谷氨酰胺(Gln)活性肽营养液的研究进展

对G1n小肽在氨基酸营养液中的使用以及G1n小肽的稳定性和代谢机制进行了论述。G1n是一种“条件必需氨基酸”，但Cln的水溶液不稳定，因而在氨基酸输液或氨基酸营养被中，用G1n小肽代替G1n单体使用。G1n小肽含有取代的α—NH2，使Cln小肽的稳定性大大增加。     

无氢类金刚石碳膜的研究进展

介绍了无氢类金刚石碳膜的制备方法 ,它们的机械、光学、电学性能 ,将无氢与含氢的类金刚石碳膜进行了简单比较 ,总结及探讨了它们的应用     

长链烯烃-苯烷基化反应的分子筛催化剂再生性能的研究

通过热重分析和活性稳定性评定考察催化剂的再生性能。研究结果表明,进行氯气吹扫以及苯抽提后进行氮气吹扫两种预处理,导致失活催化剂的起燃点和烧焦反应活化能均有所提高,有利于控制烧焦反应速度。按苯抽提、氮气吹扫、烧焦的顺序,分三个阶段进行催化剂再生,再生催化剂的活性稳定性得到更充分的恢复。     

飞行人员骨密度与内分泌调节关系的探讨

对37名骨密度(BD)低下的飞行员(实验组)和BD正常的48名飞行员、100名地面人员(正常对照组)进行了BD和血清TT_3、TT_4、TSH IRMA、CT、PTH、E_2和T放射免疫测定。结果显示,实验组BD均值明显低于对照组(p<0.01),血清TT_3、TT_4、CT、E_2(女性)和T(男性)均值与对照组比较,大多数年龄存在着显著或非常显著差异(p<0.05或p<0.01)。同时对飞行人员BD与几种内分泌激素关系进行了探讨。     

葡萄糖电解氧化还原工艺研究

采用自制的无膜电解槽，对同时电解氧化还原葡萄糖生成葡萄糖酸和山梨醇的工艺进行了研究。所得到的最佳工艺条件为：葡萄糖浓度０．４ｍｏｌ／Ｌ，ｐＨ值１１，电流密度３Ａ／ｄｍ￣２。在此条件下电解１２ｈ，葡萄糖转化率可达９６．４％，葡萄糖酸产率８８％，山梨醇产率１０％。同时，考察了和Ｚｎ￣（２＋）加入以及ｐＨ值对电流效率的影响。     

时间分幅全息技术及其应用

本文介绍了一种对研究发动机燃烧过程有着重要应用价值的实验技术－时间分幅全息技术，本文就该技术中常常出现的重影问题做了重点研究，通过分析重影出现的根源，找到了一种消除重影的新方法，文章还举例说明了该技术在液体破碎机理问题保研究中的应用。     

搪瓷釉料新颖添加剂铝溶胶

搪瓷釉料新颖添加剂铝溶胶任岳荣（浙江省明矾石综合利用研究所３２５０２８）ＮｅｗＡｄｄｉｔｉｖｅＡｌｕｍｉｎａＳｏｌｆｏｒＧｌａｚｅｏｆＥｎａｍｅｌ￥ＲｅｎＹｕｅｒｏｎｇ（ＺｈｅｊｉａｎｇＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＣｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅＵｔｉｌｉｚａｔ...     

P偏振光双表面反射比的角谱及其应用

p-偏振光在镀膜平板基片两面的反射光强度比值的角谱是膜层参数(折射率、消光系数和厚度)的函数.实验表明通过角谱的测量和数值模拟是精确测量薄膜参数的新途径.基于此原理,还试制出掺Sb的SnO2溶胶凝胶薄膜的光化学气敏传感器.     

Effects of Sc2O3 and MgO passivation layerson the output power of AlGaN/GaN HEMTs

The low temperature (100°C) deposition of Sc₂O₃ or MgO layers is found to significantly increase the output power of AlGaN/GaN HEMTs. At 4 GHz, there was a better than 3 dB increase in output power of 0.5×100 μm² HEMTs for both types of oxide passivation layers. Both Sc₂ O₃ and MgO produced larger output power increases at 4 GHz than conventional plasma-enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiN_x passivation which typically showed ⩽2 dB increase on the same types of devices. The HEMT gain also in general remained linear over a wider input power range with the Sc₂O₃ or MgO passivation. These films appear promising for reducing the effects of surface states on the DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs