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81.
利用传输矩阵法研究了含向列相液晶缺陷层的一维阶梯型Double-period第四代准周期结构缺陷模的电场方向调控特性。分析了外加电场方向和正入射波方向间夹角θ与缺陷模的位置、品质因子、空间位置光场分布的变化关系,最后探讨了缺陷模的品质因子对光场强度的影响。结果表明:随着夹角θ的逐渐增大,缺陷模的位置向短波方向移动,缺陷模波长的调控量为84nm;随着夹角θ的逐渐增大,缺陷模的品质因子逐渐增大;缺陷模在空间位置的光场分布呈现出局域现象,随夹角θ的增大,空间位置的光场强度逐渐增强;缺陷模的品质因子与光场强度成正比关系。  相似文献   
82.
Moving object detection and extraction are widely used in video surveillance and image processing. In this paper, we present a fast method for moving object detection. We use weights of the Gaussian distribution as decision factors, update parameters of the Gaussian mixture model if its values are smaller than that of those not belonging to the background; otherwise, no updates are done. It improves the existing methods by updating the Gaussian mixture model selectively. Experimental results on various scenes of video surveillance show that computation time of the proposed method is reduced.  相似文献   
83.
Polydimethylsiloxanes (PDMS) foam as one of next-generation polymer foam materials shows poor surface adhesion and limited functionality, which greatly restricts its potential applications. Fabrication of advanced PDMS foam materials with multiple functionalities remains a critical challenge. In this study, unprecedented self-adhesive PDMS foam materials are reported with worm-like rough structure and reactive groups for fabricating multifunctional PDMS foam nanocomposites decorated with MXene/cellulose nanofiber (MXene/CNF) interconnected network by a facile silicone foaming and dip-coating strategy followed by silane surface modification. Interestingly, such self-adhesive PDMS foam produces strong interfacial adhesion with the hybrid MXene/CNF nano-coatings. Consequently, the optimized PDMS foam nanocomposites have excellent surface super-hydrophobicity (water contact angle of ≈159o), tunable electrical conductivity (from 10−8 to 10 S m−1), stable compressive cyclic reliability in both wide-temperature range (from −20 to 200 oC) and complex environments (acid, sodium, and alkali conditions), outstanding flame resistance (LOI value of >27% and low smoke production rate), good thermal insulating performance and reliable strain sensing in various stress modes and complex environmental conditions. It provides a new route for the rational design and development of advanced PDMS foam nanocomposites with versatile multifunctionalities for various promising applications such as intelligent healthcare monitoring and fire-safe thermal insulation.  相似文献   
84.
设计并制备了一种斜条脊波导结构压应变高偏振度多量子阱超辐射发光二极管.设计的脊波导出光面TiO2/SiO2四层宽带增透膜的TE模式反射率约为10-6,分析了脊波导角度偏差和膜层厚度偏差对增透膜反射率的影响.实验结果表明,在250 mA直流电流驱动下,所设计的超辐射发光二极管芯片单管输出功率可达22.7 mW,出射光谱FWHM约为37.3 nm,光谱纹波系数低于0.15 dB,TE模式输出光强占主导,偏振度约为19.2 dB.  相似文献   
85.
姜坤 《电子测试》2021,(6):13-14
本设计以AT89C52单片机为控制核心,进行温度采集,信息显示和执行器控制.AT89C52是SST在美国推出的高度可靠的小扇区FLASH微控制器.具有72KB的超级闪存和1KB的RAM.RAM的进一步扩展可以满足嵌入式系统的操作系统操作条件.通过使用AT89C52单片机和新型测温装置设计多点温度控制加热控制系统,并根据...  相似文献   
86.
李坤  李成攻 《电子技术》2012,39(4):35-37
鸟类危害已严重地威胁着电力系统及网络的安全运行,为保证输电线路安全稳定的运行,设计了一种基于多普勒检测技术的智能驱鸟器。该装置由太阳能供电,利用多普勒技术对飞鸟进行检测。白天利用语音信号、机械臂驱鸟,夜晚利用发光二极管和超声信号驱鸟。经试验证明,驱鸟效果良好,可有效减少输电线路的鸟害故障,具备故障显示功能,并且具有成本低,免维护,可靠性高等优点。  相似文献   
87.
文章认为满足2G/3G/4G/WLAN四网融合业务的多样性、多业务等级、高品质要求,需要建设能够实现宽带接入的光载无线分布式天线网络。为了实现低成本、高性能、多业务融合接入的光载无线(ROF)分布式天线网络,文章基于商用的千兆以太网光器件,设计了低成本、宽带的光收发模块;利用光损耗和受激布里渊散射(SBS)效应对链路传输性能的影响,基于激光器线宽展宽技术,抑制了受激布里渊散射效应;采用副载波复用技术,实现了点到点的多业务混合传输;采用粗波分复用技术,实现了点到多点的多业务分布式传输。  相似文献   
88.
目标自动识别是图像处理领域的研究热点。针对现有方法的不足,该文提出一种新的基于分等级对象语义图模型的复杂目标自动识别方法。该方法通过构建分等级对象语义图模型增强对目标与背景间、目标部件间语义约束的利用,引入置信对象网络统计局部特性,利用消息机制传递对象间相互影响,实现概率语义分析。训练中还将产生式和判别式方法结合,提高了目标识别的准确度。在自然和遥感部分目标类别数据集上的测试结果表明,该方法能完成对多种类型和复杂结构目标的识别和提取,具有一定的实用价值。  相似文献   
89.
陈健  高赟  王昆 《电子工程师》2012,38(1):30-32,57
无线监控技术借助于计算机和无线通信技术使生产管理或者调度人员可随时了解工业现场的设备运行状况,实现对生产现场的实时监控.本文根据监控系统的基本要求,对基于紫峰(ZigBee)的无线监控装置进行研究与设计,该装置以芯片CC2430为核心,可实现模拟量和数字量的采集,并以无线方式将其传送至上位节点,还能接收上位机的控制命令.实验结果表明,该无线监控装置达到了设计要求,实现了无线监控的基本功能.  相似文献   
90.
本文提出了一种超低比导通电阻(Ron,sp) SOI槽栅凹漏MOSFET(TGRD MOSFET)。正向导通时,槽栅和凹漏的结构增加了导电区域,缩短了电流流经的路径,从而降低了比导通电阻。并且此结构中采用了RESURF结构提高了漂移区浓度,进一步降低了比导通电阻。当TGRD MOSFET的半个元胞尺寸为6.5μm时,它的击穿电压为97V,Ron,sp为0.985mΩ.cm2。与SOI槽栅MOSFET(TG MOSFET)和常规MOSFET(Conventional MOSFET)相比,在相同的BV下,TGRD MOSFET的Ron,sp分别地降低了46%和83%。或者在相同的Ron,sp下,与SOI槽栅槽漏MOSFET(TGTD MOSFET)相比, BV提高了37%。  相似文献   
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