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地下采矿生产包括一系列相互关联的工艺过程。在研究地下矿山生产效率管理方法时,主要任务是确定与各个工艺过程密切相关的判据参数。根据作者的研究,即把合格块度看作是这样的一个参数。一般都根据矿石和围岩的物理技术特性、矿石储量、矿石品位、矿区地表状况和生态环境等地质和矿山技术资料进行矿山设计。根据这些资料选择采矿方法(空场法、支 相似文献
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业已明了,SOI器件用绝缘物进行元件隔离,可减小电容和布线电容值。所以,人们深信集成电路可达到更加高密度,高速化。大家早就知道,SOI器件有采用在蓝宝石单晶衬底上外延生长单晶硅薄膜的“蓝宝石上硅”(SOS)器件及采用在SiO_2上沉积多晶硅薄膜制作的“绝缘体上硅”(SOI)器件。采用多晶硅薄膜制作的SOI器件与SOS器件相比较,其特点是,由于SOI器件能在非晶形绝缘膜上制作,所以,可采用任意衬底。但存在的问题是,由于其采用的薄膜不是单晶而是多晶,所以晶粒边界会造成载流子紊乱,MOS FET的场效应迁移率与体硅及SOS相比,降低至1%。 相似文献
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连铸钢的理化性能,以及成品使用性能,在极大程度上取决于非金属夹杂中的氧浓度。氧浓度首先取决于采用脱氧、变性处理、吹隋气的工艺,及浇铸前钢水炉外处理所有工艺进行的效果。本文以20钢为例,查明了总的氧浓度与夹杂物污染度和炉外处理工艺参数的关系,即与渣和钢水的氧化度(铝浓度)、温度等的关系。 相似文献
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1.绪言由于气相反应法是得到高纯度微细颗粒的有效方法,所以有关合成SiC粉体方面的研究也就进行得特别广泛。若是将Si(CH_3)_4和SiH_4作为硅的来源,可利用气相反应,于1500℃以下得到超微粒的SiC粉体。然而,这些硅化物,作为工业制造SiC粉体的原料是昂贵的。如采用廉价的SiCl_4和CH_3SiCl_3则由于其生成SiC粉体的反应性能较低,而需要更高的温度。因此,许多专利都是利用等 相似文献
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