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961.
Silicon - Advances in microelectronics have enabled smaller technical nodes, lower threshold voltages, and greater working frequencies. Even though VLSI circuit performance and power consumption... 相似文献
962.
Chugh Nisha Kumar Manoj Haldar Subhasis Bhattacharya Monika Gupta R.S. 《SILICON》2022,14(3):1029-1038
Silicon - In the present communication, for the first time, applicability of Field Plate (FP) for Double Channel (DC) AlGaN/GaNHEMT is demonstrated. Impact of design space parameters such as field... 相似文献
963.
Silicon - Ceramic composites are extremely sensitive to the surrounding environment. Their tribological performance may degrade drastically if they are polluted by some external agent. The present... 相似文献
964.
Silicon - In this study, an attempt was made to enhance the mechanical and microstructural properties of aluminium (Al) based FGM with the influence of silicon carbide (SiC) elements. The five... 相似文献
965.
Silicon - The hybrid metal matrix composite is developed through stir casting process. In theAl7075 aluminium matrix material, two different combination of reinforcements are used to make hybrid... 相似文献
966.
Ajith Kumar K. K. Srinivasan A. Pillai U. T. S. Pai B. C. Chakraborty M. 《SILICON》2022,14(15):9499-9515
Silicon - The present work aims at understanding the microstructure and mechanical property correlation of hypo (Mg-0.5, 0.7, 1.15 wt% Si) and hyper (Mg-2, 4, 6, 8 and 10 wt% Si) eutectic binary... 相似文献
967.
Silicon - Silicon (Si) and silver (Ag) doped amorphous carbon (a-C) thin film were deposited on chrome nitrided 316 LVM stainless steel using filtered cathodic vacuum arc (FCVA) deposition... 相似文献
968.
Silicon - Accumulation of trap charges at the semiconductor and oxide interface is the most dominating factor and cannot be neglected as it degrades device performance and reliability. This... 相似文献
969.
Gupta Vidyadhar Awasthi Himanshi Kumar Nitish Pandey Amit Kumar Gupta Abhinav 《SILICON》2022,14(6):2989-2997
Silicon - This present article interprets the analytical models of central channel potential, the threshold voltage, and subthreshold current for Graded-Doped Junctionless-Gate-All-Around... 相似文献
970.
Das Satish K. Nanda Umakanta Biswal Sudhansu M. Pandey Chandan Kumar Giri Lalat Indu 《SILICON》2022,14(6):2965-2973
Silicon - Short channel effects (SCEs) along with mobility degradation has a great impact on CMOS technology below 100 nm. These effects can be overcome by using gate and channel... 相似文献