FORWARD GATED—DIODE METHOD FOR EXTRACTING HOT—CARRIER—STRESS0INDUCED BACK INTERFACE TRAPS IN SOI／NMOSFETs

The forward gated-diode R-G current method for extracting the hot-carrier-stress-induced back interface traps in SOI/NMOSFET devices has been demonstrated in this letter. This easy and accurate experimental method directly gives the induced interface trap density from the measured R-G current peak of the gated-diode architecture. An expected power law relationship between the induced back interface trap density and the accumulated stress time has been obtained.     

Interfacial reactions in In-Sn/Ni couples and phase equilibria of the In-Sn-Ni system

The In-Sn-Ni alloys of various compositions were prepared and annealed at 160°C and 240°C. No ternary compounds were found; however, most of the binary compounds had extensive ternary solubility. There was a continuous solid solution between the Ni₃Sn phase and Ni₃In phase. The Sn-In/Ni couples, made of Sn-In alloys with various compositions, were reacted at 160°C and 240°C and formed only one compound for all the Sn-In alloys/Ni couples reacted up to 8 h. At 240°C, Ni₂₈In₇₂ phase formed in the couples made with pure indium, In-10at.%Sn and In-11at.%Sn alloys, while Ni₃Sn₄ phase formed in the couples made of alloys with compositions varied from pure Sn to In-12at.%Sn. At 160°C, except in the In/Ni couple, Ni₃Sn₄ formed by interfacial reaction.     

多线程同步技术在电感自动测试系统中的应用

多线程同步技术能够更好地开发并行性任务和提高系统性能.为实现高速的仪器测量与低速的机械动作之间的有机协调,提高工作的效率,在研究了Windows线程同步机制和CVI多线程技术中数据保护的基础上,给出了利用事件内核对象和线程安全变量来实现电感自动测试系统的方法,同时给出了工作线程的流程图.实际使用结果表明:该系统对单台测...     

地铁移动通信无线网络建设研究

主要总结上海地铁无线网络覆盖设计上的技术要点、解决方案。在地铁特殊场景下。对各运营商如何对现有系统进行3G改造,新建系统如何规划设计等方面进行了分析、研究。     

基于复用计算全息元件的多阶模式偏置波前传感器

提出利用复用计算全息元件实现多阶模式同步的偏置模式波前传感器。对基于复用计算全息元件的多阶模式偏置波前传感器进行了理论分析。为了实现复用计算全息元件,分别编码设计了包含4阶,10阶和20阶Zernike像差模式的复用计算全息图,讨论了复用计算全息图设计中几个关键问题。数值模拟研究了复用计算全息图对单阶和多阶像差模式的探测性能。结果表明,在一定探测范围内,传感器能够响应与全息图内预先记录像差模式相同的待测像差模式,且每一个模式的灵敏度都不同。全息图内记录模式数较少时,单阶模式探测的灵敏度较大;记录模式数越多,模式之间擦除效应越严重,单阶和多阶模式灵敏度都受到一定影响。     

InSb红外焦平面探测器十字盲元问题的研究

InSb红外焦平面探测器在中波红外波段占据重要地位,但十字盲元问题严重降低了探测器的性能.通过聚焦离子束定位剥离手段,发现了十字盲元区域的铟凸点失效.进一步检测发现,铟凸点制备参数欠佳.通过改进铟凸点形状和增加高度,加强了焊接面的牢固度.此后发现极少InSb器件存在十字盲元问题.在80℃下对铟凸点改进后的InSb红外器...     

基于NB-IoT的智能烟感系统

传统的独立式烟感设备具有高成本,难以管理的技术痛点,已不再满足当下的消防需求。针对这样的问题,本文以实际应用需求为背景,开发设计了一款基于NB-IoT的智能烟感系统,集成Web系统端、移动APP端,降低管理和部署成本,提升管控效率,为“智慧城市”保驾护航。     

理论分析毫米波螺旋线行波管慢波系统导体和介质损耗

该文基于夹持杆分层螺旋带模型和3维电磁场模型分析,详细研究了毫米波螺旋线行波管慢波系统的导体和介质损耗。螺旋带模型中介质损耗考虑为纵向传播常数的虚部,给出电磁场的解析解,导体损耗由螺旋线和管壳表面的面电流不连续性获得。3维电磁场模型分析通过本征模法,求解单周期结构的品质因数和周期储能,获得有限导电率导体和夹持杆陶瓷损耗角带来的慢波系统高频损耗。结果表明,毫米波段螺旋线的导体损耗和夹持杆的介质损耗远大于管壳导体损耗,介质损耗与陶瓷损耗角呈线性关系,对高频损耗的影响不可忽略。     

4H-SiC中点缺陷的第一性原理研究

基于密度泛函理论和第一性原理,对4H-SiC晶格中5种点缺陷(VC,VC-C,填隙B,替位B和替位P)的晶格常数、电荷布居、能带等微观电子结构进行了计算,并从缺陷形成能、杂质电离能和载流子浓度等角度分析了这些点缺陷对材料性能的影响.计算结果表明:在这些点缺陷中,C空位的形成能最低,仅为5.929 1 eV,属于比较容易形成的一类点缺陷.同时在能带图中可以看到填隙B的禁带中央附近出现了一条新能带,这条新能带的产生促使填隙B成为5种缺陷中禁带宽度最小的缺陷,有利于SiC半导体器件中载流子的输运.在3种杂质点缺陷中,替位P的电离能最小.掺杂杂质电离能越小,电离程度越深,产生的载流子浓度也越大,这一结论在载流子浓度的计算结果中也得到了验证.     

单刀双掷RF MEMS开关的研究与设计

介绍了一种基于横向金属接触的DC-5GHz单刀双掷RF MEMS开关的研究与设计．横向金属接触开关包括了一套有限的共面波导（FGCPW）传输线和左右摆动的悬臂梁．为了降低开启电压,设计了一种曲折型的折叠梁结构,通过理论分析与仿真实验验证了该结构的可行性,并利用MetalMUMPs工艺加以实现．测试结果显示,该开关在5GHz处的插入损耗为0．8dB,回波损耗大于20dB,隔离度为40dB．测得最低开启电压为33V．