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991.
992.
Gallium-titanium-zinc oxide(GTZO) transparent conducting oxide(TCO) thin films were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering. The dependences of the microstructure and optoelectronic properties of GTZO thin films on Ar gas pressure were observed. The X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy(SEM) results show that all the deposited films are polycrystalline with a hexagonal structure and have a preferred orientation along the c-axis perpendicular to the substrate. With the increment of Ar gas pressure, the microstructure and optoelectronic properties of GTZO thin films will be changed. When Ar gas pressure is 0.4 Pa, the deposited films possess the best crystal quality and optoelectronic properties. 相似文献
993.
994.
研究了Si^+和Si^+/As^+注入到Horizontal Bridgman(HB)和Liquid Encapsulated Czochralski(LEC)方法制备的半绝缘GaAs衬底电激活效率与均匀性。结果发现:在相同条件下(注入与退火),不同生长方法的半绝缘GaAs衬底电激活不同,通常电激活HB〉LEC,HB SI--GaAs(Cr)(100)A面〉(100)B面,Si^+/As^+双离子 相似文献
995.
996.
本文针对快跳频系统在部分带干扰下的分集合并接收技术进行了研究,提出了自适应抗干扰Clipper分集合并算法.文中,着重分析和计算了自适应抗干扰Clipper接收机的最佳量化电平,并将该系统的性能与其它分集合并技术在干扰环境中的性能进行了比较.文章表明,自适应抗干扰Clipper分集合并接收机可对干扰功率和受干扰频率数进行估计,并在此基础上自适应调整Clipper门限,从而有效地改善了系统的抗干扰性能. 相似文献
997.
为提高波长交错滤波器(interleaver)带宽的利用 率,提出了基于一字型3×3和2×2光纤耦合器组成 全光纤马赫-曾德尔干涉仪(MZI)型不等带宽波长交错滤波器(interleaver)的设计方案。运 用光纤传输理论 和矩阵理论,得到滤波器输出谱的表达式;依据傅里叶级数的理论,优化选择器件的结构参 数;数值 模拟分析了器件的输出特性。结果表明:两个耦合器的耦合系数和光纤干涉臂长差取一些定 值时,器 件主要的两路输出带宽不等,它们的3dB带宽分别为31.5和 65.6GHz,满足不同传输速率10和40Gbit/s对带宽的要求,较等带宽interle aver有更高的利用率;通过分析器件结构参数对输出谱的影 响,发现器件具有一定的抗偏差能力;与普通的级联MZI型interleaver相比,新型器件的优 点是耦合 器少,在实际制作时可准确控制和检测耦合器的分光比,从而降低了制作难度。实验结果与 理论分析相吻合。 相似文献
998.
999.
在此介绍了小数分频锁相频率合成器的相关理论。设计一个带宽为580 MHz、杂散抑制度≤-60 d Bc、相位噪声≤-85 d Bc/Hz@10 k Hz的C频段宽带低杂散频率合成器。利用双环锁相频率合成技术和小数分频锁相技术,实现了宽带、低杂散的锁相频率合成器的设计。最后经过测试近端杂散指标≤-60 d Bc,远端杂散指标≤-70 d Bc,偏移10 k Hz的相位噪声为-89.95 d Bc/Hz,技术指标都优于设计要求。 相似文献
1000.