SPAC系统中水热CO2通量光合作用的综合模型（Ⅱ）：模型验证

本文利用禹城综合试验站土壤－植物－大气连续体系综合观测场冬小麦田实测资料，对“SPAC系统中水热、CO2通量与光合作用的综合模型（Ⅰ）模型建立”一文所建立的模型土壤水分动态、蒸发蒸腾和冠层CO2通量等功能进行了验证，利用波文比观测水汽通量结果、土壤水分剖面监测结果分别与对模拟计算腾发量和土壤水分剖面的验证结果表明，模拟计算的腾发量和土壤水分剖面是比较准确的；将模拟的光合作用过程中的CO2通量与实测值对比表明，模拟值与实测值的变化趋势是一致的，但是数据上存在一定的差异，模拟光合作用过程和强度符合一般规律，总体说明，所建立的系统模型在上述功能的模拟上是可行的。     

发光二极管的研究现状与发展趋势

Ⅱ－Ⅵ族，Ⅲ－Ⅴ族化全物半导体是制作显示器件的重要材料，随着制作工艺日趋成熟，发光二极管已广泛地应用于 民经济各部门。要方要介绍了国内外发光二有管的研究两头和发展趋势。     

城市道路SMA面层配合比优化的影响因素及对策

以路用性能为控制指标，选择满足技术质量指标要求的原材料，对SMA改性沥青混合料的配合比设计进行优化，以期找到最佳路用性能和经济指标的SMA改性沥青混合料配合比的影响因素及对策。研究表明，对级配和体积指标等满足有关要求的特定原材料，其混合料最优路用性能只有在粗集料形成骨架嵌挤密实稳定，其空隙恰好被细集料等组成的胶结料所填充时，即VCADRC-VCAmix值趋向于0（＋）才充分体现出来；同时，在满足各项控制指标的前提下，可以通过适当增大2.36mm集料通过率来进一步提高混合料的抗车辙和稳定性能。     

压裂斜井时射孔处雁形裂缝产生及干扰分析

在已射孔的斜井压裂过程中，射孔孔眼处会出现一系列的几乎相互平行的雁形裂缝。这些裂缝的延伸、连接受到地层应力及裂缝本身的影响，情况较为复杂，但它们的延伸和连接对压裂的成功与否至关重要。笔者对裂缝模型进行简化，将复变函数理论与位错理论相结合，并且考虑了裂缝表面有流体压力作用且裂缝之间存在相互干扰的情况下，建立了无限大介质中裂尖应力强度因子的数学模型，利用该模型可对雁型裂缝之间的相互干扰进行力学分析。应用数值方法对所建立的数学模型求解，得到裂尖的应力强度因子及转角，来预测裂缝连接情况。该结果可用来指导压裂井的射孔施工。     

丝织生产中对罗纹筒的防除浅析

罗纹筒是织绸生产厂准备工序常见主要疵点之一。笔者通过对生产现场实际观察分析认为：翻丝机、络丝机的摩擦滑移、挡车工操作不当、温湿度不合适等是产生罗纹筒的主要原因。下面就罗纹筒的产生和预防谈一些粗浅认识。     

FE Simulation for Internal Inversion of Aluminium Alloy Tube

1 Introduction A double-walled invertube is difficult to fabricate other than applying inversion process. Such kind of invertube can be used as impact energy absorbing element in transport vehicles, like aircrafts and automobiles. Reddy T Y[1] did the analysis of Internal inversion and calculated the inversion load. Reid[2] et al. examined nosing and internal inversion of cold drawn steel tube by the finite element package ABAQUS. Recently, Rosa P A[3] et al. investigated Internal invers…     

企业间的商战模型分析

针对日益激烈的市场竞争，探讨了引发大规模商战的原因，建立了两企业集团间的商战模型，并分析了模型的均衡点，同时在此基础上建立了多个企业集团问商战模型，分析了模型的稳定性，最后根据模型的结论给出了企业间避免恶性商战的相关建议与对策。     

影响土壤中PAHs降解的环境因素及促进降解的措施

土壤中的多环芳烃(PAHs)类有机污染物的生物有效性低,不易降解。本文综述了影响污染土壤中多环芳烃降解的环境因素和促进降解措施的研究进展。影响土壤中多环芳烃降解的因素,包括水分、养分、土壤物理条件等;促进土壤中多环芳烃降解的措施有:向污染土壤添加有机溶剂、利用冯顿反应、添加堆肥和有机物料等。从目前研究来看,应当通过促进多环芳烃从土壤上解吸和培育具有较高多环芳烃降解能力的微生物来促进多环芳烃污染土壤的修复。     

碳纳米管及其批量制备研究进展

从碳纳米管的优异性能和应用出发,综述了碳纳米管的制备方法以及我国目前在碳纳米管研究中面临的问题;分析了碳纳米管产业化对的我国纳米技术产业化发展的积极意义,特别介绍了清华-南风纳米粉体产业化工程中心开发的、具有我国自主知识产权的纳米聚团流态化技术。     

电子束光刻中的辐照损伤

本文研究了电子束光刻中电子能量(10—30keV)和电荷剂量(10~(-6)—10~(-3)C·cm~(-2))对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火(<500℃)的影响。研究电子束光刻中高能量(30keV)和高剂量(10~(-3)C·cm~(-2))电子束引起的损伤,对电子束汽相显影光刻和电子束无显影光刻是有实际意义的。实验表明,平带电压的损伤可高达十几伏,界面态密度可高达10~(12)cm~(-2)eV~(-1)以上。在一定电荷剂量下,平带电压的损伤对电子能量的变化(在一定范围内)不敏感。在一定电子能量下,界面态密度的损伤对电荷剂量的变化(在一定范围内)不敏感。低温(<500℃)退火能完全消除平带电压的损伤,但不能完全消除界面态密度的损伤。