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本文对国内外的电视技术发展现状进行了充分的研究和分析,并对超高清电视系统的相关图像技术参数进行了分析和介绍。 相似文献
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针对高分辨极化SAR目标增强问题,提出一种利用极化方位角特征的增强方法.首先,利用圆极化法提取极化SAR图像像素点的极化方位角特征;其次,通过"方位角归零化"获得像素点在零度极化方位角下的散射矩阵值.对比归零化前、后目标及杂波区域内部像素点极化特性聚集程度的差异,阐述了利用极化方位角特征进行目标增强的原理;再次,统计获得目标及杂波区域的平均极化特性,采用非线性最优化方法实现了目标增强;最后,基于ADTS全极化SAR实测数据验证了本文方法具有优良的目标增强性能. 相似文献
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为了改善热红外图像的增强效果,本文提出了一种基于改进的直方图裁剪方法的热红外图像增强算法.该算法核心是确定热红外原始图像与传统的直方图均衡化图像的直方图bins中像素点的数量差,再根据范围准则,将计算出的不同bins的差值划分为不同的区块.然后重新分配直方图,确定变换函数,得到增强后的热红外图像.该算法是一种改进的全局直方图均衡化方法,在对比度增强、直方图形状和细节信息之间可以做到较好的平衡.本文算法的峰值信噪比、结构相似度和均方误差的平均值分别为27.5、0.923和0.59,均优于其他算法,实验结果表明,该方法能有效增强热红外图像. 相似文献
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设计并制作了一种结构新颖的镜面尺寸为6mm×4mm的电磁驱动MEMS光学扫描镜.这种背面为微型铜驱动线圈的MEMS硅基扭转镜面沉浸在由包含永磁体的磁回路产生的磁场中,当电流信号通过驱动线圈时,MEMS光学扫描镜绕着扭转梁发生了大角度的扫描运动.采用MEMS体硅加工工艺和电镀技术制作的器件显示出了优良的性能,实验获得的扫描镜静态转角斜率为0.03°/mA,当器件进行动态扫描时,在381Hz的谐振频率下获得了最大±10.2°的光学扭转角度,空气中的Q因子为221,相应的功耗为13μW,与此同时MEMS光学扫描镜具备了出色的镜面粗糙度、光学反射率和镜面平整度.实验证明该器件完全适合于微型光谱仪和可调光滤波器的应用. 相似文献
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以加拿大白桦地大型致密砂岩气田的研究为基础,梳理了致密气开发过程中需要评价分析的5大品质特性,提出了表征致密气储层特征的关键参数,确定了适用研究区的致密气储层定量表征和评价技术,形成了一套指标体系:多旋回精细等时地层格架和砂体叠置结构特征分析技术以确定储层空间展布;TOC测井参数地质统计定量技术以确定有机质丰度;岩心"四性"关系标定与序贯高斯模拟的储层物性定量表征技术以确定储层物性分类级别;基于岩心应力实验和测井解释的岩石脆性指数综合判定技术以确定岩石可压性;与压裂水平井产量相关的多参数组合综合评价技术以确定有利布井区;井下微地震监测技术定量用以表征人工裂缝、优化井位部署;水平井分段压裂优化技术确定最佳压裂段数、缝间距等参数,落实分段压裂水平井单井控制体积,确定单井控制储量。通过储层和裂缝综合研究不断优化致密气藏开发井网,其中大规模水平井压裂是致密气高产的有效保障,这些技术的现场应用也取得了显著的效果。 相似文献
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东濮凹陷古近系致密砂岩气成因与充注差异 总被引:1,自引:0,他引:1
中国东部深层古近系致密砂岩气是今后油气勘探的重要接替领域。以东濮凹陷深层古近系致密砂岩气为例,根据天然气组分、碳同位素及储层沥青等分析了天然气成因,从储层致密化及油气充注期等方面,研究了深层洼陷带、斜坡带致密砂岩气充注差异,并划分了气藏成因类型。结果表明,东濮凹陷洼陷带以腐泥型干酪根裂解气为主,并混有原油裂解气,储层在东营组沉积期和明化镇组沉积中期均演化为致密储层,普遍存在东营组沉积中后期—东营组抬升初期、明化镇组沉积后期—第四纪2期油气充注;东濮凹陷斜坡带以原油裂解气为主,储层在明化镇组沉积中期演化为致密储层,以东营组沉积中后期—东营组抬升初期油气充注为主。根据天然气成因、储层致密化进程及其与油气充注期的关系,将东濮凹陷深层古近系致密砂岩气藏划分为2种成因类型:洼陷带2期致密混合型气藏,斜坡带晚期致密原油裂解型气藏。 相似文献
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70.
Shubneesh Batra Nanseng Jeng Akif Sultan Kyle Picone Surya Bhattacharya Keun-Hyung Park Sanjay Banerjee David Kao Monte Manning Chuck Dennison 《Journal of Electronic Materials》1993,22(5):551-554
When dopants are indiffused from a heavily implanted polycrystalline silicon film deposited on a silicon substrate, high thermal
budget annealing can cause the interfacial “native” oxide at the polycrystalline silicon-single crystal silicon interface
to break up into oxide clusters, causing epitaxial realignment of the polycrystalline silicon layer with respect to the silicon
substrate. Anomalous transient enhanced diffusion occurs during epitaxial realignment and this has adverse effects on the
leakage characteristics of the shallow junctions formed in the silicon substrate using this technique. The degradation in
the leakage current is mainly due to increased generation-recombination in the depletion region because of defect injection
from the interface. 相似文献