利用6σ手段降低PIP制程的不良率

在PIP制程中,影响产品的最终质量涉及到的因素有很多。文章简单介绍了PIP制程的定义,详细阐述了PIP制程中影响产品不良的因素种类,分析了每一种因素产生的原因及预防措施,并针对这些因素采取6西格玛先进管理方法中的相应对策来分析和解决问题。同时列举了实例,针对主要不良因素加以改善来降低产品的不良率,从而保证产品的质量以获取更大的经济效益。     

三星编队干涉SAR测高的星间相位同步链路设计

对于三星编队干涉合成孔径雷达(SAR)地形测高,文中利用精确的Hill方程对卫星相对轨道和星间基线进行定量分析。首先,根据沿航向基线和垂直航向基线的约束确定三星编队,并同时干涉测高的工作区间;然后,根据喇叭波束宽度和三星的相对位置关系,正确切换相位同步喇叭,建立主星和两颗副星间相位同步链路,以获取两颗副星SAR成像所需的相位同步信息。其结论可为多星编队干涉SAR系统设计提供有益参考。     

综合电子干扰对编队对地攻击作战效能的影响

建立了编队对地攻击作战效能和战损模型,重点分析了编队综合电子干扰（雷达干扰、通信干扰、光电干扰）对敌防空预警系统、指挥引导系统以及武器制导系统的探测概率、引导概率和跟踪概率的影响,进一步指出了其对编队战损及作战效能的影响。     

一种基于混沌序列的彩色图像加密算法

提出一种基于混沌序列的彩色图像加密算法。该算法首先应用二维Logistic混沌系统产生2个混沌序列,利用对2个混沌序列进行排序产生的2个编号序列对彩色图像进行位置的置乱,然后应用三维Lorenz混沌系统产生的混沌序列中各值进行大小排序,用以引导对置乱后的彩色图像进行像素点的R,G,B值的置换操作,从而实现对颜色的加密。实验结果表明,该算法具有密钥空间大、安全性高和保密性好的特点。     

集成电路封装溢料问题探讨

溢料问题是集成电路封装过程中常见的质量问题,如何减少溢料的发生和去除溢料方法是封装工程师、电镀工程师以及材料生产商和模具制造商共同探讨的课题。文章详细阐述了集成电路封装过程中常见的溢料发生机理,描述了溢料对组装的危害、如何防止溢料的发生以及溢料去除方法,并且对溢料去除方法的未来发展进行了展望。文中对溢料的发生机理方面进行了细致的研究,从材料、设备以及工艺方法等方面进行深入的解析,提出了有效的改善措施。另外,对业内溢料去除的几种方法进行介绍的同时,强调了各种溢料去除方法的效果及对产品质量的影响,并进行了有效评估。文章对溢料发生和去除方法的探讨是建立在理论基础之上,运用最细致的解析手段进行剖析,更具有指导意义,为提高集成电路封装良率以及组装良率提供理论支持。     

低电压丙烯酸酯体系PDLC的研究

选用合适的丙烯酸酯体系的聚合物制备了PDLC样品,光电测试曲线表明其驱动电压可以低至25 V,改变聚合物中的稀释单体能够大幅降低PDLC的驱动电压.选用不同稀释单体的两种聚合物的介电常数及阻抗表明,聚合物的介电性能及阻抗为影响PDLC驱动电压的深层次原因,液晶的组分及PDLC的膜厚对PDLC的驱动电压也有一定影响.     

容灾备份系统分析及在局域网中的应用研究

局域网已经成为企业和部门实现办公自动化的有效平台,而对局域网中数据和业务经行容灾备份已成为不可或缺的工作。针对提高局域网中数据安全的目的,本文通过对容灾备份应急服务的系统结构、评价指标、关键技术以及备份方法进行分析论证,从理论上对不同容灾技术和方法进行比较和归纳,得出局域网容灾应急服务具体实施方案。     

图像多尺度几何分析域隐马尔可夫树模型研究进展

多尺度几何分析(Multiscale Geometric Analysis,MGA)为图像的高维奇异特性提供了一种更优、更稀疏的表示方法,从而为更好地捕捉图像中的多方向边缘和纹理特性提供了有效的支撑.图像MGA域隐马尔可夫树模型(Hidden Markov Tree,HMT)成功地对图像多尺度变换系数的统计特性及系数间...     

混合型白色有机电致发光器件的研制

制备了一种"混合型"结构的有机电致发光器件,膜层结构为ITO/MEH-PPV/AND:TBPE/Alq3(30nm)/LiF(0.5 nm)/Al(200 nm),研究了MEH-PPV的质量以及TBPE的掺杂对器件性能的影响.当MEH-PPV的质量约为0.09 mg,TBPE的掺杂浓度为4.5%时,获得了亮度均匀的白光器件.研究中发现器件的电致发光光谱中存在黄光成分,并对此现象进行了讨论.     

碲镉汞液相外延石墨舟的温度场均匀性改善

对碲镉汞液相外延(Liquid phase epitaxy,LPE)石墨舟进行了数值模拟,计算了石墨舟温度场分布.通过在母液周围加入石英框,分析其对温度场的影响,得到了石英框壁厚与温度分布的关系.模拟发现,在母液周围加入石英框结构,可以提高外延生长界面温度场均匀性.最后,将分析结果与实验相结合,进行实验验证,成功降低了边界效应对碲镉汞薄膜的影响,外延生长出厚度极差?δ为1.4μm、组分极差?x不超过0.002的长波碲镉汞薄膜.