InP系列多薄层异质结构材料光致发光谱温度特性的实验研究

本文报告了InP系列多薄层异质结构材料变温光致发光（PL）谱的正常及异常温度特性；观测到InGaAsP单层单量子阱室温下光致发光峰能却比10K下光致发光峰能高的实验事实．提出了外延层分为岛状、短程有序起始生长区、过渡区、多元均匀混晶区模型来解释PL谱低温下局部温度特性异常问题；认为PL谱反常温度特性与晶格弛豫有关．     

应变量子阱结构材料X射线双晶衍射摇摆曲线的测试与分析

报告了多薄层质结构材料Ｘ射线衍射模拟摇摆曲线和压应变，张应变量子阱材料的实测摇摆曲线，指出了计算机模拟分析实测摇摆曲线是精确求得失配率，量子阱周期的科学方法，分析和讨论了与失配率，量子阱周期有关的简单计算公式的适用性。     

InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD器件设计考虑及I_P—V曲线二级阶梯状扭折

本文根据雪崩电场和限制隧道电流电场要求出发,设计和估算了InGaAs/InGaAsP/InPSAGM-APD器件参数,测量并解释了I_p-V曲线的二级阶梯扭折行为,指出了V_(th)/V_B以1/3左右为宜和与实际测量的M_p比较吻合的经验公式。     

张应变、长波长In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP量子阱材料的光荧光谱实验研究

给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。     

850nm VCSEL-TOSA及其在高速通信中的应用北大核心

高速、大数据容量传输和处理是光通信中的热点。10Gbit/s 850nm VCSEL-TOSA(垂直腔面发射激光器-传输光组件)是以太网和大数据处理中心所用的高速、短波长关键组件。文章介绍了实用化组件结构、芯片特点、技术指标及相关标准;报道了10Gbit/s 850nm VCSEL管芯高温加速寿命试验条件和结果;讨论了组件结构、工艺和环境温度变化对其性能的影响,指出了10Gbit/s 850nm VCSEL-TOSA在短途以太网和大数据收发、处理中心中的应用。     

10Gb/s EML-TOSA及其在中长距离光通信中的应用

介绍了10Gb/s EML-TOSA的工作原理、主要结构和性能;通过调测和比较,给出了EAM的“1”码电平和峰-峰调制电压最佳条件;分析、讨论了10Gb/s EML-TOSA的动态谱宽、眼图、色散容限和阻抗匹配等问题;指出了10Gb/s EML-TOSA具有动态谱宽较小,色散代价较小的特点,在中、长距离实用化光通信中将有广泛的应用.     

光通信用40 Gb/S波导型光探测器光耦合问题探讨

提出了光纤与40Gb/s 波导型光探测器光耦合的几种可能方式;分析和讨论了存在的问题和困难,指出了楔形光纤直接耦合方式和脊形光波导耦合方式的实用性和先进性。     

膨润土对硅酸盐水泥水化硬化的影响

研究了膨润土的种类和掺量对水泥硬化浆体抗压强度、Ca(OH)2含量、微观孔结构分布和对硬化浆体的水化形貌的影响。结果表明:掺钠基膨润土的水泥浆体抗压强度高于掺钙基膨润土的水泥浆体抗压强度。提高膨润土掺量,抗压强度和Ca(OH)2含量均降低;膨润土的种类和掺量对硬化水泥浆体的孔结构分布和形貌也有明显的影响。     

高速激光器组件P-I曲线扭折问题研究

报告和分析了高速激光器组件中可能出现的3种P-I曲线扭折;指出了在驱动电流20~40mA、光功率0.3~5mW范围内的较小的P-I曲线扭折,为光学元件表面(或界面)和光纤端面光反射所致;讨论了避免或减小P-I曲线扭折的几种方法。     

异质结构材料的傅立叶变换光萤光谱的测试与分析

介绍了傅立叶交换光萤光谱测试的基本原理；报道了用ＰＬ６１２０设备测得的一些典型的异质结构材料光萤光谱；分析和讨论了光萤光双峰结构、光萤光谱异常温度特性等问题；指出了异质界面上原子排列无序和内应力是造成这些异常现象的物理原因。