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Shiao-Shien Chen Tung-Yang Chen Tien-Hao Tang Jin-Lian Su Tzer-Min Shen Jen-Kon Chen 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2003,50(7):1683-1689
This paper proposes a novel low-leakage BiCMOS deep-trench (DT) diode in a 0.18-/spl mu/m silicon germanium (SiGe) BiCMOS process. By means of the DT and an n/sup +/ buried layer in the SiGe BiCMOS process, a parasitic vertical p-n-p bipolar transistor with an open-base configuration is formed in the BiCMOS DT diode. Based on the two-dimensional (2-D) simulation and measured results, the BiCMOS DT diode indeed has the lowest substrate leakage current as compared to the conventional p/sup +//n-well diode even at high temperature conditions, which mainly results from the existence of the parasitic open-base bipolar transistor. Considering the applications of the diode string in electrostatic discharge (ESD) protection circuit designs, the BiCMOS DT diode string also provides a good ESD performance. Owing to the characteristics of the low leakage current and high ESD robustness, it is very convenient for circuit designers to use the BiCMOS DT diode string in their IC designs. 相似文献
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在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
73.
以3D软件应用为中心的设计管理模式——PDS在配管设计中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
由PDS的特点入手,结合工程实践的应用情况,阐明了3D软件可以更广泛的应用于配管的设计中,强调了以3D模型为中心开展设计和管理的新模式. 相似文献
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钻井液作为与油层首先接触的外来流体极易对油层造成损害,做好钻井液保护油层工作在整个油层保护系统工程中非常重要.针对华北油田宝力格油田的储层物性,室内从岩心的敏感性评价入手,开展了钻井液保护油层技术的研究.通过对油层封堵技术的研究,研制出了适合于该油田储层特征的油层保护剂,结合现场钻井液施工的特点,制定了便于现场操作的保护油层施工措施.该技术自2002年开始,在二连地区宝力格油田共实施162口井.采取油层保护措施的井,完善井为86%,说明该钻井液技术在宝力格油田应用效果较好. 相似文献
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变速鱼雷推进器动态模型理论研究 总被引:1,自引:1,他引:0
传统鱼雷推进器静态模型已无法满足变速鱼雷的建模需要,为了解决这一问题,在国内外学者研究的基础上,运用流体动力学方法,建立了鱼雷推进器比较精确的动态模型。该模型是以推进器来流速度和螺旋桨转速为状态变量,以电机施加转矩为输入,螺旋桨推力和转矩为输出的。 相似文献
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