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971.
稀土元素对Si—Mn—V钢淬火,回火过程中组织结构转变的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
采用透射电镜,X射线,膨胀仪等方法,对含稀土和不含稀土的4种低、中碳Si—Mn-V钢(20SiMn2V;20SiMn2VRE;40SiMn2V和40SiMn_2VRE)进行了淬火、回火过程中组织结构转变的对比试验,结果表明:稀土元素可以细化低、中碳钢的奥氏体晶粒度;降低M_s点;细化马氏体板条束和板条晶尺寸;并增加中碳钢马氏体中位错亚结构的相对比例。而对低、中碳钢淬火回火组织中残余奥氏体的体积和热稳定性影响甚微。稀土元素明显地抑制了低碳马氏体在低温回火过程中的分解,阻碍板条晶内片状渗碳体的析出,并推迟其长大球化过程。稀土元素也明显地抑制了中碳马氏体中高温回火过程中粒状渗碳体的析出和球化过程。 相似文献
972.
基于PS7219的大屏幕驱动设计及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
以PS7219芯片为基础,文章给出了数码大屏幕的一种驱动方案,并详细的介绍了该系统软硬件设计及应用。 相似文献
973.
YANG Li XUE Chengshan WANG Cuimei LI Huaixiang REN Yuwen) Chemistry Function Materials Lab Institute of Semiconductors Shandong Normal University Jinan China) Physics Department Shandong Normal University Jinan China) Inspection Institute for Electronic Products of Shandong Jinan China 《稀有金属(英文版)》2003,22(3)
Hexagonal gallium nitride films were successfully fabricated through ammoniating Ga2O3 films deposited on silicon (111) substrates by electrophoresis. The structure, composition, and surface morphology of the formed films were characterized by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), scanning electron microscopy (SEM), and transmission electron microscopy (TEM). The measurement results reveal that the polycrystalline GaN films with hexagonal wurtzite structure were successfully grown on the silicon (111) substrates. Preliminary results suggest that varying the ammoniating temperature has obvious effect on the quality of the GaN films formed with this method. 相似文献
974.
975.
976.
利用电化学、金相、能谱等方法,研究了低碳贝氏体钢在表面锈层受到不同程度的损伤后,在含Cl-环境中的继续腐蚀行为.实验发现,低碳贝氏体钢和作为对比材料的低碳钢试样的表面锈层受损伤后,在继续腐蚀过程中均能很快得到修复.在损伤程度与继续腐蚀时间相同的条件下,低碳贝氏体钢的锈层电阻与损伤修复率均高于低碳钢.低碳贝氏体钢基体/锈层界面的断裂韧性高于锈层本身.在受外界作用时,锈层不会沿基体/锈层界面彻底脱落从而在基体表面保存残留锈层.残留锈层能明显促进新锈层在损伤部位的形成.原有锈层与损伤部位新形成的锈层中Cu和Cr含量接近,并与钢基体的含量相当. 相似文献
977.
978.
979.
980.