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991.
张辉  何恩全  杨宁 《中国激光》2012,39(10):1007001-135
采用紫外脉冲激光沉积技术和高低温沉积工艺,在LaAlO3(100)平衬底及倾斜衬底上成功制备了c轴取向的(Bi,Pb)2Sr2CaCu2O8[(Bi,Pb)-2212]薄膜;研究了在倾斜LaAlO3(100)单晶衬底上生长的(Bi,Pb)-2212薄膜激光感生热电电压信号与沉积条件及入射激光能量的关系。为避免(Bi,Pb)-2212薄膜被激光剥蚀或蒸发,还初步研究了MgO保护层对(Bi,Pb)-2212薄膜激光感生电压信号的作用,结果表明MgO层能够显著增强激光感生热电电压效应。  相似文献   
992.
产品性能和可靠性是供应商和用户最关心的两个问题。由于设计、工艺制作和工程使用存在问题,一些产品会失效。介绍了光通信用光电子器件、模块的一般失效模式分类和常见失效模式;重点报告和分析了眼图多线和APD低温下饱和光功率偏小的失效模式。  相似文献   
993.
从滚动开通基站流程及在该建设模式下基站如何进行站址选择、天线参数及发射功率设计、小区频率规划等方面论述了一种将网络优化思想融于无线基站工程建设中的基站开通模式。  相似文献   
994.
995.
激光诱导Al等离子体的时间分辨光谱   总被引:2,自引:1,他引:2  
用YAG脉冲1.06μm激光,在高真空轰下击A1靶,观测到AlⅠ,AlⅡ和AlⅢ等离子体的若干谱线.利用快速脉冲发生器和光学多道分析仪(OMA),对激光脉冲和等离子体谱线的时间分辨特性进行了比较和测量.在激光脉冲作用期间均会产生连续的辐射谱.在激光能量较小时,等离子体谱线峰值在激光脉冲峰值后延迟一定时间出现,而在激光能量较大时,谱线峰值在激光脉冲期间产生.  相似文献   
996.
国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料.外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250 μm,饱和电流密度680 mA/mm,跨导约为20 mS/mm,在20 V下的栅漏截止漏电为10 μA,2 mA下栅漏击穿电压为80 V.比例占总数的70%以上.初步实现从衬底到外延,进而实现器件的完整工艺链,为进一步的工艺循环打下良好基础.  相似文献   
997.
射频识别技术中,防碰撞问题是提高系统读取效率的关键问题。文章在传统防碰撞算法的基础上,提出一种优化的基于动态帧时隙ALOHA的防碰撞(Improved dynamic framed slotted ALOHA,IDFSA)算法。实验结果表明:IDFSA算法大幅度地提高了系统的时隙利用率和读取效率。  相似文献   
998.
目前我军无人机装备采用事后维修、定期维修、预防性维修等维修保障方式,存在故障诊断及修复能力差、维修资源繁多、保障费用急剧增长等问题。充分考虑我军无人机装备技术特点及现行维修保障体制,文中创新性地提出了构建适合我军无人机装备的自主式保障系统;并对系统组成、故障模式影响及危害性分析、测试性设计技术、机载故障快速诊断及自修复技术、预测与健康管理技术、分布式信息融合技术等关键技术进行重点研究。该系统为我军新型信息化装备提供了新的维修保障模式,并可提高我军无人机装备的一体化、精确化保障水平。  相似文献   
999.
由于硬件木马等恶意电路的隐蔽性,攻击者可以利用其窃取机密信息,破坏硬件电路,造成严重的经济损失与社会危害.本文基于典型的芯片设计流程与EDA工具,首先建立硬件木马的电路模型,然后尝试在一简单ADC芯片中,利用其电路的剩余空间,设计实现了一种计数器木马电路.该木马电路的规模大约占芯片总面积的5.6%,将受污染的电路与真实电路一起用标准CMOS工艺HJ0.25μm流片,然后采用旁路功耗分析技术进行深入分析.实验数据表明,在正常工作情况下,受污染和没受污染的芯片功耗并无明显差异,而当木马触发条件满足时,受污染的芯片却成功的实现了攻击.  相似文献   
1000.
介绍YD/T 1312.5-2004的适用范围及产品分类,结合实际测试和应用阐述标准中试验布置、性能判据、免测频段及窄带响应等较难理解的技术内容,总结标准今后修订的原则和要素。  相似文献   
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