Stability of Skutterudite Thermoelectric Materials

By multifilling with La, Ba, Ga, Ti, Yb, Ca, Al, and In, the dimensionless figure of merit ZT of filled skutterudites has been improved in this work. ZT reached 0.75 for p-type (La,Ba,Ga,Ti) _x (Fe,Co)₄Sb₁₂ (x = 0.8 to 1.0) and 1.0 for n-type (Yb,Ca,Al,Ga,In) _y (Co,Fe)₄Sb₁₂ (y = 0.7 to 0.9). After annealing at 873 K for 180 h, 300 h, 710 h, 1000 h, and 5000 h in vacuum, the Seebeck coefficient S and the electrical resistivity ρ of the samples increased while the thermal conductivity λ decreased with increasing annealing time. As a result, the ZT values of both p- and n-type skutterudites remained unchanged or were slightly improved, demonstrating the excellent thermal stability of these skutterudites.     

基于莫尔条纹的光纤惯性式振动传感器系统

设计了一种基于莫尔 条纹的光纤惯性式振动传感器,通过光栅对(grating pair)的相对运动产生莫尔条纹实现振 动位移的感知,由4路光纤作 为信号的传输通道将莫尔条纹信息传输至信号处理电路。详细讨论了莫尔条纹与振动信号的 关系,经信号 处理电路以及莫尔条纹细分、方向辨别算法,将莫尔条纹信号转换成振动位移和方向。通过 幅频特性补偿 电路对低频段进行补偿,实现平坦的宽频带频率响应。实验结果表明,传感器的谐振频率为 5.35Hz,通过 补偿后下降至0.05Hz;在0.1～1000Hz频率响应范围内,起伏小于0.011mm。     

星上定标积分球系统的设计

星上定标系统是有效监测遥感器辐射响应性能的重要技术构成,成像光谱仪技术的发展对星上定标系统提出了更高的要求,包括系统小型轻量化及稳定性等技术难题.提出一种较完整的技术方案,以内置卤钨灯为光源,用小型化的积分球为匀光体,采用色温校正技术调节其光谱输出,内置安装标准辐射计监视系统的稳定性.针对积分球系统定标用的光源--卤钨...     

基于双仲裁机制和田口正交法的猫群优化任务调度算法

针对异构计算系统任务调度过程中通信冲突以及算法运行时间的问题,该文提出一种基于双仲裁机制和田口正交法的猫群优化任务调度算法。首先利用双仲裁机制对任务资源进行管理,动态判决任务的分配,有效避免通信冲突,再将田口正交法应用到猫群优化过程的跟踪模式中,降低算法运行时间,提高解的质量。实验结果表明,该算法运行速度明显高于其他算法至少约10%,算法在处理大量任务时的并行化效果最优,在异构环境中也体现出其相当大的优势。     

聚合物芯片复型模具的新型制作工艺研究

AZ4620是一种广泛应用于微系统制作的正性光刻胶。高温改性后的AZ4620在紫外曝光时光照部分不再发生光化学反应,基于这样的材料特性,以220℃高温硬烘30 min获得改性的无光敏性的光刻胶,通过Plasma氧刻蚀制作出底层结构,再在底层结构表面涂胶采用多次曝光和显影制作出具有三层微结构的光刻胶模具,利用模塑法制作聚合物PDMS芯片。对光刻胶高温硬固工艺进行分析,对产生回流、残余应力、气泡等问题进行理论分析和实验研究,优化了模具加工工艺。采用多次喷涂,Plasma氧处理改善浸润性,高温硬烘0.5℃/min的升温速率得到了质量较好的多层光刻胶模具,为利用正性厚胶制作多层微结构提供了新的方法。     

一种孔径渡越时间补偿方法研究

在频谱合成法的基础上建立了线性相控阵雷达中调频步进频信号的处理模型,分析了孔径渡越时间对调频步进频信号带宽的限制,提出了基于移频原理的解决方法,并给出了相应的仿真结果.理论分析及仿真结果表明,在调频步进子脉冲信号带宽小于孔径渡越时间倒数的条件下,合成信号带宽仍受孔径渡越时间限制;利用移频的方法可以有效补偿孔径渡越时间的...     

On analysis method for infrared multi-sites system performance

The calculation method about infrared multi-sites passive system location is introduced based on the principle of the weighted least square method, and the variance matrix of estimated error is offered. Through deduction, it can be found out that treated appraise precision can be directly analyzed and deduced without carrying out real measure and reaching estimation value. The simulation result shows that the system performance based on the weighted least square method is much better than the traditional passive location method, and it can be also used for reference to the research of the location algorithm of similar system.     

GaN缓冲层对生长InN薄膜的影响

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜，利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜，得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL). 通过比较未采用缓冲层，同时采用低温和高温GaN缓冲层，以及低温GaN缓冲层结合高温退火三种生长过程，发现低温GaN缓冲层结合高温退火过程能够得到更优表面形貌和晶体质量的InN薄膜，同时表征了材料的电学性质和光学性质. 通过对InN薄膜生长模式的讨论，解释了薄膜表面形貌和晶体结构的差异.     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.     

PLC的大型牵伸卷绕机的应用研究

本文介绍了大型牵伸卷绕机的计算机控制系统，以西门子MMV型变频器为驱动装置，西门子PLC300为控制核心，根据西门子USS协议和MPI协议，实现PLC与变频器、TP27触摸显示屏的通信，取得了较高的控制精度和稳定性，充分满足生产过程的需要，具有广阔的应用前景。