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91.
珠江河口区水环境整体数学模型研究   总被引:15,自引:4,他引:11  
根据珠江河口区的特点,建立了珠江河口区水流,泥沙及含氟度的整体联解数学模型,探讨了联解的计算模式;利用珠江三角洲和河口区水流泥沙、含氟度连续条件,把珠江三角洲网河区一维水沙、含氟度输移数学模型和河口区二维水沙、含氟度输移数学模型进行联解。同时采用最新的地形资料并选用洪、中、枯水及大、中、小潮等多种水文组合条件对该模型进行分区验证和整体验证,模型验证成果满足精度要求。  相似文献   
92.
微机械热对流倾角仪温度补偿技术研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
王娟  徐淑静  徐爱东 《微纳电子技术》2006,43(8):393-396,404
介绍了微机械热对流倾角仪的工作原理和结构设计,利用有限元分析软件,计算了在不同倾斜状态下二维密闭腔中点热源引起的对流场和温度场,提出了环境温度对热对流倾角仪影响的模型。根据仿真结果,在电路中增加了加热丝恒定温度控制电路,建立了基于软件的环境温度补偿算法,实现了对温度影响的补偿。经测试,环境温度从-40℃变化到60℃时,倾角仪0°输入的温度稳定性为0.07°,10°输入的温度稳定性为0.02°。  相似文献   
93.
超稠油的生产工艺非常复杂,影响油井效益的因素相对较多,因此对油井的评价就要评价各类有限资源投入的利用效果,查明积极因素和消极因素及其对经济指标的影响程度,促进经营管理的改善,寻求有效利用有限人力、物力、财力等资源的途径,实现资源的优化配置。本文通过使用DEA模型可对单井效益进行评价,对单井效益进行排队,对规模效益进行分类,对生产各投入因素进行投影分析,研究弱DEA、非DEA有效的原因,寻求对油井优化成本、提高效益的改进方案。  相似文献   
94.
嵌入式GPS车载系统定位数据压缩算法的实现   总被引:2,自引:0,他引:2  
徐广君  王海 《信息技术》2006,30(4):43-46
根据嵌入式系统的特征,分析数据压缩模型工作原理,结合GPS定位数据的格式和特点,创造性地提出了嵌入式GPS定位数据的实时压缩的新算法,并通过模拟仿真得到验证,效果显著。  相似文献   
95.
图像采集系统是扫描电镜的一个重要组成部分,用于控制扫描电镜的扫描电源,视频图像采集,数字化与显示,电镜主控计算机与底层微机板的通讯和电镜照相,本图像采集系统基于PCI总线接口设计,硬件主要设计采用FPGA技术,实现了数字电路的模块化设计,集成度和灵活性高,目前,电镜图像卡已达到所要求的设计水平。  相似文献   
96.
在分析了当前高等教育培养基本模式的基础上,根据科学技术和社会经济发展的要求,提出了人才培养的模式和要求。特别针对电气工程及其自动化领域的发展趋势以及对人才的需求,提出了该专业人才的知识框架体系。  相似文献   
97.
欧文  李明  钱鹤 《半导体学报》2003,24(5):516-519
对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.  相似文献   
98.
介绍了具有相同音频、视频编码方式的MPEG - 2节目流如何合并成一个节目流。合并后的文件播放流畅并且时间显示正确 ,它包括PATPMT表的重写 ,系统头部分相关字段的更改 ,PCR值的修改 ,解码时间标签 (DTS)和显示时间标签 (PTS)的重新确定 ,传送速率的修改以及添加相应的空包  相似文献   
99.
针对川西新场气田JS12气藏开展了多参数的综合评价研究,多参数包括储层参数、裂缝参数、储层分类厚度参数。首先,开展了储层参数及裂缝参数的计算,以岩心分析结果为依据,建立了孔隙度、渗透率、含水饱和度计算模型。利用铸体薄片进行了微裂缝识别,对样品的裂缝参数和测井曲线进行相关分析,建立了测井计算裂缝参数的数学模型;其次,对储层进行聚类分析,通过聚类将储层分为三类;最后,将计算的裂缝参数、储层分类中的Ⅰ类储层厚度、孔渗饱等参数进行正态化处理,拟和测试的无阻流量与这些参数建立多元回归计算模型,即综合含气指标的数学计算模型。以综合含气指标为主要依据,进行储层综合分类和评价,指出了有利的含气区域和可供挖潜井的建议。该方法在指导气藏开发中获得了良好效果。  相似文献   
100.
新结构MOSFET   总被引:1,自引:0,他引:1  
林钢  徐秋霞 《微电子学》2003,33(6):527-530,533
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。  相似文献   
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