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71.
用椭偏光谱法测量了(35keV,1.0×10118cm-2)和(65keV,1. 0×1018cm-2)C+注入Si形成的SiC/Si异质结构.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SiC/Si异质结构的各层厚度及主要成份.研究结果表明:注35keV C+的样品在经1200 C、2h退火后形成的SiC/Si异质结构,其β-SiC埋层上存在一粗糙表面层,粗糙表面层主要由β-SiC、非晶Si和SiO2组成,而且β-SiC埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与β-SiC埋层界面;注65keV C+的样品在经1250 C、10h退火后形成的SiC/Si异质结构,其表层Si是较完整的单晶Si,埋层B-SiC分成三层微结构,表层Si与β-SiC埋层界面和β-SiC埋层与体硅界面亦不相同.这些结果与X射线光电子谱(XPS)和横截面透射电子显微镜(TEM)的分析结果一致. 相似文献
72.
73.
射频芯片内DCXO的晶体振荡主电路设计 总被引:1,自引:0,他引:1
描述了一种射频芯片内数控晶体振荡器(DCXO)的振荡主电路设计,以Deep-N-Well CMOS工艺的PMOS为主工作管,采用Santos(改进Colpitts)结构、非对称差分式振幅控制环,避免了因Vt依赖工艺与温度等而产生的可靠启振问题.该10MHz DCXO振荡器主电路,采用TSMC Mixed/RF 0.18μm CMOS工艺,在2V电源电压下,仿真得到输出特性为:振幅峰峰值0.8V,平均电流2.9mA,相位噪声-140dBc/Hz@1kHz,-173dBc/Hz@1MHz,启动时间约2.8毫秒,可作为DCXO核心振荡模块. 相似文献
74.
GaN基HEMT场板结构研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
综述了近年来GaN基HEMT场板结构研究的最新进展,介绍了场板结构定义以及提高栅漏击穿电压的原理,总结了均匀场板结构、台阶场板结构、多层场板结构、双场板结构等对栅漏击穿电压BVGD的改善情况,叙述了栅终端场板和源终端场板的功率附加效率(PAE)、截止频率fT、最大振荡频率fMAX、增益等微波特性的不同点,获得了最佳场板结构以及场板连接方式. 相似文献
75.
“电力电子技术”课程教学模式研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文分析了“电力电子技术”课程的特点及实施教学的挑战性;探索并设计了以分析方法为路线,以关键性问题为导向的教学结构;提炼了用于电力电子电路教学的两个定律、四种方法以及八个关键问题.从教学实践结果看,提出的关键问题面向工程实际且涵盖了电力电子电路的主要分析技巧与知识点,拓展了学生的分析思维,为知识再创新提供理论与实践基础. 相似文献
76.
77.
针对车牌汉字字符结构复杂且图像品质差异大而导致识别率不高的情况,提出了一种基于图像模糊度的主成分分析(PCA)子空间车牌汉字字符识别方法。首先通过三角模和非模糊基数计算字符图像的模糊度,然后根据模糊度将训练样本分成不同的子集并生成相应的PCA子空间族,最后以待识别字符的模糊度为依据选择相应的子空间族进行识别。实验数据表明,本文方法使得子类的类内距离变小类间距离增大,从而可以获得较高的识别率。与其他算法的对比实验进一步表明,本文算法能更好地同时满足精度和实时性的要求,具有良好的综合性能。 相似文献
78.
多频段天线罩功率传输系数的优化设计 总被引:8,自引:1,他引:8
按射线跟踪法分析天线罩的理论,把罩壁近似为均匀多层介质平板,对其传输特性进行了分析;根据天线罩须在多个频率段上有较高传输系统的特殊要求,按最大最小原则建立了二重优化模型,采用SUMT外点法和POWELL法相结合对天线罩的各层介质壁厚进行优化设计;对某型20/30GHz双频段卫星通信天线罩的优化达到了预期效果。 相似文献
79.
目前证券市场上小道消息、操控舆论、证券黑嘴等违法现象接连出现,证券舆情安全问题日益严重。针对该问题,文章设计实现一种证券舆情多空倾向判别方法。首先创建证券舆情语料库,根据证券舆情语料库快速扫描文章的内容信息。将证券舆情多空属性词与具体证券的信息点进行关联,并映射到证券对象。去除噪声的干扰,统计出来多空数据结果,依据结果进行计算,最终得到该证券文章的多空倾向性判别结果。即从海量的互联网证券资讯中计算出相关舆情对证券实体对象看多与看空的态度,对于判别证券市场的虚假消息具有很好的应用价值。 相似文献
80.