The meta-stable dip (MSD) effect in SOI FinFETs

The meta-stable dip (MSD) effect is demonstrated and characterized in SOI FinFETs. With ascending scan of front-gate voltage (V_G1), the magnitude of drain current (I_D) tends to be fixed within a specific region of the front-gate voltage and this leads to a dip of transconductance (g_m). The dip width can be modulated through a control of bias condition or measurement speed such as back-gate voltage (V_G2), drain voltage (V_D) and step size of the front-gate voltage. From the dual-gate transient measurement, it is found that the MSD effect is highly dependent on the floating-body effect. In SOI FinFETs, the MSD effect is significantly affected by the fin width due to the fringing electric field of the lateral gates.     

Pausible clocking-based heterogeneous systems

This paper describes a novel communication scheme, which is guaranteed to be free of synchronization failures, amongst multiple synchronous and asynchronous modules operating independently. In this scheme, communication between every pair of modules is done through an asynchronous first-in first-out (FIFO) channel; communication between a module and the FIFO is done using a request/acknowledge handshaking. Synchronization of handshake signals to the local module clock is done in an unconventional way-the local clock built out of a ring oscillator is paused or stretched, if necessary, to ensure that the handshake signal satisfies setup and hold time constraints with respect to the local clock. In order to validate this scheme, we implemented a test chip in 0.5-μm CMOS. This chip is designed as a ring, composed of two synchronous modules, an asynchronous module, and two asynchronous FIFOs. Each module functions as a receiver to one module and a sender to another module. Test results show that the chip functions reliably up to 456 MHz     

CMOS集成温度传感器中的器件模型分析

根据CMOS集成温度传感器对器件的要求,对MOS器件的亚阈值模型和MOS工艺下的双极型器件进行了分析对比,选用后者更适合作为CMOS集成温度传感器的器件,并对衬底PNP管压电结型效应对温度传感器的影响进行了分析,最后对不同类型电阻进行了分析对比,为CMOS集成温度传感器设计打下了理论基础。     

PKI体系下的网络安全性能评估算法

通过分析基于公钥基础设施安全的网络防御问题和攻击问题,得出一个能反应网络安全性能的网络安全性能评估算法。该算法包含4个重要的安全参数:网络用户数n、密钥破解系数p、网络安全系数λ和网络安全度s。通过对网络安全性能评估算法中的各个安全参数进行分析,观察各参数对网络安全性能的影响,最后得出网络安全系数的一个上限值和网络用户数的一个上限值。这些结果可用于网络安全建设和对网络安全性能进行度量和评估。     

Adaptive contour smoothing based on inter-region contrast

An adaptive contour smoothing algorithm designed as a preprocessor for shape coders is presented. In the method, the degree of the adaptive smoothing is controlled based on the significance of each contour point, which is quantified according to inter-region contrast in an intensity image. The actual smoothing consists of an expansion operator and a thinning algorithm.     

氦氖激光照射对小鼠脾淋巴细胞增殖反应影响的试验研究

目的：研究氦氖激光照射对小鼠脾淋巴细胞增殖反应的影响。方法：以BALB/c小鼠为研究对象，应用7.33，11.00,14.67,22.00和36.67j/cm^2五种剂量的氦氖激光器照射小鼠哈德腺，连续照射8d，并于照射开始后第3、6、9、13和第17d动脉监测实验鼠脾淋巴细胞增殖反反应：结果:7.33,11.00,14.67和22.00j/cm^2四个剂量组均可增强脾淋巴细胞增殖反应，但11.00，14.67和22.00j/cm^2三个剂量组在第3d就达到峰值，此后逐步下降，而7.33j/cm^2剂量组直到第9d才达到峰值，且维持时间最短。与此相反的是，36.67j/cm^2剂量组则在第3d就出现抑制效应，直至第13d才恢复至正常水平。结论：适当剂量的氦氖激光照射可对小鼠脾淋巴细胞增殖反应产生增强效应，而过大剂量He-Ne激光则对免疫机能产生抑制效应。     

电信运营支撑系统的生产调度流程管理

文章对电信运营竞争的环境下运营支撑系统中生产调度流程管理的作用、类型划分和实现要求进行了分析，并对业务受理调度流程中各环节的定义及实现进行了进一步探讨。     

金属Cr阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(In,Ga)Se2太阳电池性能的影响

研究了Cr扩散阻挡层对柔性不锈钢衬底Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)太阳电池性能的影响.XRD和SEM分析表明,Cr阻挡层能够部分阻挡Fe等杂质从不锈钢衬底热扩散进入CIGS吸收层中,同时可以显著降低CIGS吸收层的粗糙度,提高薄膜结晶质量.从衬底扩散进入吸收层中的Fe元素以FeInSe2的形式存在,并形成FeCu等深能级缺陷,钝化了器件的性能.相同工艺条件下,在玻璃、不锈钢以及不锈钢/Cr阻挡层上所制备电池的(有效面积0.87cm2)转换效率分别为10.7%,7.95%和8.58%,不锈钢衬底电池效率的提高归因于Cr阻挡层的作用.     

光子计数技术在激光脉冲探测中的应用

无扫描激光大光场照明时目标处的光强甚弱,通常需要加大激光器的功率和提高探测器的灵敏度.从探测技术角度探讨提高系统探测灵敏度的技术途径,即将光子计数技术应用于激光脉冲探测系统.光子计数探测的动态范围为10-16:10-11 W,回波以离散光子流的形式照射在探测器的光敏面上.当接收系统检测模超过20时,光电子统计近似服从泊松分布规律.对于典型的激光脉冲探测系统,采用最大似然方法估算出探测阈值,并估算出平均探测时间.例如,对10-11W回波,估算的积累时间为0.2 ms.针对脉冲探测情况,采用时间门选通多点采样的数据采集方法和多脉冲预积累相关处理算法.采样周期与激光脉冲宽度相等,时间门宽稍小于激光重复周期.根据探测误差概率的需要,采用Monte Carlo算法估算出探测积累的脉冲数和相关计算的参数.初步估算探测时间至少在10ms量级.     

基于AODV有功率控制功能的QoS路由协议PCQ-AODV

文中提出了一种基于AODV算法的,能提供QoS保障并具有一定功率控制功能的QoS路由协议PCQ-AODV.通过NS2仿真,详细比较了PCQ-AODV和AODV路由协议,仿真结果表明,PCQ-AODV保证了实时业务服务质量,在网络吞吐量、数据平均发送功率和网络生存时间这三个个方面优于AODV,但是它的控制开销要比AODV稍微大一些.