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  1975年   7篇
  1959年   10篇
  1951年   22篇
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51.
基于DOCSIS标准的增强型基线保密性接口(BPI+)采用56bit DES加密分组数据,采用二密钥三重DES加密通信量加密密钥。这种多重加密技术的应用为HFC网络的数据传输提供了相当于或更好于专线级的网络安全与加密性能。  相似文献   
52.
可靠性寿命试验中,一般都因受到费用和时间的限制,因此要用截尾试验获得信息,再据此对其可靠性进行统计推断,用非参数估计的方法探讨了进行可靠性试验的样本量或截尾时间的估计方法。  相似文献   
53.
风扇磨煤机ZGMn13冲击板的失效分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
ZGMn13冲击板的失效方式为不同角度的粒子撞击和冲刷,其表面可以分为三个典型的磨损区域:低角度撞击区、高角度撞击区和冲刷区。详细分析了该三个磨损区域的磨损机理。次表面分析的结果表明,在低负度撞击和冲刷条件下,高锰钢未能充分加工硬化,耐磨性提高有限。  相似文献   
54.
Development of the Chinese Scientometric Indicators (CSI)   总被引:1,自引:0,他引:1  
Jin  Bihui  Zhang  Jiangong  Chen  Dingquan  Zhu  Xianyou 《Scientometrics》2002,54(1):145-154
We describe the Chinese Scientometric Indicators (CSI), an indicator database derived from the Chinese Science Citation Database (CSCD). Its design is supported by the Natural Sciences Foundation of China (NSFC). In this indicator database data of a statistical nature are organized and categorized leading to ranked lists and providing bases for comparisons among Chinese institutions and regions.  相似文献   
55.
行波热声驱动器的性能分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
在简单介绍行波热声驱动器的研究历史、工作机理及其与驻波型热声驱动器的区别之后,着重对环路部分的性能进行了预测分析,并给出一些有益的结论。  相似文献   
56.
利用2、4和14mm的X60钢紧凑拉伸试样进行同样应力水平、固定应力比(R=0.1)的疲劳裂纹扩展试验,揭示出高韧性管道钢的疲劳裂纹扩展存在显著的厚度效应。由于应力水平低,相应的离面应力也低,不足以导致分层开裂,因此,裂纹端部的三维应力约束随厚度增加而增大。4mm试样的疲劳裂纹速率远高于2mm试样,但厚度再增大,裂纹扩展速率不再有显著变化。进一步对表面裂纹试样进行疲劳裂纹扩展试验,并用勾线法纪录裂纹扩展情况,利用穿透裂纹的da/dN-ΔK曲线预测表面裂纹扩展,用2mm厚试样的数据控制裂纹表面长度的扩展,用14mm厚试样的数据控制裂纹底部沿厚度方面的扩展,得到了与表面裂纹扩展实验吻合很好的预测结果。  相似文献   
57.
移动IP综述     
论述了移动IP的概念和发展过程,分析了国内外对移动IP研究的重点问题及其方法,对移动IP的发展方向进行了归纳和总结,并提出了有关用的问题。  相似文献   
58.
ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4 纳米晶,XRD、SEM和TEM结构分析结果表明,喷射共沉淀法制备的ZnGa2O4的纳米晶颗粒细小均匀,形状完整,与化学共沉淀法相比,粒子尺寸明显减小,小于10nm,同时ZnO杂相峰消失,分析了喷射共沉淀法的机理,并对实验结果进行了解释。  相似文献   
59.
长距离曲线顶管在杭州河坊街工程中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
对杭州市重点工程—杭州河坊街长距离曲线顶管进行了总结和介绍 ,可为同类工程借鉴和参考  相似文献   
60.
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively  相似文献   
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