全文获取类型
收费全文 | 141篇 |
免费 | 1篇 |
国内免费 | 3篇 |
专业分类
电工技术 | 10篇 |
综合类 | 10篇 |
化学工业 | 4篇 |
金属工艺 | 7篇 |
机械仪表 | 38篇 |
建筑科学 | 2篇 |
轻工业 | 2篇 |
石油天然气 | 4篇 |
武器工业 | 2篇 |
无线电 | 44篇 |
一般工业技术 | 9篇 |
冶金工业 | 1篇 |
原子能技术 | 1篇 |
自动化技术 | 11篇 |
出版年
2014年 | 3篇 |
2012年 | 3篇 |
2011年 | 8篇 |
2010年 | 6篇 |
2009年 | 4篇 |
2008年 | 2篇 |
2007年 | 2篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 2篇 |
2004年 | 25篇 |
2003年 | 13篇 |
2002年 | 10篇 |
2001年 | 5篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 5篇 |
1998年 | 13篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 6篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 5篇 |
1992年 | 10篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 2篇 |
1972年 | 3篇 |
排序方式: 共有145条查询结果,搜索用时 31 毫秒
71.
位置PID控制在望远镜控制系统中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文分析了位置控制在望远镜控制系统中的应用。并详细介绍了位置PID控制在望远镜控制系统中的设计方法与步骤。实验表明采用位置PID控制方法可以改善望远镜的控制性能,达到更高的控制精度。 相似文献
72.
论述了长度计量仪器示值误差表达式±(A+B·L)和准确度表达式(A+B·L)及其区别。给出了系数A和B的推求方法,并讨论了表达式与《GB1800—79公差配合》中标准公差的匹配关系。 相似文献
73.
74.
75.
85W高稳定全固态绿光激光器的研究 总被引:7,自引:3,他引:4
研究了平均功率达 85W高功率高稳定性全固态绿光激光器 ,从理论上分析了全固态内腔倍频晶体热效应相位失配对输出功率的影响 ;数值模拟了倍频晶体内部的热量分布 ,计算了倍频晶体相位匹配角随温度变化的失配量。在实验中 ,采用 80个 2 0W的高功率半导体激光器侧面抽运单Nd∶YAG棒 ,采用双声光Q开关、高效平凹谐振腔结构 ,对大尺寸KTP晶体进行角度偏离法补偿相位失配并配合强冷却等技术 ,实现高功率内腔倍频激光器的稳定运转 ;在抽运电流为 17 3A时 ,实现了重复频率为 2 0 4kHz,脉冲宽度 2 30ns,输出功率为 85W的高功率、高重复频率绿光 ( 5 32nm)输出 ,不稳定性为± 1 0 3% ,光 光转换效率为 9 7%。 相似文献
76.
介绍了检维修工程任务单的填写状况,分析了手写方式的不足,利用Excel中内嵌的VBA语言开发工程任务单打印程序,根据人员、装备情况,确立程序的设计思路和系统的设置,编写出具体的功能代码,实现了工程任务单打印的功能。程序应用后,提高了工作效率,并减少了差错漏洞。 相似文献
77.
DSP在仪器仪表领域的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
DSP在国内外应用广泛,是硬件设计的优秀IC。本文就DSP应用在食品仪表领域作出具体的描述,为科研人员提供DSP-TMS320F2810在这方面的应用参数和功能。 相似文献
78.
一种采用CCD的数字式水平仪研制 总被引:1,自引:0,他引:1
利用CCD线列传感器,借助光电转换的原理,研制了一种新型的数学式水平仪,该水平仪采用直接的数字信号输入,避免了A/D转换的环节,很好的解决了现有电子式水平仪反应时间长的缺点,同时采用单征机作为处理器,使其具有较好的再开发能力,适用于各种应用场合。 相似文献
79.
An accurate and simple model of stacking fault energy for alloys (solid solutions) has beendeveloped based on the embedded-atom method. The calculated value of stacking fault energy35 mJ/m2 for 304 austenitic stainless steel, is in a good agreement with the experimental one,30 mJ/m2. In the present model we find that the Hirth's empirical relationship is also suitablefor alloy. 相似文献
80.
光刻技术是发展超大规模集成电路的关键技术。光刻线宽随着DRAM集成的提高而进一步变细,现已突破了0.35微米的屏障。本文论述了曝光系统中镜头的数值孔径,曝光射线的波长及抗蚀剂特性对光刻1微米线宽或亚微米线宽的重要影响。 相似文献