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A bimodal effect of transconductance was observed in narrow channel PDSOI sub-micron H-gate PMOSFETs,which was accompanied with the degeneration of device performance.This paper presents a study of the transconductance bimodal effect based on the manufacturing process and electrical properties of those devices.It is shown that this effect is caused by a diffusion of donor impurities from the NC region of body contact to the PC poly gate at the neck of the H-gate,which would change the work function differences of the polysilicon gate and substrate.This means that the threshold voltage of the device is different in the width direction,which means that there are parasitic transistors paralleled with the main transistor at the neck of the H-gate.The subsequent devices were fabricated with layout optimization,and it is demonstrated that the bimodal transconductance can be eliminated by mask modification with NC implantation more than 0.2 m away from a poly gate. 相似文献
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该文提出了一种基于检测信息可靠度的部分软干扰消除迭代多用户检测算法。如果由从信道译码器所获得的发送字符的先验信息大于某一预定阈值,则认为对其检测具有较高的可靠度,因而可以考虑将其对应的多址干扰成分从匹配滤波器输出向量中直接消除,相当于减小了干扰用户的数目,从而可以减小迭代多用户检测算法的复杂度。该算法的计算复杂度能够随着多址干扰的减小和信道信噪比的增大而降低。 相似文献
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Alexander A. Zakhidov Dong‐Seok Suh Alexander A. Kuznetsov Joseph N. Barisci Edgar Muñoz Alan B. Dalton Steve Collins Von H. Ebron Mei Zhang John P. Ferraris Anvar A. Zakhidov Ray H. Baughman 《Advanced functional materials》2009,19(14):2266-2272
Injecting high electronic charge densities can profoundly change the optical, electrical, and magnetic properties of materials. Such charge injection in bulk materials has traditionally involved either dopant intercalation or the maintained use of a contacting electrolyte. Tunable electrochemical charge injection and charge retention, in which neither volumetric intercalation of ions nor maintained electrolyte contact is needed, are demonstrated for carbon nanotube sheets in the absence of an applied field. The tunability of electrical conductivity and electron field emission in the subsequent material is presented. Application of this material to supercapacitors may extend their charge‐storage times because they can retain charge after the removal of the electrolyte. 相似文献
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局部线性嵌入(LLE)和邻域保留嵌入(NPE)等流形学习方法可以提取高光谱数据的主要结构特征,有助于对数据的理解和进一步处理。但是,这些方法忽视了高光谱图像中相邻像素之间的相关性。针对这个问题,提出一种基于空间一致性思想的邻域保留嵌入(SC-NPE)特征提取算法,通过一个优化的局部线性嵌入,并考虑相邻像素的相关特性,在高维空间建立数据的局部邻域结构。然后寻找一个优化的变换矩阵,将局部邻域结构投影到低维空间,实现数据的特征提取。与LLE和NPE算法相比,SC-NPE既考虑高光谱数据的流形结构,又考虑了其图像域空间信息,可以更好地应用在高光谱数据的特征提取过程中。实验结果表明,SC-NPE特征提取算法在高光谱图像分类方面的性能明显优于其他同类算法。 相似文献
66.
Yu Liu Yafei Wang Juan He Qingqing Mei Kai Chen Jiaojiao Cui Chun Li Meixiang Zhu Junbiao Peng Weiguo Zhu Yong Cao 《Organic Electronics》2012,13(6):1038-1043
In order to obtain high-efficiency monochromatic red emission in polymer light-emitting devices, a tris(dibenzoylmethanato)(dipyrido(3,2-a:2′,3′-c)phenazine) europium [Eu(DBM)3(DPPZ)] doped single-emissive-layer devices were fabricated using a blend of poly(9,9-dioctyl-fluorence) and 2-tert-butyl-phenyl-5-biphenyl-1,3,4-oxadiazole as a host matrix by solution process. Significantly improved electro-luminescent properties with sharp red emission at 611.5 nm were displayed in the Eu(DBM)3(DPPZ)-doped devices at dopant concentrations from 1 to 8 wt.%. The highest luminance up to 1783 cd/m2 at 2 wt.% dopant concentration, as well as the maximum external quantum efficiency of 2.5% and current efficiency of 3.8 cd/A were obtained at 1 wt.% dopant concentration. 相似文献
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Most existing Ad-hoc routing protocols use the shortest path algorithm with a hop count metric to select paths. It is appropriate in single-rate wireless networks, but has a tendency to select paths containing long-distance links that have low data rates and reduced reliability in multi-rate networks. This article introduces a high throughput routing algorithm utilizing the multi-rate capability and some mesh characteristics in wireless fidelity (WiFi) mesh networks. It uses the medium access control (MAC) transmission time as the routing metric, which is estimated by the information passed up from the physical layer. When the proposed algorithm is adopted, the Ad-hoc on-demand distance vector (AODV) routing can be improved as high throughput AODV (HT-AODV). Simulation results show that HT-AODV is capable of establishing a route that has high data-rate, short end-to-end delay and great network throughput. 相似文献
68.
对比传统的平面型晶体管,总结了三维立体结构FinFET器件的结构特性。结合MOS器件栅介质材料研究进展,分别从纯硅基、多晶硅/高k基以及金属栅/高k基三个阶段综述了Fin-FET器件的发展历程,分析了各阶段FinFET器件的材料特性及其在等比缩小时所面临的关键问题,并着重从延迟时间、可靠性和功耗三方面分析了金属栅/高k基FinFET应用于22 nm器件的性能优势。基于短沟道效应以及界面态对器件性能的影响,探讨了FinFET器件尺寸等比缩小可能产生的负面效应及其解决办法。分析了FinFET器件下一步可能的发展方向,主要为高迁移率沟道材料、立体型栅结构以及基于新原理的电子器件。 相似文献
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1会议概况第36届亚广联 (ABU)技术委员会会议和年会于1999年10月28日至11月5日在澳大利亚悉尼召开。参加会议的除亚广联正式会员、准会员外 ,还邀请了许多国际广播电视和电信组织以观察员的身份参会 ,它们是ITU(国际电联 )、EBU (欧广联 )、AIBD(亚洲广播发展学院 ) ,DRM (世界数字广播 )等。中国也派出了代表团参会 ,其中科技司何瑾、中央电视台梅剑平参加了技术委员会、相关工作组及技术局会议。技术委员会会议由主席伊朗IRIB的Va1odStepanian先生主持。韩国KBS的AhnDongsu… 相似文献
70.
微电子封装技术的发展与展望 总被引:8,自引:0,他引:8
微电子技术的发展,推动着微电子封装技术的不断发展、封装形式的不断出新。介绍了微电子封装的基本功能与层次,微电子坟技术发展的三个阶段,并综述了微电子封装技术的历史、现状、发展及展望。 相似文献