二维实值离散Gabor变换与DCT在图像编码中性能的比较

介绍了二维实值离散Gabor变换(RDGT)的快速算法,并着重探讨了二维实值离散Gabor变换与二维离散余弦变换在图像编码中的性能及差异.     

Spectral line narrowing effect induced by atomic coherence in a three-level Λ system

We present the spectral line narrowing effect in a Λ three-level atomic system where one transition is coupled by a coupling laser and the narrow feature is observed by probing the other transition with a weak laser. As coupling laser detuning increases the electromagnetically induced transparency resonance is observed to evolve into electromagnetically induced absorption resonance with sub-natural linewidth. The linewidth of the narrow spectral feature is studied as a function of coupling laser detuning and the atomic system parameters. The result is explained using density matrix density equation in the dressed-atom picture.     

基于软件仿真的高频功率放大器设计

高频功率放大器是发射机的重要组成部分,因而也是通信系统必不可少的环节。介绍了高频功率放大器的基本原理和特性,并利用电子设计工具软件Muhisim2001对丙类功率放大器电路从方案选择、单元电路设计、元器件参数选取等方面进行具体设计分析,同时对电路进行仿真测试,通过仿真结果分析电路特性,使电路得到进一步完善。仿真结果表明,该电路设计方案正确,能达到预期设计要求,性能良好。     

移动ad hoc网络802.11 DCF性能分析

分析了移动ad hoc网络相关衰落信道下的802．11DCF的吞吐量以及帧长度对吞吐量的影响。研究表明移动速度越高,吞吐量越低;在一定的移动速度下存在最优的帧长使得系统吞吐量最大,并且该最优值与发送节点的数目无关。     

LED外延片上芯片静电击穿的测试分析

利用静电仪和HBM模型研究了GaN基LED外延片上芯片的抗静电性能,并根据pn结势垒电容的特性,对实验结果进行了分析.实验结果表明,缺陷击穿与外延片的工艺有着密切的关系;随着外延片上芯片尺寸的增大,其抗静电能力也随之增强.     

适用于DC-DC开关电源的振荡器设计

应用于手机等通信电子产品电源系统的DC-DC开关电源变换器芯片,要求具有高性能的振荡器。鉴于此要求,设计了一款具有充放电电容的高性能振荡器。该振荡器基于0.5μm BCD工艺库,利用Cadence和Hspice软件,在芯片系统典型应用环境下仿真,得到的内同步振荡频率为794 k Hz,外部EN同步振荡频率为1 MHz到2MHz;在VCC=5.5 V,0~125℃温度范围内振荡器的频率偏移在6%以内。仿真结果显示,该振荡器性能良好,适用于DC-DC开关电源。     

中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究

HgCdTe 表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用 Br2/CH3OH 腐蚀液对液相外延（LPE）生长的中波 HgCdTe 薄膜进行表面处理后,使用CdTe/ZnS 复合钝化技术进行表面钝化,制备了相应的 MIS 器件并进行器件 C-V 测试。结果表明,HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正,面密度为2.1×1011 cm－2,最低快界面态密度为1.43×1011 cm－2·eV－1,在10 V 栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm－2,较低的快界面态密度体现出了 CdTe/ZnS 复合钝化技术的优越性。     

计算器时钟切换及自动关断电路的分析与改进

时钟切换和自动关断是新一代计算器集成电路档器芯片快慢时钟切换电路,详细分析了计算器的两种关断途径,在此基础上设计了一种新的关断电路.给出了这两种电路的仿真结果,证明了改进电路的正确性和高效性.     

氧化改性Ni(OH)2的电化学电容特性研究

为获得高比电容量电极材料,制备出氧化改性Ni(OH)2,并对样品进行了XRD和XPS分析,通过恒流充放电测试分析了氧化改性Ni(OH)2/活性炭非对称型电化学电容器的电容特性,讨论了活性炭与氧化改性Ni(OH)2质量比对比电容量的影响。结果表明,氧化改性Ni(OH)2电容器性能稳定,稳定工作电压可达1.60V;在活性炭与氧化改性Ni(OH)2质量比约为2.7时,比电容量高达93.78F/g。     

高效率E类射频功率放大器

研究了E类RF放大器的电路结构、工作原理、存在问题以及解决的方法--差分和交叉耦合反馈结构,最后给出了E类放大器的实例.由于具有低成本、高集成度、多功用等优点,MOS工艺在射频功率放大方面有很大的发展潜力.在本文中,用0.6 u m CMOS工艺实现了E类放大器的设计.