Tb-Ni-Fe超磁致伸缩材料的研究

从超磁致伸缩材料的定义出发,介绍了超磁致伸缩材料的研究现状及应用,阐述了Tb-Ni-Fe超磁致伸缩材料的制备方法及简要分析了实验结果,并根据实验结果推导出成分对超磁致伸缩材料性能的影响,指出了Tb-Ni-Fe超磁致伸缩材料的研究方向.     

我国工程图学学科发展近况述评──基于《工程图学学报》(1997～2006)论文相关数据的量化分析

文章选取1997～2006年《工程图学学报》所发表的学术论文作为研究对象,结合文献计量学的原理和方法,对论文及作者的情况,包括载文量、论文内容、论文及作者的地区和系统分布、基金项目论文、论文作者的合作情况、作者的职称与年龄结构等进行统计分析,从一个侧面揭示工程图学学科发展状况、研究队伍建设等方面的一些特点和规律,并为刊物的发展决策提供有益的参考资料.     

双CCD视觉传感器的建模及优化设计

依据几何成象原理建立起双ＣＣＤ视觉传感器坐标的数字模型,导出其有效视场的计算公式,并分析了有效视场、坐标测量精度和传感器结构参数之间的关系。综合导出的公式及的判据,编制出相应的优化设计软件,由计算结果发现,当给定有效视场及各结构参数的测量误差值时,可寻求该传感器的最优结构布局,使坐标测量精度最佳。     

包装材料对水磨糯米粉品质的影响研究

通过贮存实验,对不同材料袋包装的糯米粉进行了加速试验,以含水率、脂肪酸值、霉菌和酵母菌菌落数、色泽为主要评价指标,研究了包装材料对袋装糯米粉品质的影响。实验结果表明,在相对湿度为90%,温度为37 ℃条件下,随着贮存时间的延长,糯米粉的含水率、脂肪酸值、霉菌和酵母菌菌落数、黄度增加,白度下降;包装材料的透湿、透氧率越大,对糯米粉品质评价指标的影响越明显,品质下降越显著。     

高温高酸性环境下镍基合金718与异种金属偶接的电偶腐蚀行为

高温/高压高酸性腐蚀环境中镍基合金718常作为可靠的材料使用,但不可避免会与其他金属偶接使用,易产生电偶腐蚀。模拟150℃,H_2S分压1.0 MPa,CO2分压1.5 MPa,Cl~-浓度200 000 mg/L的高温高酸性腐蚀环境,采用高温高压电化学测试技术和浸泡腐蚀模拟试验,研究了镍基合金718分别与低合金钢35Cr Mo、C110和不锈钢13Cr偶接后的电偶腐蚀行为。结果表明:在模拟高温高酸性环境下,3种金属分别与718合金偶接后,均发生了一定程度的电偶腐蚀,其中C110电偶腐蚀速率最大,而不锈钢13Cr的电偶腐蚀速率最小。电偶腐蚀的驱动力是2种金属的自腐蚀电位差,异种金属偶接后的电偶效应与两偶接材料的电位差成正比,而阳极材料自身的极化特性决定了其与耐蚀合金偶接后的电偶腐蚀程度。     

PECVD制备氢化非晶硅薄膜的氢含量研究

采用等离子增强化学气相沉积工艺在硅片上制备a-Si:H薄膜,用傅里叶变换红外光谱仪测试薄膜的红外光谱吸收峰。研究了衬底温度、工艺压强和氢气稀释比对a-Si:H薄膜中氢含量的影响。结果表明,随着衬底温度升高,氢含量显著减小;压强增大时,氢含量也增大;氢气稀释比增大,氢含量反而减小。选择适当的工艺参数,可以控制a-Si:H薄膜的氢含量,从而改善a-Si:H薄膜性能和微结构。研究结果对低温多晶硅制造工艺也有一定的指导意义。     

影响金属薄膜沉积初期因素的有限单元法模拟

利用有限单元法对影响金属薄膜沉积初期的因素进行了计算机模拟.按膜料为Pt、Pt-Ru、Pt-Ti、Pt-Ni、Pt-Al等五种模式,采用刚性球入射到C或Si基底,重点研究了沉积原子的半径差异比、沉积原子能量和原子入射角等参数对薄膜沉积的影响,同时检验了有限元方法在微观领域中的合理性和适用性.     

磷掺杂对纳米硅薄膜输运性质的影响

采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征和掺磷纳米硅薄膜,并利用Raman散射谱和电导率谱对比研究了磷掺杂对纳米硅薄膜的电子输运性质的影响.研究结果表明影响本征纳米硅电导率的主导因素是载流子的迁移率,而自由载流子浓度影响有限;影响掺磷纳米硅薄膜电导率的因素既包括磷掺杂产生的自由载流子,又包括迁移率,其输运过程可用量子点隧穿（HQD）模型合理解释.少量掺磷会促进晶化,但过量掺磷会引起晶格畸变,不利于晶化率和电导率的提高.     

离子液体在介孔材料制备中的应用

离子液体作为一种新型绿色环保溶剂,本身独特的性质完全可以替代并超过普通的有机溶剂,因而用它来合成介孔材料引起了广大科技工作者的关注.综述了离子液体分别作为溶剂、共模版和模版表面活性剂用于制备介孔材料的最新进展,并对离子液体应用于介孔材料制备中的发展方向和研究热点进行了分析和展望.     

圆柱谐振腔式MPCVD装置中氢、氩微波等离子体分布规律的数值模拟

在使用简化的等离子体放电模型的基础上,模拟了圆柱谐振腔式微波等离子体沉积室中,不同金刚石膜生长条件下微波等离子体的分布状态。在模拟中,针对纳米金刚石的生长环境,就纯氩气反应气体中,不同的输入功率、不同气体压力条件下,沉积室中形成的等离子体分布的变化规律进行了模拟,将其与一般氢气气氛下的相应模拟结果相对比。模拟所获得的结果,对微波等离子体方法沉积金刚石膜的操作环境的优化,有着一定的指导意义。