激光角膜矫正术中所用激光波长的选择

用分光光度计测定了12例兔角膜和1例人角膜的吸收光谱,结果表明波长小于300nm的准分子激光和波长在1.88μm～2.64μm,2.36μm～40μm的激光,均可对角膜进行切割并可望用于激光角膜矫正术。     

新型曲面换能器阵指向性研究

利用抛物面几何结构的自聚焦性能优化设计了一种新型的抛物面换能器阵。基于声场理论,推导出换能器阵的三维指向性函数表达式。数值仿真了阵元数目、抛物面焦距和工作频率等参数对阵列指向性因数的影响。仿真实验结果表明,相对于传统平面圆环阵列而言,在换能器目数相同的情况下,抛物面相控阵列指向性因数增加了1倍,具有较高的指向性和抑制旁瓣能力,是较理想的组合声源。通过优化参数,抛物面换能器阵可获得最佳指向性,进而为声频定向扬声器的设计及研究提供了理论基础。     

用于弹载线阵红外与激光扫描成像引信的轻量化卷积神经网络目标识别方法

为了进一步提高末敏弹在复杂战场环境下对地面装甲目标的识别概率,提出了一种基于轻量化卷积神经网络的红外图像与距离像复合探测识别方法。网络设计考虑了弹载环境对实时性的要求,将网络划分为特征提取、特征融合2个阶段。在特征提取阶段,对不同源的图像进行了分布式卷积,提高了网络的并行性,降低了网络参数量与计算量; 为了弥补分布式卷积带来的特征损失,将距离像与红外图像的融合图像也一并作为网络输入; 在特征融合阶段利用深度可分离卷积实现了进一步的轻量化设计。通过仿真缩比实验环境获得的数据集进行实验验证,实验结果表明,网络具有较小计算复杂度的同时能够对复杂背景环境下的装甲目标进行有效识别。     

大型天然气净化厂硫磺回收加氢尾气深度脱硫技术研究及工业应用

针对硫磺回收加氢尾气脱硫溶剂在低压下脱硫效果不理想导致排放尾气中SO_2质量浓度较高的问题,研究开发出了CT8-26加氢尾气深度脱硫溶剂,并在遂宁龙王庙天然气净化厂尾气处理装置上得到工业应用。应用结果表明,在天然气净化厂气质条件下,可使脱硫后加氢尾气中的H2S质量浓度20mg/m~3,能显著降低排放尾气中的SO_2质量浓度。     

表面安装和高密度印制线路板

当今电子，通信产品日新月异，要求电路板高密度组装，安装方式由表面实地以代通孔插装已 历史的必然，因此，印制板技术正向高密度多层化方向飞速发展。文中介绍电子元器件和装配方法演变，电路板方式种类表面安装用印制板的特点，实现印制板高密度多层化的方法，印制板安装密度的选择，评估，认定印制板委托加工的要素以及现今印制板一般加工范围。     

高能氧化剂ONPP的合成工艺优化

为了解决当前高能氧化剂1,4-双(三硝基甲基)-3,6-二硝基吡唑[4,3-c]并吡唑(ONPP)合成工艺的低硝化收率以及使用剧毒物等问题,设计并开发了ONPP的新合成路线。将ONPP溶于乙酸乙酯,采用缓慢溶剂挥发法制备出ONPP的单晶,并对不同配方进行了能量估算。结果表明,在碱和相转移催化剂Bu₄NBr(TBAB)的参与下,3,6-二硝基吡唑[4,3-c]并吡唑(DNPP)与溴丙酮反应,在吡唑环上引入2个丙酮基团,接着使用HNO₃/H₂SO₄/P₂O₅硝化体系对其进行硝化,合成得到了ONPP,两步总收率为31%。相较原工艺(两步总收率为10.4%),新工艺的产品收率提升了近3倍,且避免了剧毒物丁烯酮的使用,更适合放大化生产。单晶衍射结果为：ONPP的晶体为单斜晶系,P2₁/c空间群,晶体密度为1.983 g·cm^-3(293 K)。经过对端羟基聚丁二烯(HTPB)(占比10%)、Al粉(占比20%)和氧化剂(占...     

基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器

采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAs QWIP焦平面探测器阵列。 用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估,针对不同材料结构,实现了9 μm和10.9 μm的截止波长; 黑体探测率最高达到2.6×109 cm·Hz1/ 2·W-1 。 将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连,成功演示了室温环境下目 标的红外热成像;并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径。     

基于感兴趣区域的三维多描述量化编码

为了保证在高误码信道情况下图像通信的传输质量,提出了一种新的基于感兴趣区域的三维多描述量化编码方法,该方法在三维空间对码本进行排列,将信源量化为3路互补的信号,通过任意2路信号均能完全恢复原图像信号,适用于感兴趣区域的图像编码.     

真空开关CuCrTe触头材料的组织与性能

为了改进混粉烧结CuCrTe触头材料的缺陷并且增大触头材料的开断能力,采用真空熔铸法制造工艺研制了CuCrTe触头材料并对其性能进行了测试。结果表明,真空熔铸CuCrTe材料在显微组织、抗熔焊性能、开断电流能力、截流水平、耐电压水平方面都优于粉末冶金CuCr50材料,特别是开断电流能力提高了26%多,是一种有发展前途、性能优良的触头材料。     

数控多线切割技术及发展趋势

数控多线切割技术实现了集成电路制造技术的跨越式发展,已成为数控机床制造技术及集成电路制造技术的重要标志,引起了发达国家的广泛重视。论述了数控多线切割技术的特征;介绍了我国自行研制的XQ120和XQ300系列数控多线切割机床并与国外产品进行比较;指出了开发大型数控多线切割机床的技术难点;阐述了我国研发具有自主知识产权的大型数控多线切割机床设备的必要性。