Simulation study on deep nanoscale short channel junctionless SOI FinFETs with triple-gate or double-gate structures

In this paper, both the forward and reverse characteristics of junctionless (JL) FinFETs with deep nanoscale design parameters have been studied through TCAD device simulation by considering band-to-band tunneling. Design optimization of the JL TG FinFETs has been performed by investigating the influence of the variations of design parameters such as body doping, channel length, body thickness, fin height and gate oxide thickness. The performance difference between the DG and TG JL FinFETs also has been compared by considering the structure difference. The scheme of device optimization has been proposed.     

造纸用纳米粒子复合香豆素荧光乳液的制备及性能

以7-羟基-4-甲基香豆素为母核与丙烯酰氯反应,得到香豆素荧光单体。在乳化剂聚氧乙烯辛基苯酚醚-10(OP-10)与引发剂过硫酸铵的作用下,将其与丙烯酰胺、苯乙烯和改性纳米粒子经乳液聚合制备得到荧光乳液。采用红外光谱、核磁共振氢谱、粒径分析、紫外光谱、荧光光谱及紫外加速老化试验等对产物进行结构表征,光学性能研究及应用性能考察。结果表明,复合纳米粒子的荧光乳液粒径分布更加均匀,性质更稳定,且具有良好的光学性能, 涂覆于纸张表面,发现纸张白度得到改善,纸张强度和抗水性均大幅提高,且经过紫外老化后,发现目标产物有更好的抑制纸张返黄的作用。     

电弧炉采用直接还原铁炼钢工艺技术分析

分析了直接还原铁作为废钢替代品进行电弧炉炼钢的工艺技术特征,并阐明了影响冶炼电耗的主要因素。结果表明,熔池较大留钢量（≥40%）和诸如强化供氧、底吹和电磁搅拌的强化搅拌始终是促进熔化和缩短冶炼周期（可缩短8%～10%）的重要手段。直接还原铁比例超过30%宜采用连续加料,冶炼前期和中期加料速度一般等于熔化速度28～33 kg/min（供电功率1 MW）,需匹配石灰和白云石以防渣线侵蚀,冶炼全程应喷碳使泡沫渣埋弧操作以保证供电效率。为降低冶炼电耗,应控制w［C］1%～4.5%、金属化率≥90%、w［SiO₂］≤6%、w［P］≤0.1%、w［S］≤0.04%,使用高C、高金属化率、低SiO₂、低P、低S和较高温度的热直接还原铁。采用直接还原铁竖炉和电弧炉相结合的紧凑短流程工艺是低碳节能和洁净化生产的重要方向。     

反应型乳化剂制备荧光乳液及其在纸张中的应用

以三聚氯氰为桥联剂,将牛磺酸和N-羟甲基丙烯酰胺依次引入4,4-二氨基二苯乙烯-2,2-二磺酸(DSD酸)中,制得荧光增白单体(FBs)。再将FBs、苯乙烯、二甲基二烯丙基氯化铵(DMDAAC)与反应型乳化剂(DNS-86和ANPEO₁₀)共聚,制得2种荧光乳液(E1和E2),并将其应用于纸张涂布。结果表明,E1和E2稳定性好,粒径分布均匀。与未涂布荧光乳液的空白纸张相比,E1和E2涂布后,纸张初始白度分别提高了20.0和18.8个百分点;抗张强度分别提高了2.35 kN/m和0.98 kN/m;撕裂指数分别提高了5.65 mN·m~2/g和2.75 mN·m~2/g;紫外光老化48 h后,返黄值分别下降了2.21和1.61。表明E1和E2均能显著提高纸张的白度与力学性能,抑制纸张返黄,且E1的效果更好。