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961.
Kumar  E. Sathish  Kumar  P. Suresh 《SILICON》2022,14(13):7623-7631
Silicon - Advances in microelectronics have enabled smaller technical nodes, lower threshold voltages, and greater working frequencies. Even though VLSI circuit performance and power consumption...  相似文献   
962.
Chugh  Nisha  Kumar  Manoj  Haldar  Subhasis  Bhattacharya  Monika  Gupta  R.S. 《SILICON》2022,14(3):1029-1038
Silicon - In the present communication, for the first time, applicability of Field Plate (FP) for Double Channel (DC) AlGaN/GaNHEMT is demonstrated. Impact of design space parameters such as field...  相似文献   
963.
Kumar  Parshant  Srivastava  Vijay Kumar 《SILICON》2022,14(3):943-954
Silicon - Ceramic composites are extremely sensitive to the surrounding environment. Their tribological performance may degrade drastically if they are polluted by some external agent. The present...  相似文献   
964.
Vijaya Kumar  P.  Jebakani  D.  Velmurugan  C.  Senthilkumar  V. 《SILICON》2022,14(3):1247-1252
Silicon - In this study, an attempt was made to enhance the mechanical and microstructural properties of aluminium (Al) based FGM with the influence of silicon carbide (SiC) elements. The five...  相似文献   
965.
Arunkumar  S.  Kumar  A. Senthil 《SILICON》2022,14(5):1959-1967
Silicon - The hybrid metal matrix composite is developed through stir casting process. In theAl7075 aluminium matrix material, two different combination of reinforcements are used to make hybrid...  相似文献   
966.
Ajith Kumar  K. K.  Srinivasan  A.  Pillai  U. T. S.  Pai  B. C.  Chakraborty  M. 《SILICON》2022,14(15):9499-9515
Silicon - The present work aims at understanding the microstructure and mechanical property correlation of hypo (Mg-0.5, 0.7, 1.15 wt% Si) and hyper (Mg-2, 4, 6, 8 and 10 wt% Si) eutectic binary...  相似文献   
967.
Patnaik  Lokeswar  Maity  Saikat Ranjan  Kumar  Sunil 《SILICON》2022,14(15):9617-9634
Silicon - Silicon (Si) and silver (Ag) doped amorphous carbon (a-C) thin film were deposited on chrome nitrided 316 LVM stainless steel using filtered cathodic vacuum arc (FCVA) deposition...  相似文献   
968.
Kumar  Sachin  Yadav  Dharmendra Singh 《SILICON》2022,14(15):9291-9304
Silicon - Accumulation of trap charges at the semiconductor and oxide interface is the most dominating factor and cannot be neglected as it degrades device performance and reliability. This...  相似文献   
969.
Gupta  Vidyadhar  Awasthi  Himanshi  Kumar  Nitish  Pandey  Amit Kumar  Gupta  Abhinav 《SILICON》2022,14(6):2989-2997
Silicon - This present article interprets the analytical models of central channel potential, the threshold voltage, and subthreshold current for Graded-Doped Junctionless-Gate-All-Around...  相似文献   
970.
Das  Satish K.  Nanda  Umakanta  Biswal  Sudhansu M.  Pandey  Chandan Kumar  Giri  Lalat Indu 《SILICON》2022,14(6):2965-2973
Silicon - Short channel effects (SCEs) along with mobility degradation has a great impact on CMOS technology below 100 nm. These effects can be overcome by using gate and channel...  相似文献   
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