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71.
Shihong XU Pengshou XU Mingrong JI Xianming LIU Maosheng MA Jingsheng ZHU Yuheng ZHANG Structure Research Laboratory University of Science Technology of China Hefei ChinaZhenjia XU Institute of Semiconductor Academia Sinica Beijing China 《材料科学技术学报》1993,9(6):437-440
The alkali-metal Na adsorption on Si(100)2×1 surface and its promoted oxidation and Si oxidegrowth have been investigated by means of thermal desorption,work function,Auger electronspectroscopy and photoemission electron spectroscopy.The experimental data showed that therewas a new state,interface electron state,near the Fermi level after the deposition of Na atoms.It wasfound that the presence of Na always caused an increase of the oxygen initial uptake whereas thepromotion of Si oxide growth was observed only at the coverage of Na greater than 0.5 ML.A newmechanism of Na-promoted Si oxide growth is suggested in this paper. 相似文献
72.
湿敏半导体材料电导率计算方法的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
结合修正了的耗尽层理论和多孔湿敏半导体的特点,本文提出了一个简单的物理模型作为n型湿敏半导体特征的一级近似。描述了多孔湿敏半导体的导电机理,并给出了湿度与宏观电导率的关系。 相似文献
73.
差分式连续时间电流型CMOS跨导—电容低通滤波器 总被引:1,自引:0,他引:1
应用信号流图法对电流系统传递函数直接模拟,提出了一种新颖的差分式连续时间电流模式CMOS跨导-电容低通滤波器的实现方案。由于采用了差分式结构和电流负反馈,整个电路方案具有差分式结构和电流型电路的优点;并且仅使用最少数量的OTA和电容,与数字CMOS工艺兼容,适于全集成。面向实际电路完成了MOS管级的计算机仿真,结果表明,所提出的电路方案正确有效 相似文献
74.
75.
相似理论在真空灭弧室研究和设计中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
本文应用相似理论得出,真空灭弧室中电弧运动速度与电流强度成线性关系的相似准则,和极限开断电流与触头直径、开距间的经验公式。认为用小电流模型来研究大电流真空灭弧室是可行的。 相似文献
76.
本文推荐陈林根编著的《工程化学》对化学热力学基本公式△G=△H-T△S的引出方法,试探基础教学的改革。 相似文献
77.
本文围绕有希望实现实用化的PbCl_2基氯离子导体,着重从材料研制、应用探索及应用前景这三个方面概述了氯离子导体研究的状况和今后动向。 相似文献
78.
薄层反射波非零炮检距的属性特征 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从薄层顶、底界面反射波的走时入手,研究了薄层反射波在非零炮检距集上出现的干涉现象,导出了薄层反射波在出现干涉时的炮检距计算公式,说明薄层干涉出现的炮检距是多变量函数,即随着埋藏深度h、地层速度v、薄层厚度Δh以及地震波的主频f*的变化而改变。本文重点分析了地层厚度Δh和地震子波主频f*对反射波振幅特性和频率特性的影响。在充分分析薄层反射的振幅、频谱随炮检距变化关系的基础上,指出在应用叠前信息(如AVO分析)进行储层预测等方面的研究时,应充分考虑薄层反射波的干涉和调谐现象带来的振幅和频率特征的变化。 相似文献
79.
根据斯涅尔定律和菲涅尔公式阐述清水衬底法消除玻璃下界面手印或玻纹的影像,以及用偏振光,紫外线拍摄玻面痕迹的方法和机理。 相似文献
80.
本文对激光结晶a-Si∶H SOI结构砷注入和快速退火行为作了研究.a-Si∶H激光结晶有Lp-LCR,OD,FCR-2,FCR-1四个结晶区.用剖面电镜观察了结晶区的结构.扩展电阻测量表明Lp-LCR区中有两种扩散机制,即杂质在晶粒体内扩散和沿缺陷扩散.OD区中有三种扩散形式,除有上述两种以外,还有沿缺陷的扩散.首次比较了沿晶界和缺陷的扩散速度. 相似文献