首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   89298篇
  免费   1485篇
  国内免费   423篇
电工技术   856篇
综合类   2329篇
化学工业   12708篇
金属工艺   4971篇
机械仪表   3378篇
建筑科学   2259篇
矿业工程   564篇
能源动力   1370篇
轻工业   4155篇
水利工程   1278篇
石油天然气   342篇
无线电   10364篇
一般工业技术   17694篇
冶金工业   2781篇
原子能技术   361篇
自动化技术   25796篇
  2023年   110篇
  2022年   151篇
  2021年   271篇
  2020年   209篇
  2019年   212篇
  2018年   14650篇
  2017年   13567篇
  2016年   10205篇
  2015年   849篇
  2014年   548篇
  2013年   616篇
  2012年   3549篇
  2011年   9889篇
  2010年   8640篇
  2009年   5947篇
  2008年   7053篇
  2007年   7966篇
  2006年   340篇
  2005年   1383篇
  2004年   1293篇
  2003年   1315篇
  2002年   672篇
  2001年   181篇
  2000年   260篇
  1999年   137篇
  1998年   139篇
  1997年   93篇
  1996年   99篇
  1995年   59篇
  1994年   36篇
  1993年   20篇
  1992年   33篇
  1991年   35篇
  1990年   16篇
  1988年   18篇
  1969年   24篇
  1968年   43篇
  1967年   33篇
  1966年   42篇
  1965年   44篇
  1963年   28篇
  1962年   22篇
  1961年   18篇
  1960年   30篇
  1959年   35篇
  1958年   37篇
  1957年   36篇
  1956年   34篇
  1955年   63篇
  1954年   68篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
101.
We present some sufficient and necessary conditions for convergent splitting of a non-Hermitian indefinite matrix. Some sufficient conditions to determinate a matrix with a (strongly) dominant symmetric part for a class of boundary value problem are also obtained. These results are applicable to identify the convergence of iterative methods for solving large sparse systems of linear equations.  相似文献   
102.
High performance enhancement mode InP MISFET's have been successfully fabricated by using the sulfide passivation for lower interface states and with photo-CVD grown P3N5 film used as gate insulator. The MISFET's thus fabricated exhibited exhibited pinch-off behavior with essentially no hysteresis. Furthermore the device showed a superior stability of drain current. Specifically under the gate bias of 2 V for 104 seconds the room temperature drain current was shown to reduce from the initial value merely by 2.9% at the drain voltage of 4 V. The effective electron mobility and extrinsic transconductance are found to be about 2300 cm 2/V·s and 2.7 mS/mm, respectively. The capacitance-voltage characteristics of the sulfide passivated InP MIS diodes show little hysteresis and the minimum density of interface trap states as low as 2.6×1014/cm2 eV has been attained  相似文献   
103.
104.
105.
Phase-change read-and-write memory (PRAM) is a promising memory that can solve the problems of conventional memory—scalability, read/write speed, and reliability. We will review the opportunities and technical challenges of PRAM. The most important challenge of PRAM is the reduction of the writing current. Various approaches to reduce the writing current will be reviewed and the prospects of PRAM are discussed.  相似文献   
106.
107.
The aim of this paper is to propose new organizational factors that might explain the differences in the extent and the speed of IT adoption. With this in mind, we carried out an analysis of 16 cases in the pharmaceutical distribution sector in Spain. The results indicate that there are certain intangible assets that favour the introduction and development of IT. Among these are a frank and fluid communication between departments and members of the organization, low levels of conflict, the explicit support of top management towards IT adoption and learning and creative skills of IT-staff. In addition to these factors, we found others that we propose as catalysts of IT adoption. Among these we might mention the special relationship between the member-clients and the company in the case of cooperative firms.  相似文献   
108.
109.
110.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号