These highly uniform gaps define the channel region of the fabricated device. The separated silicide layers act as metal source and drain. A poly-Si spacer was used as the gate contact. The asymmetric transistor was fabricated by ion implantation into the unprotected CoSi2 layer and a subsequent out-diffusion process to form the n+-source. I–V characteristics of both the symmetric and asymmetric transistor structures have been investigated. 相似文献