重污染地区的合成绝缘子憎水性能研究

目前，合成绝缘子已经在我国各种不同类型的中等和严重污染环境下得到广泛应用。随着运行时间的延长和合成绝缘子表面的长期积污，其憎水性能将会有所改变。对在我国东北地区佳木斯电网中运行了近10年的40余只110kV的硅橡胶合成绝缘子按国际通行方法进行了全面的外观检测、等值盐密(ESDD)、等值灰密(NsDD)测试和憎水性能评估等4个方面的研究。试验取得了大量的研究数据，并发现了一些规律。     

浙江省地闪密度图的绘制方法及其有效性验证

为绘制、研究浙江省地闪密度分布图,选取浙江省雷电定位系统积累的2004～2006年雷电定位系统监测数据为研究样本,提出了利用海量雷电自动监测数据绘制出高分辨率地闪密度图的方法—网格法;依据网格的地闪密度值采用自然分割法将全省区域划分为5级雷区,最终形成了浙江省1km分辨率5级分色地闪密度图。通过分析浙江省地形情况,得出了地闪密度空间分布与地形季风相关性较强的结论;通过分析2004～2006年浙江电网雷击故障点与各级雷区的位置相关性,得出了故障次数与雷区等级正相关的结论,从而验证了地闪密度图的有效性。     

回转器基本特性分析及其实现方法

在有源RC网络综合中,常用电阻、电容和运算放大器的综合。电路微型化的趋势和固件的出现,导致使用回转器和理想变压器而不使用电感来进行综合。在分析了回转器原理及其基本特性的基础上,用回转器模拟浮地电感或接地电感,以及用模拟电感来实现二阶带通与低通电路。并研讨了用运算放大器与负电阻来实现回转器网络的方法。     

特大功率AT变速器性能比对方案研究

针对特大功率AT变速器特点,分析其对整车性能的影响,制定了性能比对试验方案,并通过对某型号国外样机与国产样机进行对标分析来验证其是否合理、有效.结果表明,所制定的试验方案能够客观反映样品的性能,对该类型产品的性能评价方法亦具有借鉴意义.     

基于免疫遗传算法优化的神经网络配电网网损计算

提出了一种基于免疫遗传算法(IGA)的BP神经网络方法计算配电网的理论线损.该算法在遗传算法(GA)的基础上引入生物免疫系统中的多样性保持机制和抗体浓度调节机制,有效地克服了GA算法的搜索效率低、个体多样性差及早熟现象,提高了算法的收敛性能.为了解决BP神经网络权值随机初始化带来的问题,用多样性模拟退火算法(SAND)进行神经网络权值初始化,并给出了算法详细的设计步骤.仿真结果表明,同混合遗传算法相比,该算法设计的BP神经网络具有较快的收敛速度和较强的全局收敛性能, 比现有其它计算配电网理论线损的方法更为准确.     

YT62型液力偶合器故障分析及处理

针对YT62型液力偶合器在实际运行过程中经常出现的泵轮侧推力轴承温度偏高、泵轮和涡轮侧推力瓦块烧毁以及泵轮叶片断裂等故障进行分析及探讨,提出了改造偶合器泵轮侧推力瓦块定位盘,扩大泵轮侧径向推力轴瓦中分面的油槽通流面积,在断裂的泵轮叶片最接近180°对称的叶片上挖去和断裂叶片大小相同的部分,将转子动平衡校验后回装等处理方法和改进措施。改进后的实际运行效果表明,设备安全可靠性得到了很大提高,运行良好。     

开关稳压电源中的电磁兼容技术

从滤波和屏蔽两个方面分别论述了开关稳压电源中的电磁兼容问题。为了满足对开关稳压电源电磁兼容的要求,并从这两个方面分别提出了一些行之有效的技术和方法,并加以实验验证。     

阶梯气隙罩极电动机的新数学模型

提出了阶梯气隙罩极电动机的一种新数学模型,这一模型考虑了由于阶梯气隙存在气隙磁场畸变而增加正弦分量所产生的影响。利用矩阵理论推导出降阶的阻抗矩阵和转矩计算式。文中给出了理论分析结果和实验结果的比较。     

考虑非达西渗流的泥浆离心脱水分析

为深入探究离心脱水技术在处理主要由黏性土组成的建筑废弃泥浆时的内在机理及其影响因素,利用分段线性化方法,充分考虑黏性土中渗流的非达西特性以及土体变形的非线性特征,建立在离心作用下能够考虑其非达西渗流特性的泥浆脱水分析模型。通过与已有研究成果及室内试验结果的对比,证明了该模型的有效性。在此基础上,分析了模型参数对脱水过程的影响。研究结果表明:脱水速度和最终土水界面位移量随着电机转速的增大而增大;增加泥浆初始厚度会增大最终土水界面位移量,但会降低初期的土水界面移动速度;压缩指数在初期对土水界面位移的影响并不明显,但其增大会导致最终土水界面位移量的增加;非达西渗流参数的增大会导致土水界面位移的减少,但通过提升电机转速,可以有效地降低非达西渗流对脱水效果的不利影响。研究成果可为离心脱水技术在建筑废弃泥浆处理中的进一步优化与应用提供借鉴和参考。     

Ta/Ta2O5/Cu结构制备及应用性能研究

介绍了以Ta/Ta₂O₅/Cu为结构的平板MIM电容器的制备方法和性能测试,探究金属Cu直接作为钽电解电容器阴极层的可行性。通过阳极氧化法在钽箔表面制备非晶态的Ta₂O₅薄膜,以化学镀铜、磁控溅射镀铜两种镀铜工艺制备Ta/Ta₂O₅/Cu结构,并对所得结构进行结构表征和性能测试。实验结果表明：不同镀铜方式制备的Ta/Ta₂O₅/Cu结构在电学性能测试过程中都没有表现出电容特性,正负极之间的电阻仅有0.7Ω;以金属Cu直接作为钽电容器的阴极层会导致金属铜在测试过程中被氧化成铜离子从而进入Ta₂O₅介质层中,进而导致Ta₂O₅的击穿,因此金属铜不适合直接作为钽电容的阴极层。