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71.
电力市场效率理论及其评价方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
王威  邵山  李磊  汤洪海  赵岩  夏清 《电网技术》2009,33(14):79-85
电力市场效率研究是电力市场建设的核心问题。文章提出了考虑宏观因素、市场内部因素、物理因素的广义电力市场效率理论,从电力市场效益、交易成本、外部性、市场力、风险等方面详细论述了产权制度、政府职能、法律保障、市场机制、市场结构、交易品种、交易方式、电网结构等因素对电力市场效率的影响,提出了基于资源配置状态、生产者和消费者剩余及其增量的电力市场效率评估关键指标,从不同层面有效评估了电力市场效率。  相似文献   
72.
73.
针对当前代表性低清小脸幻构方法存在的视觉真实感弱、网络结构复杂等问题,提出了一种基于相对生成对抗网络的低清小脸幻构方法(tfh-RGAN).该文方法的网络架构包括幻构生成器和判别器两个部分,通过像素损失函数和相对生成对抗损失函数的联合最小化,实现生成器和判别器的交替迭代训练.其中,幻构生成器结合了残差块、稠密块以及深度可分离卷积算子,保证幻构效果和网络深度的同时降低生成器的参数量;判别器采用图像分类问题中的全卷积网络,通过先后去除批归一化层、添加全连接层,充分挖掘相对生成对抗网络在低清小脸幻构问题上的能力极限.实验结果表明,在不额外显式引入任何人脸结构先验的条件下,该文方法能够以更简练的网络架构输出清晰度更高、真实感更强的幻构人脸.从定量角度看,该文方法的峰值信噪比相较之前的若干代表性方法可提高0.25~1.51 dB.  相似文献   
74.
针对利用相机传感器模式噪声的篡改检测在待测 图像纹理复杂区域存在较高的虚警,提出了一种考 虑纹理复杂度的自适应阈值检测算法。根据Nyman-Pierson(N-P)准则,确定不同纹理复杂 度对应的相关性匹配 判定阈值,而得到相关性阈值与纹理复杂度的关系拟合函数。在不重叠分块计算待测 图像噪声残差 和其来源相机传感器模式噪声对应块相关性的基础之上,根据待测图像块不同的纹理复杂度 进行相关性匹 配,确定大致篡改位置;再用快速零均值归一化互相关(ZNCC) 算法计算两噪声图像中大致篡改区域对应点的相关性,实现精确定 位。在手机图像库上的实验表明,与现有的固定阈值方法相比,本文算法的检测率达 到了98.8%,而虚 警率仅为1.897%,有效地降低纹理复杂区域的虚警率,并实现对篡改 区域的精确定位;同 时,与传统的滑动窗口方法相比,本文算法检测效率平均提高了26倍 。  相似文献   
75.
波分复用光网中的一种新型波长分配算法   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
目前网络承载业务的趋势是以IP为中心的数据业务,从而促进了以WDM光网络向高速和宽带多波长的应用和普及,为了进一步提高网络的性能并提高资源利用率,出现了光网络控制面技术.路由选择与波长分配问题是WDM光传输网络控制面中非常重要的问题之一.目前实际应用最广泛的波长分配算法是First-Fir(FF)算法.本文基于FF算法,研究动态业务下波分复用光网络在固定选路下的波长分配问题,提出了一种新的波长分配启发式算法——Joint First Fit.计算机仿真试验表明,与常用的FF算法相比,该算法显著的降低了网络呼叫阻塞率,有利于提高网络资源的利用率.  相似文献   
76.
采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC~ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %~ 86%之间 ,代表着国内 Ga As单片电路成品率的最高水平  相似文献   
77.
在半导体制造业中,由于其设备的昂贵性、敏感性和制造过程的复杂性,工厂的布局一般不可以轻易更改。设计不周的不良布局将会导致庞大的物料搬运成本,无效的生产以及重新布局时所需要的大量成本。因此,工厂的设施规划已经成为半导体制造商们最关心的问题之一。本文依据设施规划的原则对半导体车间的最新布局方式作了系统的阐述。  相似文献   
78.
静态时序分析由于速度快和容量大而广泛应用于时序验证,而门延时的计算则是静态时序分析中的关键部分。以前利用等效输出驱动点导纳函数相等原理产生的模型,由于不能很好的与等效电容公式结合,门延时的计算存在过于悲观性或乐观性结果。本文采用输出驱动导纳和互连线拓扑结构相结合的方法, 对门延时负载模型进行了改进,很好地与等效电容计算结合,保证了静态时序分析的准确性。  相似文献   
79.
半导体晶圆制造车间层控制的内容及方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
半导体晶圆制造企业是资本密集、技术密集型产业,晶圆制造厂也是公认生产最为复杂的工厂之一。产品更新换代快、市场竞争激烈等特点使得投资者对设备产能和设备利用率高度重视。这已不仅仅是技术问题,而是生产制造过程管理的问题。本文介绍了半导体晶圆制造车间层控制的内容及方法。  相似文献   
80.
报道了利用光纤耦合大功率半导体激光器 (LD)抽运Nd∶GdVO4晶体 ,采用平凹谐振腔 ,输出 1 34μm波长的高功率连续波固体激光器。在抽运功率为 1 4 75W时 ,获得最大输出功率为 4 6 2W ,光 光转换效率为 31 3% ,斜率效率达 32 9%。利用实验测得的阈值抽运功率和斜率效率 ,计算了Nd∶GdVO4晶体在 1 34μm波长处的受激发射截面  相似文献   
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