长波红外焦平面材料技术的进展与新途径

评述长波红外焦平面阵列技术的进展,介绍一种适合于发展长波红外焦平面阵列的新材料—InAsSb 应变层超晶格及其生长技术、发展背景、目前现状,生长这种材料用的分子束外延和有机金属化学汽相淀积工艺及其这种材料的发展前景。     

拉曼-纳斯衍射声光Q开关的实验研究

实验研究了拉曼-纳斯(R-N)衍射的声光相瓦作用长度与声波光波参数之间的关系,确定了最佳声光相互作用长度.在此基础上,分别设计以水和TeO2晶体为声光介质的R-N衍射Q开关器件,测量了器件的衍射效率、衍射角和插入损耗等参数.应用TeO2晶体开关器件调制长脉冲Nd:YAG/KTP激光器,当重复频率为10 kHz时得到了脉...     

基于优化过滤策略的XML数据查询处理

如何高效地处理XML查询,是目前研究的热点。由于当前方法存在过多扫描无用节点引起效率下降的问题,本文设计了一种XML数据的二级索引结构,基于该结构给出路径查询处理算法。首先,本文对XML模式中每个节点按路径类型进行分类编码,然后把每个节点按该编码进行聚类存储。在查询时,就可以先根据模式信息和查询信息得到目标节点的编码,然后只需将二级索引中这些编码对应的部分载入内存,进行过滤操作。这样就不必扫描整个索引,提高CPU和IO效率。本文还对二级索引结构进行扩展,使本文的过滤索引能方便应用在有分支结构的查询上。实验结果表明,本文的XML数据过滤算法效率优于基于Bit vector的过滤算法,并且索引结构所需要的存储空间也小于Bitvector索引。     

隐喻逻辑的研究进展

讨论了当今隐喻逻辑这一研究领域中存在的一些主要问题.对这一领域的一系列思想进行评述.得出的结论是,隐喻逻辑的建立离不开对一些隐喻赖于存在的根本逻辑的建立,如相似和理解的逻辑描述,以便使隐喻逻辑更加严密和完整.     

钨硅化物砷化镓Schottky接触的形成和特性

本文报道了钨硅化物-砷化镓Schottky接触的形成过程和电学特性.实验表明,WSi_x/GaAs Schottky接触具有优越的I-V特性,势垒高度保持在0.8V,理想性因子实际上保持在1,并具有高温稳定性.研究表明,除了硅化物的成份,表面处理工艺和硅化物淀积技术也将对Schottky接触的I-V特性和热稳定性产生强烈的影响.本文提出利用对GaAs衬底的溅射腐蚀和在淀积过程中加以负的衬底偏置能显著地改进金属层与衬底的粘附性.     

电力电子可靠性的关键—材料特性

电力电子器件的寿命主要由完成其功能过程中大量的热循环所决定。热膨胀系数(CTE)的不同引起材料的疲劳和老化,这样的过程在有功循环和环境或者介质冷却所引起的循环中都会发生。为了理解由于热循环产生的载荷和引起的老化机理,提出了热机械模型以评估材料特性。本文介绍了焊接线剥离故障和大面积焊点处的裂纹扩展两种情况下的模型和计算结果。结果与实验数据相吻合。     

一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法

亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.     

Littrow型光栅外腔半导体激光器的输出特性分析

在讨论光栅外腔半导体激光器理论的基础上.对影响Littrow型光栅外腔半导体激光器输出功率和线宽压窄的各种因素进行了数值模拟分析.研制了单纵模高质量激光输出的Littrow型光栅外腔半导体激光器,在工作电流为400 mA时,连续输出功率达到180 mW,线宽优于1 MHz.     

二维离子注入的改进模型及数值模拟

本文提出了一个改进的二维离子注入模型.对于在任意形状掩蔽边界下的离子注入分布,我们在纵向采用联结的半高斯分布或修改过的Pearson-IV分布,在横向采用余误差函数分布,并且考虑了在多层掩蔽情况下各种材料阻止本领的不同.利用这一模型发展起来的离子注入模拟器能连续计算多次不同能量、剂量和杂质类型的注入分布,并考虑了多种不同掩蔽边界的影响.通过与其它工艺模拟器的比较,表明我们的模拟器在精度和功能上都有明显的改进.     

探测功率10^—10W的光电器件的计算与设计

本文计算和比较了 Ge、Si、GaAs 器件的热噪声、信号电压、信/噪比、得到了制造功率为10~(-10)W 光电探测器的有效途径和实验方案。认为采用 P~+型衬底、外延高阻 P 型 Si、或用电阻率2Ω-cm 的 P 型 Si,制作光电倍增(雪崩)二极管,可以探测最小功率为10~(-)W,此时信/噪比达到1:4,电流灵敏度可提高10倍。