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本文介绍X射线晶体衍射的测试原理,讨论了半导体薄片异质结构材料X射线晶体衍射测量中正、负失配,晶片微弯曲,摇摆曲线的对称性,复杂曲线的分解、干涉带等问题。指出了晶体衍射测试结果对MOCVD、LPE工艺调整的重要性。 相似文献
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1.3μm应变多量子阱激光二极管 总被引:1,自引:0,他引:1
已研制成用于Gb/s传输而勿需温控的无偏置1.3μm激光二极管。由于采用了应变多量子阱(MQW)和短腔结构,在30mA的激励电流下,在-20℃和+85℃之间的功率变化只有2dB。在-40至+85℃的温度范围内和1Gbit/s零偏置调制下可看见眼图的眼开很大。 相似文献
15.
端镜面镀膜对具有DC—PBH结构的MQW—LD光电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
报告了具有DC-PBH(双沟平面掩埋异质结构)的MQW-LD(多量子阱激光器)端镜面镀膜对阈值电流Ith和激射波长γp的影响。指出:端镜面镀高反射膜HR(反射率R2=75% ̄90%),Ith可降低3.8 ̄5.1mA,γp加长4nm左右;端镜面镀增透膜AR(反射率R1=10% ̄15%),Ith将增加3mA,波长变化趋势不明显。分析和讨论了导致这些变化的物理机理。实验结果和理论计算基本一致。 相似文献
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(上接第4期)
2.3高速、可调波长和单片集成式光发射芯片(EAML-SOA)
对于40G TWDM-PON发射端来说,首先要解决宽带光芯片问题.为了缩小体积,提高光电性能,国内外正在研发宽带单片集成芯片.这种芯片性能优越,可充分满足40G TWDM-PON发射端技术要求,具有多种可能结构形式.其中,基于电控技术、波长可调谐的光发射芯片EAML-SOA,性能优越,商用化程度较高,EAML-SOA把具有MQW-LD、相移(DBR)、电吸收调制(EAM)、半导体光放大(SOA)单片集成在InP基片上,其芯片结构示意图如图5所示. 相似文献
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2.5 Gbit/s光发射模块消光比与光接收误码特性 总被引:4,自引:1,他引:3
改变2.5Gbit/s光发射模块消光比(EX),对作为标准接收用的光接收机灵敏度进行了测试。实验表明,EX小于9.0时,光接收灵敏度较差;EX大于15.0时,由于眼图中交叉点偏低或光脉冲波形畸变,可能导致光接收灵敏度恶化;EX在9.0-12.0范围时,光接收灵敏度最佳。 相似文献
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自改革开放以来,中国经济30年来的经济高速增长,中国低廉的劳动力成本起到了勿容置疑的支撑作用.但在中国经济发展到现在的水平以后,廉价的劳动力成本对中国经济起飞是否具有可持续性,面对日前席卷全球的金融危机,中国是采取低工资政策,还是逐步提高工资刺激内需,已经成为专家学者和政府开始关注的话题,也是中国经济、社会发展必须做出的抉择.本文主要就在中国工业化达到较高程度、社会供给不足已经基本消失的情况下,如何看待职工工资收入现状、如何保证职工工资收入的增加、如何看待职工收入分配不公的问题及如何采取应对措施,提出自己的看法. 相似文献