防锈铝板表面腐蚀原因分析

采用光学金相、扫描电镜、能量色用谱，俄歇电子能谱和X光电子能谱等多种方法分析了防锈铝板表面发生大面积腐蚀的原因，分析结果说明缝隙腐蚀是导致防锈铝板表面发生失效的主要原因。     

数字化PMIG焊接电源人机交互系统设计

针对基于数字信号处理器TMS320F2812控制的薄板铝合金变极性脉冲焊设备，选择ATMEL AT89S8252单片机和SD7218A智能键盘显示控制芯片，采用DSP＋MCU的通讯方式，设计了数字化人机交互系统。该系统能够实现焊接工艺参数设置、修改、保存、调用，能够实时显示焊接参数，并有良好的兼容性。试验证明：承统运行稳定，控制精度高，抗干扰能力强，人机界面友好。操作方便。     

基于CuZnAl形状记忆合金的框架结构抗震减振控制

利用形状记忆合金的本构关系,分析了在自由应力状态下的残余应变与温度的关系.使用动态数据采集分析仪,测试了安装CuZnAl形状记忆合金耗能器的框架结构的减振性能;应用电子万能拉伸试验机测试了CuZnAl形状记忆合金的应力-应变滞回曲线,借助透射电子显微镜,分析了CuZnAl形状记忆合金在热机械循环过程中显微组织的变化;比较了不同热处理工艺对CuZnAl形状记忆合金热机械循环后的滞回曲线面积及减振性能的影响.结果表明:CuZnAl形状记忆合金用于框架结构具有较好的减振效果,可明显降低框架结构的振动频率,其中马氏体CuZnAl形状记忆合金耗能器具有较大的耗能能力,经室温水淬时效7 h处理后减振效果最好.     

基于模拟退火算法的工件位置标定

从实用的角度分析了焊接工件的定位问题，提出了在机器人焊接条件下，基于模拟退火算法的工件位置标定算法。标定时，不需要增加其它的辅助设备，利用机器人示教功能获得少数参考点(大于或等于3点)的坐标，然后用模拟退火算法求出从工件模型到实际工件的位置变换矩阵。算法是通用的且具有较高的精度，标定算法的计算误差小于0．02mm。示教误差对工件位置标定有一定的影响，但是，示教误差会在一定程度上互相抵消，使得工件位置标定误差较小，通常小于0．5mm，极端情况下，标定误差小于0．9mm，可以满足焊接工艺的要求。如果焊接工件的位置标定是在路径规划之前进行的，规划时用到的位姿数据是对应真实世界中的数据，则路径规划的结果可以直接用于下载到机器人控制柜运行。     

间接选择性激光烧结与选择性激光熔化对比研究

采用选择性激光烧结（Selective laser sintering，SLS）和选择性激光熔化（Selective laser melting，SLM）工艺，分别进行了铁基合金粉末的快速成形试验，对比分析了SLS与SLM成形机理、相应的工艺参数以及它们对测试件成形过程、金相组织与力学性能的影响。结果表明：由于成形机理不同，相对于SLS技术，采用SLM能够制造高致密度、组织均匀、力学性能良好的金属零件，但容易出现翘曲变形、裂纹与球化现象。通过制定合适的材料与工艺参数能够避免上述缺陷。     

射线检测中运动模糊图像的恢复

X射线实时成像检测中,若曝光时间内工件和X射线图像采集设备有相对线性运动,会造成图像运动模糊降质。提出利用运动模糊点扩展函数的频域特征和Hough变换得到模糊图像的运动方向,并将之旋转到水平轴方向,利用差分法求解运动模糊点扩展函数的长度。并用Wiener滤波的方法,恢复降质的图像,取得了较好的效果。     

微量元素Sr对Al-Mg-Si-Cu基合金车身板腐蚀性能的影响

采用全浸腐蚀实验、盐雾实验和电化学实验研究了微量元素Sr对Al-Mg-Si-Cu合金车身板腐蚀性能的影响.全浸腐蚀实验结果表明:合金加入Sr后,其质量损失速度由2.76 mg/(h·cm2)降为1.39 mg/(h·cm2),盐雾实验结果表明:合金加入Sr后,其质量损失速度由8.56×10-3mg/(h·cm2)降为5.90×10-3mg/(h·cm2),Sr可以明显减缓合金的腐蚀速度.电化学实验结果表明:合金加入Sr后,合金稳定电位较负,稳定时间长,合金钝化区较短,腐蚀电位ψcorr更负,且腐蚀电流密度较小.     

缺陷深度脉冲热像检测新方法

介绍脉冲热像检测中由峰值时间求缺陷深度的方法，对热传导性能好的材料，从红外热像时间序列难以捕捉到峰值时间。为此提出了一个既能避开峰值时间又能被红外热像仪探测和记录的新参数，从而达到测量缺陷深度的目的。     

联合法提镓工艺研究

针对联合法氧化铝厂循环母液含镓的特点 ,提出采用化学法和树脂吸附法相结合的方式从烧结法拜耳法循环母液回收镓的新工艺 ,并通过小试和扩大试结果分析 ,从技术和经济诸方面阐述了该工艺的可行性     

Ni对C－B_4C－SiC复合材料显微结构与性能的影响

本文研究了烧结助剂Ｎｉ对Ｃ－Ｂ_４Ｃ－ＳｉＣ复合材料显微结构与性能的影响．Ｘ射线衍射表明Ｎｉ在烧结温度下与ＳｉＣ，Ｂ_４Ｃ人发生反应在晶界生成Ｎｉ_（４．６）Ｓｉ_２Ｂ，并产生液相，有效地促进了Ｃ－Ｂ_４Ｃ－ＳｉＣ复合材料的烧结，抑制了晶粒的长大，使复合材料密度与强度大幅度地增加，电阻率下降；同时Ｎｉ_（４．６）Ｓｉ_２Ｂ在氧化时生成致密的２ＮｉＯ·Ｂ_２Ｏ_３，包裹了易氧化的Ｂ_４Ｃ和Ｃ，有效地防止了复合材料的氧化，从而大大提高了制品的抗氧化性能．