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通过研究二连盆地赛汉塔拉凹陷中洼槽陡坡带的含鲕粒块状细砂岩从岩性特征、沉积结构及构造特征、粒度特征、测井曲线特征、地震反射特征以及对其形成机理的分析,认为赛83x含油砂岩体为在半深湖一深湖环境形成的滑塌浊积扇沉积.这种类型的滑塌浊积扇具备分选、磨圆度、物性较好等条件,尤其是此类砂岩体往往被形成于深湖一半深湖相还原环境的深灰色、灰黑色泥岩--成熟烃源岩所包围,易形成岩性圈闭,有利于油气的运移和聚集成藏,是断陷湖盆陡坡带油气勘探的重要目标. 相似文献
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单片机自控系统在大型工程机械中得到了越来越广泛的使用,从而使设备的安全性、可靠性大为提高。文章着重分析了NS0631型轨道起重机中自控系统的结构、使用中存在的问题,提出了解决的方法及今后的改进设想。 相似文献
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Kalna K. Wilson J. A. Moran D. A. J. Hill R. J. W. Long A. R. Droopad R. Passlack M. Thayne I. G. Asenov A. 《Nanotechnology, IEEE Transactions on》2007,6(1):106-112
The potential performance of implant free heterostructure In0.3Ga0.7As channel MOSFETs with gate lengths of 30, 20, and 15 nm is investigated using state-of-the-art Monte Carlo (MC) device simulations. The simulations are carefully calibrated against the electron mobility and sheet density measured on fabricated III-V MOSFET structures with a high-kappa dielectric. The MC simulations show that the 30 nm gate length implant free MOSFET can deliver a drive current of 2174 muA/mum at 0.7 V supply voltage. The drive current increases to 2542 muA/mum in the 20 nm gate length device, saturating at 2535 muA/mum in the 15 nm gate length one. When quantum confinement corrections are included into MC simulations, they have a negligible effect on the drive current in the 30 and 20 nm gate length transistors but lower the 15 nm gate length device drive current at 0.7 V supply voltage by 10%. When compared to equivalent Si based MOSFETs, the implant free heterostructure MOSFETs can deliver a very high performance at low supply voltage, making them suitable for low-power high-performance CMOS applications 相似文献
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调节阀流量特性控制分析 总被引:3,自引:0,他引:3
薛永飞 《河南纺织高等专科学校学报》2003,15(2):19-23
介绍了调节阀的流量基本知识,从控制理论的角度,分析了调节阀的理想流量特性、工作流量特性和系统稳定性,指出了在热工领域内应用调节阀时的一些注意事项。 相似文献