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41.
PROFIBUS-DP规范及其系统浅析   总被引:2,自引:0,他引:2  
该文从现场总线标准的角度,描述了PROFIBUS-DP协议结构,重点介绍了各层的规范和服务定义,并给出第1层、第2层管理的进一步描述,从而为DP技术应用和产品开发提供了更有力的理论支持。  相似文献   
42.
火工品压药机装配误差的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
针对军用雷管生产线中压药机结构,分别用极值法和概率法对压药机冲子和雷管的配合精度,进行了装配尺寸链的描述和计算,并对所得的结果进行了比较。  相似文献   
43.
糠醛的生产及应用   总被引:6,自引:0,他引:6  
介绍了糠醛的性质,生产及其食品,医药、合成等方面的应用,并展望了其发展前景。  相似文献   
44.
用于高频谐振器的PbTiO_3基压电陶瓷   总被引:1,自引:1,他引:0  
传统的PZT压电陶瓷的相对介电常数较大,一般为1 000以上,用于高频谐振器不易与线路匹配;而PbTiO3基压电陶瓷的相对介电常数较小,一般仅为200左右,对于10 MHz以上频率的谐振器,用PbTiO3基压电陶瓷作为压电振子是最佳的选择。本文主要研究用于高频谐振器的MnO2和Nd2O3改性PbTiO3基压电陶瓷的性质。PbTiO3基压电陶瓷的性质的改善是与此种陶瓷的制备工艺,显微结构和电导机制紧密相关的。  相似文献   
45.
HNO3和有机介质中U(Ⅳ)的稳定性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了HNO_3和TBP-煤油介质中U(Ⅳ)的稳定性。测定了两种介质中U(Ⅳ)、HNO_3、TBP浓度和气相中氧浓度对U(Ⅳ)氧化速率的影响。U(Ⅳ)的氧化速率都随温度提高而明显增加.其表观活化能分别为91kJ/mol(HNO_3介质)和42kJ/mol(TBP-煤油介质)。对两种介质中U(Ⅳ)的氧化速率规律进行了比较。  相似文献   
46.
姜波  王建方 《轻金属》2002,(1):22-23
本文以我公司氧化铝厂 5 #原料磨齿箱的维修实践为例 ,介绍了大型同轴双分流齿箱易发生故障及维修方案  相似文献   
47.
1 INTRODUCTIONParticlesreinforcedtitaniumalloymatrixcomposites(TMCp)havewideapplicationfieldsfortheirattractivehighspecificstreng  相似文献   
48.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
曾莹  王纪民 《微电子学》1997,27(1):37-42
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。  相似文献   
49.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
50.
张荣  曲宏伟 《微电子学》1998,28(6):437-439
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。  相似文献   
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