"十一五"规划国家级重点通信项目

《信息产业科技发展“十一五”规划》提出设立部分重大项目,力争实现重点突破,形成一批具有自主知识产权的核心技术和创新产品,打造较为完整的产业链,形成世界一流的产业群。这其中,与通信相关的重点项目主要有:宽带无线移动通信、下一代网络、家庭网络、智能终端、数字电视等。本部分将对我国在以上领域的现状、项目的具体内容和目标、实现这些目标的具体计划以及相关厂商在各领域的努力和成绩进行介绍。     

移动自组网地址配置问题的研究

MANET（Mobile Ad hoc Network）中没有一个永久的中心机构，其网络拓扑结构不断变化，所以必须有一种能够对网络主机地址动态自配置和管理的协议。给出了在MANET中动态地址自配置与管理的方法，不同方案的特点及适应情况，最后对目前Ad hoc网络地址配置研究进行总结和展望。     

数字电视用中分辨率74cm纯平彩色显像管BC配列不良的分析与对策

通过对74cm中分辨率纯平彩色显像管BC配列局部严重群散不良的调查分析,确定荫罩受力塌陷是主要原因,通过改良设计、工艺优化及其它方面的综合对策,使以上技术难题得到满意的解决,整管不良率由4.78%下降到0.172%。     

基于FPGA的ASI信号接收与发送的实现

提出了一种用FPGA芯片代替Cypress公司的CY78933和CY78923芯片来实现ASI信号接收与发送的方案，详细阐述了DVB—ASI接口的硬件组成与FPGA实现，该接口符合DVB—ASI的接口规范，可实现270Mbps的信号传输，已经得到实际运用。     

高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

橡胶促进剂DM的合成工艺

M氧化生成DM是自由基反应机理，结合微反应器机理，采用分子氧化的反应方式，选用绿色溶剂异丙醇、环境友好型氧化剂H202，一步法制取高品质DM。对反应时间、反应温度、氧化剂用量等因素进行考察，确定最佳工艺条件为：反应时间90min，反应温度55℃，氧化剂不过量，碱过量5％，M—Na溶液M含量30％，加料时N60 min，溶剂用量为M—Na溶液质量的1．5倍，所得产品质量合格，熔点可达180℃。     

重复压裂气井产能模拟研究

由于重复压裂气井原有裂缝的失效程度难以评价。导致重复压裂气井的产能预测常常有很大的误差。为此，根据重复压裂气井的压前产量和舍水率，拟合了原有裂缝的有效率，在考虑新裂缝和原有裂缝共同作用的情况下，建立了气、水两相平面二维的裂缝-油藏数学模型，通过对模型的数值求解，对重复压裂气井进行了产能评价。研究表明，在考虑新、老裂缝共同作用下的产能评价方法，能更为准确地预测重复压裂后的生产动态情况，对压裂时机的确定、压后经济效益的预测都具有重要的指导意义。     

数字下变频器GC1012B原理及配置方法

数字下变频技术是软件无线电的一项核心技术,其性能的好坏直接影响数字接收机的精度。GC1012B是美国TI公司推出的新型数字下变频器。文中从GC1012B的结构特点和内部功能框图出发,分析其工作原理,并介绍GC1012B几个主要寄存器的配置方法,从而实现对频率、滤波模式、增益大小等参数的设置。最后给出了一个具体配置实例作为参考。     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

PP－g－AA的制备和表征

用熔融接枝方法制备了聚丙烯－ｇ－丙烯酸（ＰＰ－ｇ－ＡＡ）。用光电子能谱，广角Ｘ射线衍射，红外光谱和化学滴定方法对接枝物进行了定性和定量表征。讨论了单体和引发剂浓度对接枝率的影响，确定了用红外光谱法测定接枝物含量的经验公式