首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   21649篇
  免费   2726篇
  国内免费   1803篇
电工技术   2080篇
综合类   2440篇
化学工业   2793篇
金属工艺   1592篇
机械仪表   1421篇
建筑科学   1638篇
矿业工程   968篇
能源动力   591篇
轻工业   2439篇
水利工程   734篇
石油天然气   824篇
武器工业   355篇
无线电   2189篇
一般工业技术   1718篇
冶金工业   983篇
原子能技术   352篇
自动化技术   3061篇
  2024年   128篇
  2023年   376篇
  2022年   913篇
  2021年   1160篇
  2020年   786篇
  2019年   543篇
  2018年   604篇
  2017年   683篇
  2016年   591篇
  2015年   1038篇
  2014年   1218篇
  2013年   1395篇
  2012年   1717篇
  2011年   1837篇
  2010年   1855篇
  2009年   1707篇
  2008年   1876篇
  2007年   1710篇
  2006年   1585篇
  2005年   1154篇
  2004年   847篇
  2003年   569篇
  2002年   523篇
  2001年   487篇
  2000年   393篇
  1999年   153篇
  1998年   65篇
  1997年   35篇
  1996年   36篇
  1995年   30篇
  1994年   17篇
  1993年   14篇
  1992年   18篇
  1991年   13篇
  1990年   16篇
  1989年   19篇
  1988年   10篇
  1987年   8篇
  1986年   10篇
  1985年   3篇
  1984年   2篇
  1983年   5篇
  1982年   4篇
  1981年   3篇
  1980年   4篇
  1979年   7篇
  1959年   8篇
  1951年   3篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
51.
本文采用反相微乳液聚合的方法合成了丙烯酰胺(AM)/丙烯酰氧基乙基三甲基氯化铵(AD-AMQUAT)/聚氧乙烯大单体(PEO-A)/N,N'-亚甲基双丙烯酰胺(Bis)的四元共聚物微粒.研究了该微粒助留剂的结构与性能.这种微粒和纸纤维能够通过离子键和氢键作用显著地增强助留效果.  相似文献   
52.
一种连续波多站发射机及频谱分析   总被引:2,自引:2,他引:0  
漆家国 《电讯技术》2002,42(2):44-47
介绍了一种连续波多站发射机的新方案,从理论上对该机的发射频谱进行了分析,并与实际结果进行比较。理论和实际都证明该方案具有很好的交调抑制、谐波抑制和杂波抑制、相噪低等诸多优点。  相似文献   
53.
缓冲层对氮化镓二维生长的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN)。通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核,准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。  相似文献   
54.
大型储罐底板焊接及变形控制是保证储罐整体施工质量的关键环节,采用碎丝填充的焊接方法可以防止变形,同时可以有效地避免应力集中,提高施工质量。文章介绍了碎丝埋弧焊的原理、工艺参数和焊接方法。实践证明,填充碎丝不仅是一种减小底板焊接变形的手段,同时可以充分利用焊接热能,节约焊接时间和焊剂用量,经济效益好,是一种值得推广的技术。  相似文献   
55.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作   总被引:2,自引:1,他引:1  
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。  相似文献   
56.
产品设计方案的多目标决策分析及其智能支持系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
吴明赞  亓霞  黄鹍  郑镭 《工业工程》2003,6(6):58-61
用模糊多目标决策方法对产品设计方案进行决策分析并设计出相应的智能计算机支持系统,实例证明这一方法在实际应用中是有效的和可靠的。  相似文献   
57.
介绍了新型埽工——笼埽的结构形式、施工方法,其优点为:(1)克服传统埽工施工工序复杂、速度慢、效率低的缺点;(2)笼埽可工厂化生产,减少现场作业工序和作业面后移;(3)充分利用大型施工机械进行大体积单个笼埽结合机械化施工,作埽速度快、强度高;(4)减少柳料用量,利于环境保护.结合在兰考蔡集控导工程水中进占工程中的应用,从施工准备、机械配合与人员安排及施工流程等方面对笼埽施工技术作进一步说明,并总结了施工注意事项.最后,进行了效益评价并提出了扩大技术应用范围和进行水槽实验的完善思路.  相似文献   
58.
设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和.  相似文献   
59.
针对轧机产量提高后冷床冷却能力不足的问题 ,研制开发了棒材轧后穿水冷却技术。通过对小规格 2 0MnSiV热轧带肋钢筋进行轧后穿水冷却 ,钢材上冷床温度降低了 90~ 110℃ ,提高了产品质量 ,改善了各项力学性能 ,抗拉强度平均提高了 3 5~ 40MPa ,钢材性能合格率由 97.5 %提高到了 99.6% ,解决了冷床冷却能力不足、制约生产的瓶颈问题。  相似文献   
60.
HLA-DRB1等位基因主要参与人类的抗原免疫功能,对其进行比较研究,有助于追溯人类的进化迁移史,开发类群特异性药物.本研究以Matlab为平台,用自组织竞争网络(Self-Organizing Competitive Neural Network),对世界54个民族和人群、14个HLA-DRB1等位基因,进行了无监督模式分类.结果表明,各民族之间存在差异性,同民族的各人群之间有相似性.西伯利亚各人群,澳洲各土著人群,黑人各人群,南美印第安各人群,犹太族各人群,日本各人群,及欧美白人各人群有相对独立性:南美印第安人与西伯利亚人有高度相似性;中国民族在南方人群和北方人群间存在较大差异;中国汉族中,广东汉族地位特殊,与少数民族如拉祜族、瑶族关系密切.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号