基于C6711处理器cdma2000 1X系统前向信道信号的处理

在cdma20001x前向信道中,要对一段信号进行传送,一般选用QPSK调制,因为QPSK调制比QAM更适合噪音环境。采用TI6000系列的TMS320C6711芯片处理前向信道信号,可以对复杂性和实时性较高的信号做采集、量化、编码、调制等实时处理,主要功能通过软件编程实现,从而使系统具有结构灵活、可靠性高、可扩展等优点。     

利用补充分组编码降低MIMO-OFDM系统峰均比

多输入多输出正交频分复用（MIMO—OH）M）系统已成为第四代移动通信系统研究中的热点，而OFDM系统产生的高峰均功率比（PAPR）是限制MIMO—OFDM技术实用化的主要障碍之一。详细介绍了补充分组编码技术的基本原理，并通过仿真与测试的结论与其他编码技术进行了比较，验证了此编码技术对降低峰均功率比确实具有很好的效果。     

引入激光回馈的双光束干涉效应的研究

提出了一种引入He-Ne激光回馈的双光束干涉系统,并在理论和实验两方面进行了研究。实验中对系统中的干涉信号及激光器尾光功率变化同时进行探测。发现当干涉仪的主回馈镜移动时,激光器尾光信号是正弦形波形,而干涉仪输出的是以双峰为一个周期的信号,双峰中一峰总是高于另一峰,并且当主回馈镜移动方向改变时,同一周期中两峰出现的顺序也随之改变。对实验现象进行了理论分析,并模拟出干涉信号及激光自身功率的变化曲线。理论分析及模拟结果与实验结果完全吻合。讨论了利用发现的现象进行测量的可行性,所提出的测量方法易于实现。     

不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响

从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。     

基于保护分散式抽象方法的可扩展操作系统设计

为了提供高性能和柔性，操作系统内核应该只保留最小的功能，今天的操作系统大而低效，更缺乏柔性，我们提出了保护分散式操作系统抽象方法，集成了分散式操作系统抽象和保护抽象的方法，这种新的安全方式在分散式抽象系统里共享用户级的抽象，能够使非特权，不信任的任务在运行时定义并安全的共享生成的抽象，它在对相同的抽象重复调用时，通过消除上下文切换的需求和对通常情况进行优化，可获得较好的柔性，保护分散式抽象的设计强调简单并正确性证明，易于理解和使用，文章介绍了保护分散式操作系统抽象方法，并运用该方法开发了一个基于共享库的原型操作系统－ExLinux/LibOS.     

激光水下成像技术及其进展

介绍了近年发展起来的三种主要的激光水下成像方法，即常规水下激光成像、高分辨率水下激光三维成像和偏振激光成像，分析了它们各自的工作原理、特点以及各自的发展状况。     

三峡三期工程主坝大体积混凝土内部温度控制

三峡右岸三期工程施工中,为了有效控制坝体大体积混凝土内部温升,采取了高温季节使用预冷混凝土浇筑、控制混凝土出机口温度及浇筑温度、对混凝土内部人工通水进行初冷、中冷和后冷等措施。三峡三期工程大坝混凝土内部温度没有出现超标现象,混凝土温控工作取得了良好的效果。     

目标RCS动态数据的分布特征研究

复杂目标在不同视向的RCS分布特征是不同的，传统模型对此都没有给出详细的结果。文中以某歼击机和直升机为对象，应用X^2。分布、对数正态分布和瑞利分布模型，以及Kolmogomv拟合优度检验方法，研究其RCS动态测量数据的统计分布特征，得到了在一定显著性水平下，两种目标在不同视向角下对三种模型的拟合效果，同时得到应用X^2。分布拟合时模型半自由度随视向角的分布情况。在显著性水平为0．05时，对于在较短时间内录得的复杂目标动态RCS数据，应用X^2分布可以取得较好的拟合效果。文中结果精确地描述了目标RCS的起伏特征，能够为目标回波的精确模拟与检测提供可靠的依据。     

氟塑料—石墨板式换热器在高温强腐蚀换热工况中的应用

通过氟塑料－石墨板式换热器在化纤生产中高温强腐蚀换热工况中的实际应用，并与常规换热器的使用情况的对比分析，阐述了这种新型换热设备的特点。     

GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.