基于扩展二次同余码/单重合序列的二维光码分多址系统仿真

基于扩展二次同余码/单重合序列(EQC/OCS),利用光纤布拉格光栅(FBG)和光纤延迟线作为编解码器,对二维非相干光码分多址(OCDMA)系统进行系统仿真。通过软件仿真,实现了4个用户的EQC/OCS码字的解码相关输出结果。结果表明,低成本的FBG编/解码器实现了EQC/OCS码字的编码和相关解码,提高了二维OCDMA系统容量。     

偏振耦合测试及其振动干扰信号分析

理论分析了偏振模式耦合的原理,给出了基于白光干涉的偏振耦合检测方法。通过步进电机控制迈克耳孙干涉仪扫描臂的反射镜移动,改变干涉仪两臂之间的光程差(OPD),补偿了由于偏振耦合而形成的两偏振光从保偏光纤(PMF)出射时的光程差,实现了对保偏光纤的偏振耦合强度和位置的测试。扫描过程中扫描臂反射镜的振动会对输出信号产生不良影响,对此振动信号进行了仿真及实验研究,分析了它对输出信号的影响。在不同的扫描速度下,采用Hilbert变换和最小二乘高斯非线性回归分析提取白光干涉包络,求解耦合强度,验证了振动信号的幅度和频率与扫描速度有关,以及它对耦合强度检测精度的影响。结果表明该测试系统动镜的扫描速度在0.7～0.9mm/s时,偏振耦合强度的检测误差最小。     

飞秒激光脉冲序列互相关的数值模型与分析

为研究飞秒激光超短脉冲序列在空气中传输的时间相干特性,根据飞秒脉冲序列的传播理论和空气折射率Ciddor公式,建立了飞秒激光脉冲序列间脉冲在空气中传播的互相关数值模型。根据该模型可以得到不同光谱分布、不同光程差和不同大气条件下的飞秒脉冲序列间脉冲的互相关图形。数值模拟结果表明随着脉冲间光程差的增大,由于色散的原因,互相关图形加宽和啁啾,并且峰能量减小;然而当光程差不变,仅改变大气条件时,互相关图形仅仅作线性移动,没有任何额外线性加宽或啁啾。飞秒光学频率梳具有非常高的时间相干性,并且飞秒脉冲间的互相关图形只取决于激光器光源的光谱分布。     

锗硅器件高频噪声的去嵌算法研究

提出了一种"开路-直通"的级联结构的二端口网络的晶体管高频噪声去嵌结构以及与此相关的基于噪声相关性矩阵的去嵌方法。和传统的需要配备两个"直通"结构的方法相比较,该结构及方法在版图配合的基础上,只需要使用一个"开路"结构和一个"直通"结构,而且多个不同尺寸的被测试器件结构可以共用一个直通去嵌测试结构进行测试及去嵌,结果显示,使用该方法测试及去嵌后的精度几乎不受影响。该方法的意义在于能极大地减少硅片上直通去嵌测试结构的数量从而节省硅片面积;同时,又减少了测试时间、提高了测试效率,极大地降低了成本。     

基于2051单片机的激光对抗模拟器设计

介绍了以2051单片机为控制核心的激光对抗模拟器的结构及设计原理,具体阐述了其发射、接收处理、声光报警装置、供电电路的原理及电路实现,并说明了2051的协调处理过程。     

螺旋氙灯泵浦钛宝石激光器

本文报道了螺旋氙泵浦宝石激光器的特性,获得斜率效率0．078％、最大能量148．3毫焦的激光输出。并对不同实验条件下激光输出结果作了实验研究和定性分析。     

MEMS光开关及主要工艺技术的研究

光开关是实现全光网络的核心技术之一,目前光开关采用的主要技术方案有MEMS、铁电液晶、气泡、热光、全息、声光、热毛细管等,其中MEMS光开关因具有体积小、集成度高、能大规模生产等优点成为光开关研究的关键之一。本文对MEMS光开关的类型、特点及研究现状进行介绍,并重点对MEMS光开关涉及的工艺技术进行研究,认为工艺问题是MEMS光开关研究成败的关键。     

自动步枪激光模拟射击系统

介绍一种自动步枪激光模拟射击系统,它具有弹着点实时显示、实时语音报靶及成绩统计等功能,射击精度高,电脑显示弹着点与实际位置误差小于2mm;为射击训练提供一种安全、高效、仿真(使用空包弹)激光模拟射击训练系统。     

输尿管开口囊肿、狭窄及膀胱颈部挛缩的HO:YAG激光治疗

目的利用HOYAG激光的软组织切割及止血作用,对输尿管开口囊肿、狭窄及膀胱颈部挛缩的患者行激光治疗,并观察疗效.方法采用HOYAG激光对6例输尿管开口囊肿,15例输尿管开口狭窄(其中3例合并输尿管结石),32例膀胱颈部挛缩进行治疗,观察术中出血、术后并发症、膀胱挛缩患者手术前后Qmax.结果总计53例患者通过HOYAG激光治疗,均获得满意临床疗效,术中几乎无出血,输尿管开口囊肿及狭窄患者,术毕能顺利留置F7双猪尾巴导管.膀胱颈部挛缩患者术后最大尿流率提高了7.6ml/s(7.2～14.8ml/s).结论HO;YAG激光对输尿管开口囊肿、狭窄及膀胱颈部挛缩是一种行之有效的治疗方法,且无出血,易于操作、安全、恢复快.尤其是输尿管结石合并输尿管开口狭窄患者,可通过HOYAG激光一次手术解决.     

FORWARD GATED-DIODE R-G CURRENT METHOD:A SIMPLE NOVEL TECHNIQUE FOR CHARACTERIZING LATERAL LIGHTLY DOPING REGION OF LDD MOSFET’s

 This paper presents a simple novel technique-forward gated-diode R-G current method-to determine the lateral lightly-doped source/drain (S/D) region interface state density and effective surface doping concentration of the lightly-doped drain (LDD) N- MOSFET’s simultaneously. One interesting result of the numerical analysis is the direct characterization of the interface state density and characteristic gate voltage values corresponding to LDD effective surface doping concentration. It is observed that the S/D N- surface doping concentration and corresponding region’s interface state density are R-G current peak position and amplitude dependent, respectively. It is convincible that the proposed method is well suitable for the characterization of deep sub-micron MOSFET’s in the current ULSI technology.